張應變GaInP量子阱激光器外延材料特性分析
發(fā)布時間：2021-01-13 12:49
雖然國內的紅光半導體激光器早已實現(xiàn)商品化,但研制的紅光激光器波長多集中在大于655 nm的紅光波段,主要面向數(shù)據(jù)存儲、娛樂指示、生物醫(yī)學等應用領域。近年來隨著激光顯示技術的快速發(fā)展,短波長紅光激光器芯片的需求日益增多。張應變GaInP量子阱結構是實現(xiàn)短波長紅光的關鍵,而國內在此領域的研究報道很少,因此有關張應變GaInP量子阱激光器的研究愈發(fā)重要。本論文首先理論分析了不同應變GaInP的材料特性,在此基礎上模擬計算了GaInP組分和應變、量子阱厚度、量子壘厚度、上波導層厚度、P型限制層厚度及摻雜濃度等重要參數(shù)對激光器性能的影響規(guī)律。結果表明且當量子阱組分為Ga0.575In0.425P,厚度為9 nm,量子壘組分為（Al0.59Ga0.41）0.52In0.48,厚度為9nm,波導層組分為（Al0.59Ga0.41）0.52In0.48P,厚度為120nm,P型限制層組分為Al0.51In0.49P,厚度為1000nm時,相同器件結構下激光器的閾值電流最小,斜率效率最高,激射波長符合激光顯示要求的642 nm波長要求。由于P型AlInP限制層的摻雜濃度對器件特性影響較大,實驗中研究了不...
【文章來源】：西安理工大學陜西省
【文章頁數(shù)】：61 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
CD光盤與DVD光盤凹坑比較
圖 1-2 激光器在醫(yī)療上的應用Fig.1-2 Laser applications in medicine激光器在軍事中可用于激光瞄準具。激光瞄準具是手槍種必備裝置，主要用來解決光線微弱情況下不能精準聚瞄準具主要分為兩類。一類是 GaAs 紅外激光器瞄準具到在目標上的激光光斑，可以有效的解決夜間士兵的瞄體激光器為基礎。在此之前激光瞄準具一直是利用 He 紅光半導體激光器已經崛起，加之與 He-Ne 激光器相比高、體積小、成本低等優(yōu)點，已成為 He-Ne 激光器強有導體激光器已經廣泛應用到槍類軍事武器上。美國激準具，該型號的激光瞄準具長 11.4 cm，重僅有 99 g，為 2.5 mm 的光斑，如果配專用的反射靶，即使在較強色光斑，該瞄準具可裝在手槍上。此外如果能量足夠大【8】
GaInP 紅光半導體激光器已經廣泛應用到槍類軍事武器上。美國激光裝置公司已A-4 型激光瞄準具，該型號的激光瞄準具長 11.4 cm，重僅有 99 g，發(fā)射紅色激光 處形成直徑為 2.5 mm 的光斑，如果配專用的反射靶，即使在較強光線情況下仍00 m 遠處紅色光斑，該瞄準具可裝在手槍上。此外如果能量足夠大，GaInP 紅光可以作為致盲武器【8】。圖 1-3 為激光器在軍事上的應用。
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Te摻雜對GaInP外延層材料特性的影響[J]. 林志偉. 固體電子學研究與進展. 2017(01)
[2]無雜質空位誘導量子阱混雜研究及應用現(xiàn)狀[J]. 林濤,孫航,張浩卿,林楠,馬驍宇,王勇剛. 激光與光電子學進展. 2015(03)
[3]基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP無雜質空位擴散誘導量子阱混雜的研究（英文）[J]. 林濤,張浩卿,孫航,王勇剛,林楠,馬驍宇. 激光與光電子學進展. 2015(02)
[4]大功率半導體激光器研究進展[J]. 王立軍,寧永強,秦莉,佟存柱,陳泳屹. 發(fā)光學報. 2015(01)
[5]基于無雜質空位混雜法制備帶有無吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半導體激光器研究[J]. 周路,薄報學,王云華,賈寶山,白端元,喬忠良,高欣. 中國激光. 2012(08)
[6]InGaP/InGaAlP量子阱激光器輸出特性的研究[J]. 艾德臻,郭有瑞. 甘肅科技. 2010(08)
[7]Mg摻雜AlInP限制層窗口結構高功率（3.7W）660nm AlGaInP寬面半導體激光器[J]. 馬德營,李佩旭,夏偉,李樹強,湯慶敏,張新,任忠祥,徐現(xiàn)剛. 人工晶體學報. 2009(03)
[8]259W準連續(xù)無鋁808nm激光二極管線列陣（英文）[J]. 劉素平,仲莉,張海燕,王翠鸞,馮小明,馬驍宇. 半導體學報. 2008(12)
[9]低強度半導體激光照射對豚鼠鼓膜穿孔愈合的作用[J]. 沈妍,方才鳳,黃永旺,李志明,薛志孝,李迎新. 中國激光醫(yī)學雜志. 2008(06)
[10]半導體激光穴位照射治療顳下頜關節(jié)紊亂綜合征37例臨床療效觀察[J]. 林瓊,宋維芳,張進. 中國激光醫(yī)學雜志. 2008(04)
博士論文
[1]高功率半導體激光器結構研究[D]. 張金勝.中國科學院研究生院(長春光學精密機械與物理研究所) 2014
本文編號：2974900
【文章來源】：西安理工大學陜西省
【文章頁數(shù)】：61 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
CD光盤與DVD光盤凹坑比較
圖 1-2 激光器在醫(yī)療上的應用Fig.1-2 Laser applications in medicine激光器在軍事中可用于激光瞄準具。激光瞄準具是手槍種必備裝置，主要用來解決光線微弱情況下不能精準聚瞄準具主要分為兩類。一類是 GaAs 紅外激光器瞄準具到在目標上的激光光斑，可以有效的解決夜間士兵的瞄體激光器為基礎。在此之前激光瞄準具一直是利用 He 紅光半導體激光器已經崛起，加之與 He-Ne 激光器相比高、體積小、成本低等優(yōu)點，已成為 He-Ne 激光器強有導體激光器已經廣泛應用到槍類軍事武器上。美國激準具，該型號的激光瞄準具長 11.4 cm，重僅有 99 g，為 2.5 mm 的光斑，如果配專用的反射靶，即使在較強色光斑，該瞄準具可裝在手槍上。此外如果能量足夠大【8】
GaInP 紅光半導體激光器已經廣泛應用到槍類軍事武器上。美國激光裝置公司已A-4 型激光瞄準具，該型號的激光瞄準具長 11.4 cm，重僅有 99 g，發(fā)射紅色激光 處形成直徑為 2.5 mm 的光斑，如果配專用的反射靶，即使在較強光線情況下仍00 m 遠處紅色光斑，該瞄準具可裝在手槍上。此外如果能量足夠大，GaInP 紅光可以作為致盲武器【8】。圖 1-3 為激光器在軍事上的應用。
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Te摻雜對GaInP外延層材料特性的影響[J]. 林志偉. 固體電子學研究與進展. 2017(01)
[2]無雜質空位誘導量子阱混雜研究及應用現(xiàn)狀[J]. 林濤,孫航,張浩卿,林楠,馬驍宇,王勇剛. 激光與光電子學進展. 2015(03)
[3]基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP無雜質空位擴散誘導量子阱混雜的研究（英文）[J]. 林濤,張浩卿,孫航,王勇剛,林楠,馬驍宇. 激光與光電子學進展. 2015(02)
[4]大功率半導體激光器研究進展[J]. 王立軍,寧永強,秦莉,佟存柱,陳泳屹. 發(fā)光學報. 2015(01)
[5]基于無雜質空位混雜法制備帶有無吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半導體激光器研究[J]. 周路,薄報學,王云華,賈寶山,白端元,喬忠良,高欣. 中國激光. 2012(08)
[6]InGaP/InGaAlP量子阱激光器輸出特性的研究[J]. 艾德臻,郭有瑞. 甘肅科技. 2010(08)
[7]Mg摻雜AlInP限制層窗口結構高功率（3.7W）660nm AlGaInP寬面半導體激光器[J]. 馬德營,李佩旭,夏偉,李樹強,湯慶敏,張新,任忠祥,徐現(xiàn)剛. 人工晶體學報. 2009(03)
[8]259W準連續(xù)無鋁808nm激光二極管線列陣（英文）[J]. 劉素平,仲莉,張海燕,王翠鸞,馮小明,馬驍宇. 半導體學報. 2008(12)
[9]低強度半導體激光照射對豚鼠鼓膜穿孔愈合的作用[J]. 沈妍,方才鳳,黃永旺,李志明,薛志孝,李迎新. 中國激光醫(yī)學雜志. 2008(06)
[10]半導體激光穴位照射治療顳下頜關節(jié)紊亂綜合征37例臨床療效觀察[J]. 林瓊,宋維芳,張進. 中國激光醫(yī)學雜志. 2008(04)
博士論文
[1]高功率半導體激光器結構研究[D]. 張金勝.中國科學院研究生院(長春光學精密機械與物理研究所) 2014
本文編號：2974900
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