以GaN、GaP、GaAs等為代表的化合物半導體材料具有禁帶寬度大、電子遷移率高、漂移速度大、本征電阻率大等優(yōu)點,在軍事雷達、航空航天、光纖通訊、照明顯示等領(lǐng)域應用廣泛。在實際的半導體器件制作過程中,除了半導體材料本身外,常常需要在半導體的P端和N端制作合適的金屬電極來傳遞電流信號,因此如何獲得性質(zhì)穩(wěn)定,電阻率小的接觸電極是制約半導體器件性能的因素之一。過去對GaN、GaAs等半導體的歐姆接觸進行了廣泛的研究,目前使用的反極性紅光系列LED的P型GaP的接觸電極及反射金屬普遍采用金鈹（AuBe）合金,AuBe不但價格昂貴,而且Be是劇毒元素,環(huán)境不友好,為了解決目前反極性紅光LED存在的上述問題,本文主要研究成本、環(huán)境友好性、反射率比AuBe有優(yōu)勢的Ag、Cu與P型GaP如何形成歐姆接觸及形成機理,主要的工作和結(jié)果如下:1、介紹了半導體材料與金屬形成歐姆接觸的理論機制,分析了常見的測量比接觸電阻率的模型的優(yōu)缺點,并據(jù)此確定了適合本實驗的測量比接觸電阻率的模型。2、參照主流的金屬電極制作工藝,在P型磷化鎵表面制作了Ag、Ni/Ag、Cu、Ni/Cu、Au、Ni/Au電極,通過退火工藝來得... 

【文章來源】：閩南師范大學福建省

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

不同前處理之后表面費米能級變化

圖 1.2 退火前后表面費米能級變化[22]，接觸面會產(chǎn)生空洞，接觸面積變小，不利于歐姆接觸的形鎵制作的歐姆接觸電極中加入鎂[24]，制作的鎳鎂金電極在相阻率遠低于鎳金，AES 和 XPS 表征分析證明，鎳鎂固溶體中發(fā)生了相互擴散，并引起了半導體費米能級的降低。除去堿腐蝕之外，王水也是除去 P 型氮化鎵面氧化層，改變表的好方法[25]。此外，對鎳金電極在 P 型氮化鎵表面形成歐姆鎳金鎵氧混合物的形成[26]，銀氮化鎵接觸層之間增加 ITO[2、鉻、鎳金[30]做電極等都有相關(guān)通過退火得到歐姆接觸的姆接觸研究現(xiàn)狀化鎵上制作鈦鉑金電極[31]，研究鈦鉑不同厚度與歐姆接觸比厚度一定時，鈦厚度為 30 納米左右時，比接觸電阻率最低

a） (b圖 1.3 金屬電極不同溫度皺縮圖[31]的前處理和退火，GaAs 的表面費米能級也P 型 GaAs 材料在不同退火條件下，表征費米金[33,34]外，金鋅，金鍺鎳[35]均可以在 GaAs

【參考文獻】：
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本文編號：2975605