目前硅器件是基于大規(guī)模集成半導(dǎo)體技術(shù)電子系統(tǒng)的主要組成部分。在太空中,半導(dǎo)體材料對(duì)捕獲的帶電粒子和太陽(yáng)宇宙射線很敏感,并可能受到位移損傷。帶電粒子輻照可在半導(dǎo)體晶體晶格中產(chǎn)生破壞性損傷。這將在半導(dǎo)體帶隙中形成不同程度上穩(wěn)定的缺陷,例如摻雜能形成少數(shù)載流子陷阱以及少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合的有利中心。因此,它們是決定半導(dǎo)體行為的關(guān)鍵因素。最重要的是在空間環(huán)境中的具有高NIEL值的重離子輻照可以產(chǎn)生空位相關(guān)的缺陷團(tuán)簇、空位氧（V-O）對(duì)和空位間質(zhì)中心（V-I）,它們?cè)诠柚挟a(chǎn)生基本的電活性缺陷。這些由重離子輻照引起的空位相關(guān)簇狀缺陷有多種類型,如分裂中心（V2）、三空位中心（V3）和四空位中心（V4）。這些缺陷可在室溫或低溫下低劑量遷移,與一些雜質(zhì)結(jié)合可形成缺陷團(tuán)簇。這些缺陷是更大缺陷結(jié)構(gòu)的基石。目前只有對(duì)硅晶體中的空位缺陷的單個(gè)空位（V）和分裂（V2）缺陷進(jìn)行明確的實(shí)驗(yàn)和理論識(shí)別。其它小空位聚集體如三空位（V3）和四空位（V4）簇的研究較少。半導(dǎo)體和絕緣體中的這些缺陷幾乎總是在帶隙或帶邊附近引入。這些空位決定了電子行為,它們也經(jīng)常是實(shí)驗(yàn)檢測(cè)或識(shí)別缺陷的基礎(chǔ)。由于器件都在特定電壓下工作,因此... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
Chapter1 Introduction
    1.1 Background, objective and significance of the subject
    1.2 Research on vacancy and vacancy clustered defect
        1.2.1 Vacancy
2）">        1.2.2 Divacancy （V₂）
        1.2.3 Trivacancy
    1.3 What will be done in this work
Chapter 2 Simulation method
    2.1 First-principle method
        2.1.1 Early methods
        2.1.2 DFT approach
        2.1.3 Pseudopotential
        2.1.4 Supercell
    2.2 Calculation methods of defect characteristics
        2.2.1 Formation energy
        2.2.2 Transition level
        2.2.3 Dissociation energy
    2.3 Scheme of calculations
Chapter 3 Simulation results and discussion
    3.1 Formation energies
    3.2 Transition levels
    3.3 Transformation and migration energy
    3.4 Brief summary
Chapter 4 Experimental results and discussion
    4.1 Characteristics of irradiation test
    4.2 DLTS test
        4.2.1 40 MeV Si ions
        4.2.2 24 MeV Si ions
        4.2.3 10 MeV Si ions
    4.3 Annealing test
    4.4 Brief summary
Conclusions
References
Acknowledgements



本文編號(hào)：2948956