PMIC自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
發(fā)布時(shí)間:2021-01-13 23:25
21世紀(jì)人類邁入了電子信息的新時(shí)代,以集成電路為核心的半導(dǎo)體技術(shù)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,是關(guān)乎國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全的戰(zhàn)略型產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存顆粒價(jià)格幾年時(shí)間翻了三倍,國(guó)內(nèi)某大型通信設(shè)備制造商曾經(jīng)多次被美國(guó)限制出口芯片和相關(guān)技術(shù)服務(wù),從而無(wú)法出貨任何電子設(shè)備損失慘重。我們國(guó)家已把集成電路列為優(yōu)先發(fā)展的行業(yè)。集成電路的測(cè)試技術(shù)與集成電路設(shè)計(jì)和集成電路制造技術(shù)都是集成電路產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)。并且隨著產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,測(cè)試技術(shù)在整個(gè)環(huán)節(jié)中花費(fèi)的成本越來(lái)越高,其重要性也越來(lái)越高,如何高效地、低成本地完成集成電路的測(cè)試,已經(jīng)成為眾多芯片廠商近年來(lái)研究的課題。本篇文章來(lái)自于實(shí)習(xí)公司的商業(yè)項(xiàng)目,以高效率和低成本為導(dǎo)向,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一套PMIC(Power Management IC電源管理芯片)自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái),該平臺(tái)包含了一款承載PMIC的EVB評(píng)估板,一套上位機(jī)軟件和一套外部測(cè)試設(shè)備儀器。該平臺(tái)通過(guò)上位機(jī)軟件控制外部測(cè)試設(shè)備和PMIC,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)PMIC性能評(píng)估的自動(dòng)化測(cè)試,節(jié)省了大量人力成本和時(shí)間成本,為公司帶來(lái)了很好的經(jīng)濟(jì)效益。本篇論文主要的工作內(nèi)容有:1.針對(duì)PMIC設(shè)計(jì)了評(píng)估測(cè)試用的開(kāi)發(fā)板EVB。考慮到該測(cè)...
【文章來(lái)源】:成都理工大學(xué)四川省
【文章頁(yè)數(shù)】:89 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
一般MOS管的輸出特性曲線
圖 3-7 MOS 管 DMN3070SSN 的輸出特性曲線電容器,其承載的電荷量與電壓的關(guān)系為:Q CU做電荷量對(duì)時(shí)間的微分dtdQI ,即dtdUI C冊(cè)中對(duì) Load Transient 的要求,最大的負(fù)載瞬 Buck 的最大輸出電流為 4A,所以要求在 T 時(shí)大的跳變,即 7A/us×T=4A,求得 T= μs47。壓控制的,要使得電流在 T 時(shí)間內(nèi)完成 0A 至間內(nèi)從 0V 上升至 2.8V,即2.8V17μs4dUdt
圖 3-9 EVB 子板 IIC 接口電路原理圖圖 3-10 是上位機(jī)與 PMIC 通信的實(shí)測(cè)波形圖,可以看到波形純凈無(wú)毛刺,上升沿足夠陡峭,能夠被示波器軟件解析通信數(shù)據(jù),到此IIC接口電路設(shè)計(jì)完成。R784.75K0603+3.3V1H7221H7021H6921H682H6621436587910H671 23 45 67 8910C821uF25V0603MLCCDS2GREEN08052V12R7510K0603R6900603R640 0603R734.75K0603C830.1uF100VMLCC0603R654.75K0603D1060324V1C800.1uF100VMLCC0603R664.75K0603R6733.20603L5330nH1008CeramicY16MHz CTX12TP821D2060324VR6833.20603R701.5K0603TP831TP781D3060324VTP851C840.1uF100VMLCC0603R713321206U14FT2232DEESK1EEDATA2VCC3RESET#4RSTOUT#53V3OUT6USBDP7USBDM8GND9SI/WUA10GPIOH311GPIOH212GPIOH113VCCIOA14GPIOH015GPIOL316GPIOL217GND18GPIOL119GPIOL020TMS/CS21TDO/DI22TDI/DO23TCK/SK24GND25SI/WUB26UNUSED1127UNUSED1028UNUSED929UNUSED830VCCIOB31UNUSED732UNUSED633GND34UNUSED535UNUSED436UNUSED337UNUSED238UNUSED139UNUSED040PWREN#41VCC42XTIN43XTOUT44AGND45AVCC46TEST47EECS48SHI ELDSHI ELDSHI ELDSHI ELDJ48123456789J47CON10APA1F2B3G4C5H
本文編號(hào):2975740
【文章來(lái)源】:成都理工大學(xué)四川省
【文章頁(yè)數(shù)】:89 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
一般MOS管的輸出特性曲線
圖 3-7 MOS 管 DMN3070SSN 的輸出特性曲線電容器,其承載的電荷量與電壓的關(guān)系為:Q CU做電荷量對(duì)時(shí)間的微分dtdQI ,即dtdUI C冊(cè)中對(duì) Load Transient 的要求,最大的負(fù)載瞬 Buck 的最大輸出電流為 4A,所以要求在 T 時(shí)大的跳變,即 7A/us×T=4A,求得 T= μs47。壓控制的,要使得電流在 T 時(shí)間內(nèi)完成 0A 至間內(nèi)從 0V 上升至 2.8V,即2.8V17μs4dUdt
圖 3-9 EVB 子板 IIC 接口電路原理圖圖 3-10 是上位機(jī)與 PMIC 通信的實(shí)測(cè)波形圖,可以看到波形純凈無(wú)毛刺,上升沿足夠陡峭,能夠被示波器軟件解析通信數(shù)據(jù),到此IIC接口電路設(shè)計(jì)完成。R784.75K0603+3.3V1H7221H7021H6921H682H6621436587910H671 23 45 67 8910C821uF25V0603MLCCDS2GREEN08052V12R7510K0603R6900603R640 0603R734.75K0603C830.1uF100VMLCC0603R654.75K0603D1060324V1C800.1uF100VMLCC0603R664.75K0603R6733.20603L5330nH1008CeramicY16MHz CTX12TP821D2060324VR6833.20603R701.5K0603TP831TP781D3060324VTP851C840.1uF100VMLCC0603R713321206U14FT2232DEESK1EEDATA2VCC3RESET#4RSTOUT#53V3OUT6USBDP7USBDM8GND9SI/WUA10GPIOH311GPIOH212GPIOH113VCCIOA14GPIOH015GPIOL316GPIOL217GND18GPIOL119GPIOL020TMS/CS21TDO/DI22TDI/DO23TCK/SK24GND25SI/WUB26UNUSED1127UNUSED1028UNUSED929UNUSED830VCCIOB31UNUSED732UNUSED633GND34UNUSED535UNUSED436UNUSED337UNUSED238UNUSED139UNUSED040PWREN#41VCC42XTIN43XTOUT44AGND45AVCC46TEST47EECS48SHI ELDSHI ELDSHI ELDSHI ELDJ48123456789J47CON10APA1F2B3G4C5H
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