通過理論模擬CMOS工藝兼容的Si Ge/Si單光子雪崩二極管,研究并討論了摻雜條件對于電場分布、頻寬特性、以及器件量子效率的影響。設(shè)計(jì)出具有淺結(jié)結(jié)構(gòu)、可在蓋革模式下工作、低擊穿電壓（30 V）的1.06μm單光子技術(shù)雪崩光電二極管。器件采用分離吸收倍增區(qū)結(jié)構(gòu),其中Si材料作為倍增區(qū)、Si Ge材料作為吸收區(qū),這充分利用了硅材料較高的載流子離化比差異,降低了器件噪聲;在1.06μm波長下,Si Ge探測器的量子效率為4.2%,相比于Si探測器的效率提高了4倍。仿真表明優(yōu)化摻雜條件可以優(yōu)化電場分布,從而在APD擊穿電壓處獲得更好的帶寬特性。 

【文章來源】：紅外與激光工程. 2016,45(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 器件結(jié)構(gòu)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Photoelectric properties of p-β-FeSi2/n-4H-SiC heteroj unction near-infrared photodiode[J]. 鄭春蕾,蒲紅斌,李虹,陳治明.  Journal of Semiconductors. 2015(05)
[2]An analysis of the dynamic avalanche mechanism of an improved FCE diode with a deep p+ adjusting region[J]. 王彩琳,張磊.  Journal of Semiconductors. 2015(04)
[3]Influence of temperature on tunneling-enhanced recombination in Si based p–i–n photodiodes[J]. P.Dalapati,N.B.Manik,A.N.Basu.  Journal of Semiconductors. 2014(08)
[4]A high-speed avalanche photodiode[J]. 李彬,楊曉紅,尹偉紅,呂倩倩,崔榮,韓勤.  Journal of Semiconductors. 2014(07)
[5]Active quenching circuit for a InGaAs single-photon avalanche diode[J]. 鄭麗霞,吳金,時(shí)龍興,奚水清,劉斯揚(yáng),孫偉鋒.  Journal of Semiconductors. 2014(04)



本文編號：2968038