為了抑制軍事裝備在3～5μm和8～14μm這兩個(gè)大氣窗口內(nèi)的紅外輻射,減小其被紅外探測器發(fā)現(xiàn)的概率,本文對紅外隱身薄膜的優(yōu)化和制備技術(shù)進(jìn)行了研究。首先選擇Ge和ZnS兩種材料作為薄膜的組分,然后利用薄膜優(yōu)化算法對中、遠(yuǎn)紅外隱身薄膜進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),最終得到14層薄膜結(jié)構(gòu),它在3～5μm和8～14μm兩個(gè)波段內(nèi)的平均反射率均高達(dá)90%左右。在此基礎(chǔ)上,為了實(shí)現(xiàn)規(guī)�；苽�,本文對真空卷繞式蒸發(fā)鍍膜技術(shù)展開了研究,著重分析了膜料在基底上沉積的均勻性和修正擋板的設(shè)計(jì)。最后利用光譜儀和熱像儀對得到的薄膜進(jìn)行測試,結(jié)果顯示其可以明顯的降低紅中、遠(yuǎn)紅外輻射溫度,具有較好的中、遠(yuǎn)紅外隱身能力。 

【文章來源】：真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2020年04期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 紅外隱身薄膜的優(yōu)化設(shè)計(jì)
2 卷繞式制備技術(shù)的均勻性分析與修正
    2.1 膜料在基底y方向上的沉積速率
    2.2 基底x方向上的膜厚分布
    2.3 薄膜膜厚均勻性修正
3 實(shí)驗(yàn)
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]中遠(yuǎn)紅外隱身光子晶體薄膜的制備及隱身特性[J]. 劉瑞煌,趙大鵬,張繼魁,董海龍,時(shí)家明.  光學(xué)學(xué)報(bào). 2018(08)
[2]一維光子晶體兼容隱身材料研究進(jìn)展[J]. 林偉麗,邱桂花,于名訊,牛玉超,張瑞蓉,韓建龍,張煜曼.  兵器材料科學(xué)與工程. 2017(06)
[3]大口徑非球面鍍膜均勻性分析與修正擋板設(shè)計(jì)[J]. 程敏,艾力·伊沙木丁,孫正文,馬路,趙斐,許競.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(03)
[4]電子束蒸發(fā)鍍膜速率控制[J]. 王善成,方明,易葵,邵淑英,范正修.  中國激光. 2008(10)
[5]不同類型蒸發(fā)源對平面夾具薄膜均勻性的影響[J]. 董磊,趙元安,易葵,邵建達(dá),范正修.  強(qiáng)激光與粒子束. 2005(10)
[6]薄膜均勻性的有限元算法[J]. 譚旭東,馬孜,蔡邦維.  激光技術(shù). 2003(05)

碩士論文
[1]一維光子晶體在紅外隱身材料應(yīng)用方面的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 王志迅.華中科技大學(xué) 2015



本文編號：2948210