低相噪薄膜體聲波諧振器的振蕩器的研究與設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021-01-01 16:25
通信技術(shù),在人類發(fā)展中有很悠遠(yuǎn)的歷史。古代有烽火、信鴿和驛馬等通信方式。到十九世紀(jì)中葉,有電話、電報(bào)的發(fā)明。再到現(xiàn)代滿目琳瑯的通信設(shè)備。人們?cè)絹碓诫x不開通信。而且,通信技術(shù)的要求越來越高。通信系統(tǒng)要求更小面積、更快速度和更低功耗。薄膜體聲波諧振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR諧振器)是目前一種很熱門的研究,在未來的市場(chǎng)上有著可預(yù)想的良好發(fā)展前景。這種諧振器有很多優(yōu)點(diǎn),例如,尺寸小,品質(zhì)因數(shù)高(可達(dá)1000以上),插入損耗小,諧振頻率高以及功率容量也比SAW諧振器大。最重要的是薄膜體聲波諧振器,其制備工藝與CMOS工藝相兼容。故而,在通信系統(tǒng),尤其是射頻前端中的應(yīng)用越來越重要。本文研究了以薄膜體聲波諧振器為基礎(chǔ)的低相位噪聲振蕩器。本文主要對(duì)振蕩器關(guān)鍵性能參數(shù)相位噪聲以及核心元件薄膜體聲波諧振器進(jìn)行了研究。在討論了振蕩器的理論和模型后,對(duì)薄膜體聲波諧振器的一些理論進(jìn)行了研究,并簡(jiǎn)單介紹了壓電理論和聲波理論等。為了明確基于體聲波諧振器的振蕩器工作原理及特點(diǎn),本文先探討了FBAR諧振器的工作原理以及重要參數(shù),對(duì)其建模,分別建立了Mason模型、BVD模型以...
【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:81 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
AVAGO公司產(chǎn)品
表 1-1 三種濾波器的比較介質(zhì)濾波器 SAW 率 1MHz-10GHz 10MHz-3GHz 50損 1-2dB 2.5-4dB 容量 >>1W <1W Q 300-700 200-400 系數(shù) -10~+10ppm/℃ -35~-95ppm/℃ -2電能力 優(yōu)秀 一般 寸 大 小 藝 成熟 成熟 成性 不能 不能 十幾年的研究與發(fā)展,脫身于安捷倫公司的安華高(AVAGO)品已經(jīng)可以成功包含大部分手機(jī)的通信頻段,每年產(chǎn)貨量超過近 2/3 的市場(chǎng)份額。Triquint 公司市場(chǎng)占有率超過 20%,后來和了第二巨頭 Qorvo 公司。另外還有一些半導(dǎo)體公司也進(jìn)行 FA制出自己的產(chǎn)品,但市場(chǎng)總體份額占有率低于 5%。
表 1-2 幾種 FBAR 振蕩器的性能參數(shù)參考文獻(xiàn) 工作頻率(GHz)相噪@10KHz(dBc/Hz)功耗(mW)F[26] 2.1 -94 24.3 -[27] 2.1 -95 0.6 -[28] 1.7 -97 1.5 -[29] 5.5 -93 4.6 -[30] 1.9 -98 0.089 -[31] 1.9 -100 0.3 -[32] 2.2 -85 6 -階段,一般通過兩種方法制備 FBAR 振蕩器,第一,SIP 結(jié)構(gòu)[33],即與電路通過引線連接構(gòu)成;第二,SOC 結(jié)構(gòu)[34],以 CMOS 工藝制備一起。第一種方法比較常見,因?yàn)?SIP 結(jié)構(gòu)振蕩器實(shí)現(xiàn)工藝簡(jiǎn)單,固性不強(qiáng)和不易封裝的缺點(diǎn)。SOC 結(jié)構(gòu)振蕩器的技術(shù)還不是特別成采用這種方法,但因?yàn)檫@種方式可以很好的集成,所以也是目前著。圖 1-4 所示為兩種結(jié)構(gòu)的振蕩器。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]品質(zhì)因數(shù)對(duì)薄膜體聲波諧振器振蕩器頻率穩(wěn)定度的影響[J]. 尹汐漾,袁明權(quán),韓賓,呂軍光,王宇航. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(05)
[2]一種低相噪壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 張振宇,索瑞隆,楊愛軍,趙凡. 無線電工程. 2017(02)
[3]干法刻蝕條件對(duì)Mo側(cè)壁角度的影響[J]. 田本朗,徐陽,曹家強(qiáng),杜波,馬晉毅,米佳,冷俊林. 壓電與聲光. 2016(02)
[4]微聲薄膜耦合諧振濾波器有限元建模與仿真[J]. 杜波,馬晉毅,江洪敏,楊靖,徐陽. 壓電與聲光. 2012(05)
[5]2.8 GHz薄膜體聲波諧振器的研究[J]. 江洪敏,馬晉毅,湯勁松,周勇,毛世平,于新曉,劉積學(xué). 壓電與聲光. 2010(01)
[6]電極形狀對(duì)FBAR橫模特性的影響[J]. 吳碧艷. 傳感技術(shù)學(xué)報(bào). 2006(05)
[7]微電子機(jī)械系統(tǒng)中的殘余應(yīng)力問題[J]. 錢勁,劉澂,張大成,趙亞溥. 機(jī)械強(qiáng)度. 2001(04)
博士論文
[1]體聲波諧振器空腔結(jié)構(gòu)研究[D]. 焦向全.電子科技大學(xué) 2015
[2]基于薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)的無線傳感集成系統(tǒng)研究[D]. 程維維.浙江大學(xué) 2015
[3]FBAR微質(zhì)量傳感器若干關(guān)鍵問題的研究[D]. 李侃.浙江大學(xué) 2011
[4]薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)的若干問題研究[D]. 金浩.浙江大學(xué) 2006
碩士論文
[1]SMR-FBAR布拉格反射柵復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)的制備及器件熱性能研究[D]. 賈振宇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[2]SMR-FBAR壓電堆用Mo及AlN薄膜材料的研究[D]. 王建東.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[3]FBAR溫度傳感器研究[D]. 劉世潔.浙江大學(xué) 2012
[4]FBAR及其振蕩器的研究[D]. 吳夢(mèng)軍.浙江大學(xué) 2012
[5]溫度補(bǔ)償?shù)膲弘姳∧んw聲波濾波器[D]. 胡念楚.天津大學(xué) 2011
[6]AIN薄膜中頻濺射制備及體聲波諧振器研制[D]. 汪振中.電子科技大學(xué) 2011
[7]5GHz硅雙極晶體管的研制[D]. 霍曉華.西安電子科技大學(xué) 2009
[8]薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)分析與仿真[D]. 吳勇.電子科技大學(xué) 2007
[9]FBAR雙工器的分析和設(shè)計(jì)[D]. 俞科挺.浙江大學(xué) 2006
[10]用于FBAR技術(shù)的AIN薄膜的研究[D]. 石哲.浙江大學(xué) 2006
本文編號(hào):2951615
【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:81 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
AVAGO公司產(chǎn)品
表 1-1 三種濾波器的比較介質(zhì)濾波器 SAW 率 1MHz-10GHz 10MHz-3GHz 50損 1-2dB 2.5-4dB 容量 >>1W <1W Q 300-700 200-400 系數(shù) -10~+10ppm/℃ -35~-95ppm/℃ -2電能力 優(yōu)秀 一般 寸 大 小 藝 成熟 成熟 成性 不能 不能 十幾年的研究與發(fā)展,脫身于安捷倫公司的安華高(AVAGO)品已經(jīng)可以成功包含大部分手機(jī)的通信頻段,每年產(chǎn)貨量超過近 2/3 的市場(chǎng)份額。Triquint 公司市場(chǎng)占有率超過 20%,后來和了第二巨頭 Qorvo 公司。另外還有一些半導(dǎo)體公司也進(jìn)行 FA制出自己的產(chǎn)品,但市場(chǎng)總體份額占有率低于 5%。
表 1-2 幾種 FBAR 振蕩器的性能參數(shù)參考文獻(xiàn) 工作頻率(GHz)相噪@10KHz(dBc/Hz)功耗(mW)F[26] 2.1 -94 24.3 -[27] 2.1 -95 0.6 -[28] 1.7 -97 1.5 -[29] 5.5 -93 4.6 -[30] 1.9 -98 0.089 -[31] 1.9 -100 0.3 -[32] 2.2 -85 6 -階段,一般通過兩種方法制備 FBAR 振蕩器,第一,SIP 結(jié)構(gòu)[33],即與電路通過引線連接構(gòu)成;第二,SOC 結(jié)構(gòu)[34],以 CMOS 工藝制備一起。第一種方法比較常見,因?yàn)?SIP 結(jié)構(gòu)振蕩器實(shí)現(xiàn)工藝簡(jiǎn)單,固性不強(qiáng)和不易封裝的缺點(diǎn)。SOC 結(jié)構(gòu)振蕩器的技術(shù)還不是特別成采用這種方法,但因?yàn)檫@種方式可以很好的集成,所以也是目前著。圖 1-4 所示為兩種結(jié)構(gòu)的振蕩器。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]品質(zhì)因數(shù)對(duì)薄膜體聲波諧振器振蕩器頻率穩(wěn)定度的影響[J]. 尹汐漾,袁明權(quán),韓賓,呂軍光,王宇航. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(05)
[2]一種低相噪壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 張振宇,索瑞隆,楊愛軍,趙凡. 無線電工程. 2017(02)
[3]干法刻蝕條件對(duì)Mo側(cè)壁角度的影響[J]. 田本朗,徐陽,曹家強(qiáng),杜波,馬晉毅,米佳,冷俊林. 壓電與聲光. 2016(02)
[4]微聲薄膜耦合諧振濾波器有限元建模與仿真[J]. 杜波,馬晉毅,江洪敏,楊靖,徐陽. 壓電與聲光. 2012(05)
[5]2.8 GHz薄膜體聲波諧振器的研究[J]. 江洪敏,馬晉毅,湯勁松,周勇,毛世平,于新曉,劉積學(xué). 壓電與聲光. 2010(01)
[6]電極形狀對(duì)FBAR橫模特性的影響[J]. 吳碧艷. 傳感技術(shù)學(xué)報(bào). 2006(05)
[7]微電子機(jī)械系統(tǒng)中的殘余應(yīng)力問題[J]. 錢勁,劉澂,張大成,趙亞溥. 機(jī)械強(qiáng)度. 2001(04)
博士論文
[1]體聲波諧振器空腔結(jié)構(gòu)研究[D]. 焦向全.電子科技大學(xué) 2015
[2]基于薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)的無線傳感集成系統(tǒng)研究[D]. 程維維.浙江大學(xué) 2015
[3]FBAR微質(zhì)量傳感器若干關(guān)鍵問題的研究[D]. 李侃.浙江大學(xué) 2011
[4]薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術(shù)的若干問題研究[D]. 金浩.浙江大學(xué) 2006
碩士論文
[1]SMR-FBAR布拉格反射柵復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)的制備及器件熱性能研究[D]. 賈振宇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
[2]SMR-FBAR壓電堆用Mo及AlN薄膜材料的研究[D]. 王建東.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[3]FBAR溫度傳感器研究[D]. 劉世潔.浙江大學(xué) 2012
[4]FBAR及其振蕩器的研究[D]. 吳夢(mèng)軍.浙江大學(xué) 2012
[5]溫度補(bǔ)償?shù)膲弘姳∧んw聲波濾波器[D]. 胡念楚.天津大學(xué) 2011
[6]AIN薄膜中頻濺射制備及體聲波諧振器研制[D]. 汪振中.電子科技大學(xué) 2011
[7]5GHz硅雙極晶體管的研制[D]. 霍曉華.西安電子科技大學(xué) 2009
[8]薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)分析與仿真[D]. 吳勇.電子科技大學(xué) 2007
[9]FBAR雙工器的分析和設(shè)計(jì)[D]. 俞科挺.浙江大學(xué) 2006
[10]用于FBAR技術(shù)的AIN薄膜的研究[D]. 石哲.浙江大學(xué) 2006
本文編號(hào):2951615
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2951615.html
最近更新
教材專著