半導體量子點具有能級分立、尺寸可調(diào)等很多優(yōu)異特性,在LED、高效太陽能電池、生物熒光探針以及傳感器等領域都有廣泛應用,其光電特性一直是國際上的研究熱點。然而,在實際應用中,量子點器件難免會遇到強電/磁場、高/低溫、高壓等外界環(huán)境條件,進而對其性能產(chǎn)生影響。因此,研究外界環(huán)境條件對量子點熒光特性的影響具有重要的實際應用價值。目前存在的問題是,關于外界環(huán)境條件對半導體量子點熒光特性影響規(guī)律的研究尚需進一步完善。比如,電化學環(huán)境下的表面電子注入/離子吸附對熒光特性的影響機制、高溫條件下的熒光淬滅機制、高壓條件下量子點之間的相互作用、高光子能量激發(fā)條件對熒光量子效率的影響機制等。本文以CdSe/ZnS核/殼結(jié)構量子點作為研究對象,通過對其吸收光譜、穩(wěn)態(tài)熒光譜、時間分辨熒光光譜的分析,研究了不同環(huán)境條件對量子點熒光特性的影響規(guī)律。研究了電化學環(huán)境對CdSe/ZnS量子點熒光特性的影響規(guī)律。對穩(wěn)態(tài)熒光光譜和時間分辨熒光光譜進行了同步分析,發(fā)現(xiàn)量子點本征態(tài)發(fā)光和表面態(tài)發(fā)光在不同的電極電位下呈現(xiàn)不同的變化規(guī)律:前者隨負電極電位的升高出現(xiàn)紅移,后者則隨著負電極電位的升高而逐漸呈現(xiàn)藍移。研究表明,紅移是由... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：119 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

半導體量子點的能級分立特性及尺寸效應[11]

特性的影響機制，研究單一外界條件變化情況下量子點的熒的方法，有助于研究常規(guī)條件下不易觀測或不易區(qū)分的物理力學作用機制。以 CdSe/ZnS 量子點為研究對象，系統(tǒng)地研究了電化學、高低光子能量等外界環(huán)境條件對量子點熒光特性的影響。通過分境條件下的變化規(guī)律，有助于深入探究各種激子動力學過程制，為開發(fā)更高性能的量子點器件提供新思路。點的熒光特性及光譜探測方法點的熒光特性，也稱為光致發(fā)光（Photoluminescence, PL），是物質(zhì)在受光程。對半導體量子點來說，熒光是第一激子態(tài)（帶邊）激子的射熒光的過程如圖 1-3 所示。

第 1 章 緒 論響量子點熒光特性的激子動力學過程發(fā)射熒光，激子也會參與一些非輻射弛豫過程，減小參與輻射居數(shù)，導致熒光壽命、熒光波長、熒光效率等發(fā)生變化。接下影響熒光特性的非輻射弛豫過程。表面俘獲/電荷轉(zhuǎn)移在復合前拆分是影響熒光效率的主要因素之一，激子拆分可能俘獲[31]和電荷轉(zhuǎn)移[32]。兩者都會導致參與輻射復合的粒子數(shù)減效率，激子拆分示意圖如圖 1-4 所示。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]高壓技術在熱電材料研究中的應用[J]. 徐波,蔡博文.  西華大學學報(自然科學版). 2018(04)

博士論文
[1]β-胡蘿卜素的高壓穩(wěn)態(tài)和超快光譜研究[D]. 劉偉龍.哈爾濱工業(yè)大學 2009

碩士論文
[1]高壓下InP電輸運性質(zhì)的研究[D]. 趙晨.延邊大學 2018
[2]ITO薄膜在溶液中電化學行為研究[D]. 王浩.復旦大學 2009



本文編號：2959681