基于單壁碳納米管（SWCNT）/單層石墨烯/GaAs雙異質(zhì)結結構構筑了自驅(qū)動近紅外光電探測器,利用GaAs優(yōu)異的光電特性和石墨烯的高載流子遷移率特點,該光電探測器在無偏壓情況下光電響應率可達393.8mA/W,比探測率達到6.48×10¹¹ Jones,開關比為10³。而且,利用半導體性SWCNT對近紅外光子的高吸收特性以及SWCNT/石墨烯異質(zhì)結對SWCNT產(chǎn)生光生載流子進行有效分離,使得該雙異質(zhì)結光電器件的光譜響應可拓展至1 064nm,突破了GaAs自身的響應極限860nm。 

【文章來源】：半導體光電. 2020,41(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【圖文】：

器件結構示意圖

圖1 器件結構示意圖該異質(zhì)結器件的電學性能如圖3所示。從圖中可以看出，當激光波長在405～780nm時，在零偏壓下的光響應主要由石墨烯/GaAs異質(zhì)結產(chǎn)生，其光電流密度為2～7mA/cm2，可見器件的光電響應比較明顯。從圖3(b）可以看出，器件在激光波長為860～1 064nm的范圍內(nèi)在零偏壓下的光電響應主要由碳納米管/石墨烯異質(zhì)結產(chǎn)生，其光電流密度為20～70μA/cm2，相比于405～780nm波段的光電響應較弱。從圖中還可以得到該異質(zhì)結器件的暗電流密度為10.3μA/cm2，最大開關比約為7×103。J-V曲線在負方向上表現(xiàn)出電阻的特性，其原因在于在較大功率的光照射下，旁路電阻的影響比較明顯，但J-V曲線的不對稱性以及在0V處的下移也說明了該器件存在異質(zhì)結并且發(fā)生了光伏效應。

該異質(zhì)結器件的電學性能如圖3所示。從圖中可以看出，當激光波長在405～780nm時，在零偏壓下的光響應主要由石墨烯/GaAs異質(zhì)結產(chǎn)生，其光電流密度為2～7mA/cm2，可見器件的光電響應比較明顯。從圖3(b）可以看出，器件在激光波長為860～1 064nm的范圍內(nèi)在零偏壓下的光電響應主要由碳納米管/石墨烯異質(zhì)結產(chǎn)生，其光電流密度為20～70μA/cm2，相比于405～780nm波段的光電響應較弱。從圖中還可以得到該異質(zhì)結器件的暗電流密度為10.3μA/cm2，最大開關比約為7×103。J-V曲線在負方向上表現(xiàn)出電阻的特性，其原因在于在較大功率的光照射下，旁路電阻的影響比較明顯，但J-V曲線的不對稱性以及在0V處的下移也說明了該器件存在異質(zhì)結并且發(fā)生了光伏效應。圖4是器件在無偏壓下，不同波長光照射下的I-t響應曲線，由于器件在波長860nm以后產(chǎn)生的光電流比較小，故對各個波長下的響應采用了歸一化的方法。從圖中可以明顯看出，該異質(zhì)結器件在不加任何偏壓的情況下，在405～1 064nm的激光照射下都有明顯的光響應，說明器件的光譜響應達到了1 064nm，突破了GaAs的吸收極限（860nm），證明了SWCNT吸收了近紅外波長的光，光伏效應主要發(fā)生在SWCNT/石墨烯處。從圖中還可以看出，該器件在經(jīng)歷多個開關的狀態(tài)所產(chǎn)生的光電流基本都在一個量級上，具有比較好的穩(wěn)定性。


本文編號：2977819