發(fā)布時間：2021-01-01 08:29

　　N面表面發(fā)射分布反饋（SE-DFB）半導(dǎo)體激光器以其良好的出光特性和應(yīng)用潛力得到了國際廣泛關(guān)注,隨著光柵制備技術(shù)的發(fā)展,SE-DFB半導(dǎo)體激光器輸出功率得到進一步提升。但受SE-DFB半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵制備工藝發(fā)展水平的限制,目前器件輸出功率和穩(wěn)定性尚不盡人意。針對上述問題,本論文主要圍繞976nm SE-DFB半導(dǎo)體激光器腔面膜與N面出光口制備工藝進行了研究,主要研究內(nèi)容和成果如下:（1）針對激光器出光口和前腔面,優(yōu)化設(shè)計了由Ta₂O₅和SiO₂組成的增透膜,使用電子束蒸發(fā)離子輔助沉積技術(shù)制備了該增透膜,測試表明其在976nm處透射率約99.87%,且具有良好的透射帶寬。此外,還探究了電子束蒸發(fā)中,離子輔助沉積和高溫輔助沉積對ZnSe鈍化膜特性的影響,明確了用于激光器的ZnSe鈍化膜制備工藝條件。（2）圍繞激光器后腔面,優(yōu)化設(shè)計了HfO₂/Ta₂O₅/SiO₂高反膜。在激光入射面,該高反膜設(shè)計有3對損傷閾值較高的HfO₂

【文章來源】：長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

表面激射光柵耦合DFBTJS（分布反饋橫向結(jié)條紋）激光二極管遠場輻射圖樣的示意

光柵耦合 DFB TJS（分布反饋橫向結(jié)條紋）激光二極管遠場圖體激光器具有良好的光束質(zhì)量，且單程光子增益大于此后，國際上掀起了研究 SE-DFB 半導(dǎo)體激光器的[5]報道了金屬/AlGaAs 光柵的面發(fā)射分布反饋半導(dǎo)率達到 25mW，而在脈沖工作條件下峰值功率超過了 SE-DFB 半導(dǎo)體激光器陣列，30 個單元的 SE-DF 6.8W，27 個單元的 SE-DFB 半導(dǎo)體激光器陣列連對大功率、高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光器需求的日趨強-DFB 半導(dǎo)體激光器中的光柵也由傳統(tǒng)的矩形光柵演柵和環(huán)形光柵等。1992 年，紐約羅切斯特大學(xué)光電子束光刻技術(shù)制備了同心圓光柵（CCGSE）表面。激光器激射圓形對稱光束，光束發(fā)射角小于 1°且器具有良好的光譜線寬，寬度約為 0.1nm。

圖 1.3 曲線光柵 SE-DFB 激光器的底面結(jié)構(gòu)理公會大學(xué) Z.A.Hilali 等人[9]制備了光柵耦合表面激光柵提供反饋，二階DFB提供表面激射。出光窗口大2009 年，美國 Alfalight 公司[10-11]報道了高亮度面發(fā)光柵為金屬曲線光柵，如圖 1.4 所示，單管在連續(xù)工器實現(xiàn)了在連續(xù)工作模式下輸出功率為 73W 的最6 圓形陣列輸出功率分別達 200W 和 300W，組合兩者后，鮮有輸出功率超過該器件的報道。a） b）

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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[3]1064nm固體激光薄膜損傷閾值的研究[D]. 張蕾.中國科學(xué)院研究生院(光電技術(shù)研究所) 2016
[4]HfO2光學(xué)薄膜激光預(yù)處理及其機理研究[D]. 王濤.西安工業(yè)大學(xué) 2014
[5]二階光柵分布反饋半導(dǎo)體激光器的研制[D]. 葉淑娟.中國科學(xué)院研究生院（長春光學(xué)精密機械與物理研究所） 2010



本文編號：2951273