隨著科學(xué)進(jìn)步與社會發(fā)展,以音頻功放為首的低頻功率放大器得到了越來越多的關(guān)注。如今的消費類功放領(lǐng)域,低成本、小體積、大功率和高品質(zhì)成為了主要的發(fā)展方向,尤其是在家用功放中普遍使用AB類功率放大器,因為其效率低且發(fā)熱量很高,并且體積龐大,所以優(yōu)化偏置的B類功率放大器是一個比較折中的方案,其具有較高的效率,更低的失真和更大的電磁干擾寬容度。因此,根據(jù)市場發(fā)展方向和應(yīng)用場合要求,設(shè)計一種具有更高的輸出功率、更低的失真、更小的體積和更低廉的價格的新型B類功率放大器,具有非常實際的意義。本文在對比分析了常用功率放大器結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點的基礎(chǔ)上,結(jié)合傳統(tǒng)三級式B類功功率放大器結(jié)構(gòu),設(shè)計完成了一款使用碳化硅MOSFET作為功率輸出管的優(yōu)化偏置的新型B類功率放大器,其具有輸出功率高、效率高、失真低等特點�；谔蓟鐼OSFET的電學(xué)特性與B類功率輸出級的結(jié)構(gòu)選擇,具體分析了功率輸出級在應(yīng)用碳化硅MOSFET后的具體結(jié)構(gòu)與工作原理,并完成了使用碳化硅MOSFET的改良型Baxandall準(zhǔn)互補輸出電路�；诰�性功率放大器效率低而引起發(fā)熱高的特點,設(shè)計了一種用于提高線性功率放大器工作效率的輔助電路,包括輸出電流檢測... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

C2M008120D器件的電學(xué)特性測試電路

第三章碳化硅低頻線性功率放大器的電路設(shè)計19圖3-1C2M008120D器件的電學(xué)特性測試電路(a)(b)(c)圖3-2碳化硅MOSFET的電學(xué)特性。(a)C2M008120D的輸出特性曲線；(b)C2M008120D的輸入特性曲線；(c)C2M008120D的開態(tài)溝道電阻曲線

本文應(yīng)用于半橋LLC

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：2963227