體硅鰭形場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）是晶體管尺寸縮小到30 nm以下應(yīng)用最多的結(jié)構(gòu),其單粒子瞬態(tài)產(chǎn)生機(jī)理值得關(guān)注.利用脈沖激光單粒子效應(yīng)模擬平臺(tái)開(kāi)展了柵長(zhǎng)為30, 40, 60, 100 nm Fin FET器件的單粒子瞬態(tài)實(shí)驗(yàn),研究FinFET器件單粒子瞬態(tài)電流脈沖波形隨柵長(zhǎng)變化情況;利用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（technology computer-aided design, TCAD）軟件仿真比較電流脈沖產(chǎn)生過(guò)程中器件內(nèi)部電子濃度和電勢(shì)變化,研究漏電流脈沖波形產(chǎn)生的物理機(jī)理.研究表明,不同柵長(zhǎng)Fin FET器件瞬態(tài)電流脈沖尾部都存在明顯的平臺(tái)區(qū),且平臺(tái)區(qū)電流值隨著柵長(zhǎng)變短而增大;入射激光在器件溝道區(qū)下方體區(qū)產(chǎn)生高濃度電子將源漏導(dǎo)通產(chǎn)生導(dǎo)通電流,而源漏導(dǎo)通升高了體區(qū)電勢(shì),抑制體區(qū)高濃度電子擴(kuò)散,使得導(dǎo)通狀態(tài)維持時(shí)間長(zhǎng),形成平臺(tái)區(qū)電流;尾部平臺(tái)區(qū)由于持續(xù)時(shí)間長(zhǎng),收集電荷量大,會(huì)嚴(yán)重影響器件工作狀態(tài)和性能.研究結(jié)論為納米Fin FET器件抗輻射加固提供理論支撐. 

【文章來(lái)源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(08)北大核心

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]脈沖激光模擬單粒子效應(yīng)的等效LET計(jì)算[J]. 黃建國(guó),韓建偉.  中國(guó)科學(xué)G輯:物理學(xué)、力學(xué)、天文學(xué). 2004(06)



本文編號(hào)：2974054