雖然國(guó)內(nèi)的紅光半導(dǎo)體激光器早已實(shí)現(xiàn)商品化,但研制的紅光激光器波長(zhǎng)多集中在大于655 nm的紅光波段,主要面向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、娛樂(lè)指示、生物醫(yī)學(xué)等應(yīng)用領(lǐng)域。近年來(lái)隨著激光顯示技術(shù)的快速發(fā)展,短波長(zhǎng)紅光激光器芯片的需求日益增多。張應(yīng)變GaInP量子阱結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)短波長(zhǎng)紅光的關(guān)鍵,而國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域的研究報(bào)道很少,因此有關(guān)張應(yīng)變GaInP量子阱激光器的研究愈發(fā)重要。本論文首先理論分析了不同應(yīng)變GaInP的材料特性,在此基礎(chǔ)上模擬計(jì)算了GaInP組分和應(yīng)變、量子阱厚度、量子壘厚度、上波導(dǎo)層厚度、P型限制層厚度及摻雜濃度等重要參數(shù)對(duì)激光器性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明且當(dāng)量子阱組分為Ga0.575In0.425P,厚度為9 nm,量子壘組分為（Al0.59Ga0.41）0.52In0.48,厚度為9nm,波導(dǎo)層組分為（Al0.59Ga0.41）0.52In0.48P,厚度為120nm,P型限制層組分為Al0.51In0.49P,厚度為1000nm時(shí),相同器件結(jié)構(gòu)下激光器的閾值電流最小,斜率效率最高,激射波長(zhǎng)符合激光顯示要求的642 nm波長(zhǎng)要求。由于P型AlInP限制層的摻雜濃度對(duì)器件特性影響較大,實(shí)驗(yàn)中研究了不... 

【文章來(lái)源】：西安理工大學(xué)陜西省

【文章頁(yè)數(shù)】：61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

CD光盤(pán)與DVD光盤(pán)凹坑比較

圖 1-2 激光器在醫(yī)療上的應(yīng)用Fig.1-2 Laser applications in medicine激光器在軍事中可用于激光瞄準(zhǔn)具。激光瞄準(zhǔn)具是手槍種必備裝置，主要用來(lái)解決光線微弱情況下不能精準(zhǔn)聚瞄準(zhǔn)具主要分為兩類(lèi)。一類(lèi)是 GaAs 紅外激光器瞄準(zhǔn)具到在目標(biāo)上的激光光斑，可以有效的解決夜間士兵的瞄體激光器為基礎(chǔ)。在此之前激光瞄準(zhǔn)具一直是利用 He 紅光半導(dǎo)體激光器已經(jīng)崛起，加之與 He-Ne 激光器相比高、體積小、成本低等優(yōu)點(diǎn)，已成為 He-Ne 激光器強(qiáng)有導(dǎo)體激光器已經(jīng)廣泛應(yīng)用到槍類(lèi)軍事武器上。美國(guó)激準(zhǔn)具，該型號(hào)的激光瞄準(zhǔn)具長(zhǎng) 11.4 cm，重僅有 99 g，為 2.5 mm 的光斑，如果配專(zhuān)用的反射靶，即使在較強(qiáng)色光斑，該瞄準(zhǔn)具可裝在手槍上。此外如果能量足夠大【8】

GaInP 紅光半導(dǎo)體激光器已經(jīng)廣泛應(yīng)用到槍類(lèi)軍事武器上。美國(guó)激光裝置公司已A-4 型激光瞄準(zhǔn)具，該型號(hào)的激光瞄準(zhǔn)具長(zhǎng) 11.4 cm，重僅有 99 g，發(fā)射紅色激光 處形成直徑為 2.5 mm 的光斑，如果配專(zhuān)用的反射靶，即使在較強(qiáng)光線情況下仍00 m 遠(yuǎn)處紅色光斑，該瞄準(zhǔn)具可裝在手槍上。此外如果能量足夠大，GaInP 紅光可以作為致盲武器【8】。圖 1-3 為激光器在軍事上的應(yīng)用。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號(hào)：2974900