隨著軍用電子整機(jī)設(shè)備的升級換代和高、精、尖武器裝備研發(fā)的需要,對軍用電子元器件的技術(shù)指標(biāo)、可靠性和貯存性提出了更高的要求。此時(shí),全鉭電容器就凸顯了其優(yōu)點(diǎn)。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、電性能可靠性、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝、質(zhì)量控制等方面采用最理想的設(shè)計(jì),是鉭電解電容器中設(shè)計(jì)理念最完美的構(gòu)思。它不僅保持了非固體電解質(zhì)鉭電解電容器的優(yōu)點(diǎn),并且由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、外殼和絕緣子材料的改變,及激光焊接技術(shù)的采用,使得產(chǎn)品的密封性和可靠性得到了大幅的提升。更為重要的是,全鉭電容器具有較高的耐反向電壓和承受較大紋波電流等其它非固體電解質(zhì)鉭電容器不可取代的強(qiáng)大優(yōu)勢,被國外可靠性專家稱為“永不失效的產(chǎn)品”。因此,不斷提高其穩(wěn)定性和可靠性,對于非固體電解質(zhì)全鉭電容器的發(fā)展來說是至關(guān)重要的。本文在燒結(jié)理論、介質(zhì)氧化膜形成理論、陰極容量理論、電解質(zhì)的電導(dǎo)理論的指導(dǎo)下,著重對非固體電解質(zhì)全鉭電容器的陰極制造技術(shù)進(jìn)行研究,對影響介質(zhì)氧化膜質(zhì)量的相關(guān)工藝參數(shù)進(jìn)行了深入分析,在原有技術(shù)及工藝基礎(chǔ)上優(yōu)化其陰極生產(chǎn)工藝和工藝參數(shù),從陰極筒鉭粉的選擇及粘合劑的配置、陰極筒壓制密度、燒結(jié)溫度工藝、陰極筒形成液的選擇、形成電流的確定等方面進(jìn)行技術(shù)攻... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

全擔(dān)電容器外形結(jié)構(gòu)圖

上墊片在滾槽加工后對鉭芯子定位，并起到電容器的第一次密封，采用激光焊??接和等離子焊接技術(shù)完成全鉭電容器的最終密封，最后采用鍍錫鎳絲對焊做為引出??線。全鉭電容器外結(jié)構(gòu)圖見圖２．１，內(nèi)ｇ結(jié)構(gòu)圖見圖２．２。?＿??—??圖２．１全鉭電容器外形結(jié)構(gòu)圖??工駐■片ＩＩ外殼?電解質(zhì)擔(dān)陰極筒？燒結(jié)卩日極塊??＾?＿＼?＼?ｒｖ￣＾??＼?一??＼聚四氟乙烯塞柱??圖２．２全鉭電容器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖??從圖２．２可看出全鉭電容器大致是由鉭外殼、陰極筒、陽極鉭芯子、固定墊圈、??聚四氟乙烯墊片、聚四氟乙烯塞柱、全鉭絕緣子等組成的。用電容器級鉭粉壓制電容??器的陽極鉭芯，通過鉭絲引出作為電容器的正極；用高比容鉭粉在鉭外殼內(nèi)壓制空心??圓柱狀的陰極筒，鉭外殼和陰極筒經(jīng)燒結(jié)后形成一個(gè)緊密整體，并用特殊工藝在陰極??筒內(nèi)表面形成一定厚度的Ｔａ２０５介質(zhì)氧化膜，作為電容器的陰極；將陽極鉭芯裝入全??鉭外殼內(nèi)并采用壓緊滾槽的方法將電容器的縱向固定，最后用全鉭絕緣子進(jìn)行密封。??６??

第二章全鉭電容器的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)及工藝流程??）電容量大，低漏電、穩(wěn)定性更好，損耗角正切值�。�??）能夠承受３Ｖ的反向電壓；??能耐大紋波電流（４１５ｍＡ？２３６０?ｍＡ）；??能夠承受嚴(yán)酷的機(jī)械應(yīng)力：高頻加速度達(dá)８００ｍ／ｓ２，沖擊（規(guī)定脈沖）達(dá)５００ｇ，??動：加速度譜密度為１５０?（ｍ／ｓ２）?２／Ｈｚ，總均方根加速度５３７．９?ｍ／ｓ２；銀外殼封裝??鉭高頻加速為２０ｇ，沖擊（規(guī)定脈沖）為１００ｇ，不考核隨機(jī)振動。??密封性能方面，銀外殼封裝非固體鉭采用錫焊方式進(jìn)行密封，而全鉭電容器??光焊接方式進(jìn)行封焊，所以密封性更好。??長壽命后電性能更為穩(wěn)定。??．?２．?３特性曲線??．２．３．１電容量與溫度的關(guān)系??電容器電容量隨溫度變化曲線見圖２．３。??ＡＣ（％）??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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