通過理論模擬CMOS工藝兼容的Si Ge/Si單光子雪崩二極管,研究并討論了摻雜條件對于電場分布、頻寬特性、以及器件量子效率的影響。設(shè)計出具有淺結(jié)結(jié)構(gòu)、可在蓋革模式下工作、低擊穿電壓（30 V）的1.06μm單光子技術(shù)雪崩光電二極管。器件采用分離吸收倍增區(qū)結(jié)構(gòu),其中Si材料作為倍增區(qū)、Si Ge材料作為吸收區(qū),這充分利用了硅材料較高的載流子離化比差異,降低了器件噪聲;在1.06μm波長下,Si Ge探測器的量子效率為4.2%,相比于Si探測器的效率提高了4倍。仿真表明優(yōu)化摻雜條件可以優(yōu)化電場分布,從而在APD擊穿電壓處獲得更好的帶寬特性。 

【文章來源】：紅外與激光工程. 2016,45(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 器件結(jié)構(gòu)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：2968038