白光LED在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,近紫外LED芯片復(fù)合多色熒光粉的組合方式呈現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力,但是當(dāng)前近紫外LED用發(fā)光材料存在發(fā)光效率不高或者熱穩(wěn)定性不好或者不易合成等諸多問題。因此本論文嘗試探索了Ce³⁺/Eu²⁺摻雜的幾種典型發(fā)光材料的制備及發(fā)光性質(zhì)。一方面本論文希望得到性能優(yōu)異的發(fā)光材料并探索其潛在應(yīng)用,另一方面本論文也深入研究了組分-結(jié)構(gòu)-性質(zhì)-發(fā)光性能的依賴關(guān)系,希望這對(duì)于發(fā)光機(jī)理的豐富和之后發(fā)光材料的開發(fā)有所幫助。具體有以下方面:1.采用碳熱還原氮化法制備了一種四元氮化物發(fā)光材料Sr_1-xCa_xYSi₄N₇:0.01Eu。XRD數(shù)據(jù)證實(shí)了該固溶體發(fā)光材料Sr_1-xCa_xYSi₄N₇:0.01Eu²⁺（0≤x≤0.5）的形成。隨著Ca²⁺取代Sr²⁺量的增加,在近紫外激發(fā)下系列樣品的發(fā)射光譜從5... 

【文章來源】：蘭州大學(xué)甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：111 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

LED基本結(jié)構(gòu)圖

圖 1-1 LED 基本結(jié)構(gòu)圖[2]一種能將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體二極管。如圖1-1所示，體芯片封裝在環(huán)氧樹脂中，再加上反射杯及環(huán)氧透鏡等光器件[2]。LED芯片是LED的核心部分，其直徑一般為200~N型半導(dǎo)體兩部分組成，二者連接處即是PN結(jié)。N型半導(dǎo)而P型半導(dǎo)體中主要是空穴。圖1-2是LED發(fā)光原理示意圖時(shí)，P區(qū)的空穴向N區(qū)移動(dòng)而N區(qū)的電子向P區(qū)移動(dòng)，電子量子阱中。當(dāng)電子與空穴在PN結(jié)處復(fù)合時(shí)，就會(huì)以光子的

蘭州大學(xué)博士研究生學(xué)位論文 Eu2+/Ce3+摻雜的幾種典型近紫外白光 LED 用發(fā)光材料的制備及性能調(diào)控大多數(shù)LED用的半導(dǎo)體材料采用的是第三主族元素和第五主族元素構(gòu)成的化合物其中紅光LED主要由砷化鋁鎵(AlGaAs)制成，綠光LED的材料是磷化鋁鎵(AlGaP),而藍(lán)光LED的是氮化銦鎵(InGaN)[13]。1.1.2 白光 LED 的實(shí)現(xiàn)方式

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]硅酸鹽基質(zhì)白光LED用寬激發(fā)帶發(fā)光材料研究進(jìn)展[J]. 羅昔賢,曹望和,孫菲.  科學(xué)通報(bào). 2008(09)
[2]Pr3+或Sm3+摻雜YAG∶Ce的發(fā)光特性及其熒光壽命[J]. 孔麗,甘樹才,洪廣言,張吉林.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2007(03)
[3]新一代白光LED照明用一種適于近紫外光激發(fā)的單一白光熒光粉[J]. 孫曉園,張家驊,張霞,劉慎薪,蔣大鵬,王笑軍.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2005(03)
[4]固態(tài)照明光源的基石——氮化鎵基白光發(fā)光二極管[J]. 張國(guó)義,陳志忠.  物理. 2004(11)
[5]發(fā)光二極管材料與器件的歷史、現(xiàn)狀和展望[J]. 方志烈.  物理. 2003(05)
[6]碳熱還原法制備氮化硅粉體的反應(yīng)過程分析[J]. 李虹,黃莉萍,蔣薪.  無機(jī)材料學(xué)報(bào). 1996(02)

博士論文
[1]（近）紫外白光LED用幾種氧化物基發(fā)光材料的制備及其發(fā)光性能研究[D]. 朱革.蘭州大學(xué) 2015
[2]新型氧氮化物熒光粉的性能研究和理論計(jì)算[D]. 唐家業(yè).中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2013
[3]硅氧氮化物熒光粉的制備工藝與性能研究[D]. 楊秀芳.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2012
[4]白光LED用硅基氧氮化物熒光粉的研究[D]. 解文杰.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010



本文編號(hào)：2940163