集成電路的集成度越來越高,對(duì)微電子測(cè)量技術(shù)提出了巨大的挑戰(zhàn)。光學(xué)關(guān)鍵尺寸（OCD）測(cè)量技術(shù)是微電子結(jié)構(gòu)測(cè)量領(lǐng)域的主要技術(shù)之一。伴隨著微電子結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸減小,OCD測(cè)量系統(tǒng)靈敏度減小,同時(shí)也會(huì)存在測(cè)量極限與分辨率問題。針對(duì)這一問題,本文將基于相干光的光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用到OCD測(cè)量系統(tǒng)中,利用相干光來提高OCD測(cè)量系統(tǒng)的靈敏度。首先,散射度量術(shù)在微電子結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸測(cè)量中有著重要的應(yīng)用,尤其是作為重要應(yīng)用的OCD測(cè)量技術(shù)。本文對(duì)OCD測(cè)量系統(tǒng)的正問題和逆問題作了深入的討論分析。進(jìn)一步介紹了工業(yè)界在微電子結(jié)構(gòu)測(cè)量中常用的顯微測(cè)量技術(shù)。對(duì)比分析了各個(gè)測(cè)量方法的優(yōu)缺點(diǎn)。其次,闡述了光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)的衍射極限產(chǎn)生原因。研究分析了已有的相干光光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)在微電子結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸測(cè)量中的應(yīng)用。在此基礎(chǔ)上,給出了OCD測(cè)量系統(tǒng)結(jié)合相干光光學(xué)系統(tǒng)的方案,即將相干光光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用在OCD測(cè)量系統(tǒng)中。并給出了相應(yīng)的理論分析。對(duì)結(jié)合相干光的OCD測(cè)量系統(tǒng)在干涉結(jié)果以及系統(tǒng)靈敏度上進(jìn)行了討論分析。并與已有的OCD測(cè)量系統(tǒng)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比分析。利用MATLAB工具對(duì)基于相干光的光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行模擬仿真。在對(duì)周期性光柵結(jié)構(gòu)的光反射場(chǎng)的... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

散射度量術(shù)原理圖

術(shù)主要是應(yīng)用在工業(yè)檢測(cè)當(dāng)中。顯微測(cè)現(xiàn)更多參數(shù)的測(cè)量。OCD 測(cè)量是測(cè)關(guān)鍵。是光學(xué)測(cè)量中重要的一個(gè)方面。不過 寸小于半波長(zhǎng)尺寸的參數(shù)時(shí)，存在著衍射極限理論和最常用的 OCD 測(cè)量技術(shù)以最后給出了不同的測(cè)量方法并分析了各射極限）是光從一種介質(zhì)進(jìn)入另外一種介質(zhì)時(shí)著兩種介質(zhì)分界面垂直的深度的增大以全反射時(shí)，光波需要在介質(zhì)中傳播一段距

圖 2-2 一維矩形光柵的幾何圖形 一維光柵幾何模型。可以得出：射表達(dá)式[19]：0sin 2xm c xk k n m 22lz , m 0l xmk k n k表達(dá)需要滿足 , , , , , , , ,Re( ) Im( ), , ,lz m n lz m n lz m n lz m nk k k k l c sub方向的周期值，Λy是 y 方向的周期值；m 表示在n則表示在 y 方向上的第 n 階衍射階次；ln （包括射率。0 0k 2 / 是自由空間中的波矢大�。�0 是沿 x 方向的第m 階次的波矢大小，lz ,mk 是第 m 階的諧波波矢大小。


本文編號(hào)：2950070