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AMOLED亮點不良修復方法

發(fā)布時間:2020-12-26 02:26
  為了提高有源矩陣有機發(fā)光二極管面板(AMOLED)亮點不良修復成功率,優(yōu)化設(shè)備性能,本文研究一種AMOLED亮點修復方法,實現(xiàn)陰極隔離原理。由裝置激光調(diào)形機構(gòu)(Slit)的激光修復設(shè)備構(gòu)造一束固定形狀和頻率的脈沖激光束。該激光束透過AMOLED面板封裝層,照射目標亞像素上方陰極膜層,使目標亞像素發(fā)光層與面板整體陰極隔斷,陰極電子無法遷移至目標亞像素發(fā)光層,目標亞像素由亮點變?yōu)榘迭c,達到亮點修復目的。提出并比較了矩形修復法與線修復法,結(jié)果表明:矩形修復方法成功率為33.5%,容易出現(xiàn)封裝層損傷,信賴性風險高;線修復方法成功率為100%,無封裝層損傷風險,信賴性風險低。將線修復方法導入量產(chǎn)后,亮點不良修復良率由96.9%提升至100%。 

【文章來源】:液晶與顯示. 2020年03期 北大核心

【文章頁數(shù)】:7 頁

【部分圖文】:

AMOLED亮點不良修復方法


線修復法修復后亞像素

像素圖,像素,空穴,阻擋層


封裝層一般使用材料為SiONx,對修復常用波長(例如532nm)的激光吸收率低。陰極的主要成分為Ag和Mg,其膜層厚度比例一般為Ag∶Mg=8∶2,熔點分別為Ag(961.78℃)Mg(648℃)。陽極主要成分為Ag和ITO[9-10]。有機發(fā)光材料從陽極往上一般包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層,該部分材料Tm(熔限終止溫度)在250~360℃之間,Td(受熱分解溫度)在300~520℃之間[11]。2.2 陰陽極短路原理

激光,機構(gòu)


陰陽極短路原理主要使用裝置激光調(diào)形機構(gòu)的激光設(shè)備實現(xiàn)。激光調(diào)形機構(gòu)是使用兩個伺服電機精確控制4片金屬薄片構(gòu)造一個狹縫,移動金屬薄片可改變透過該機構(gòu)的激光束形狀和大小[12]。AMOLED產(chǎn)品亮點修復使用激光調(diào)形機構(gòu)的精度為0.1μm,再現(xiàn)性偏差需小于0.1μm。圖2為一種激光調(diào)形機構(gòu)的實物圖。實現(xiàn)陰陽極短路原理的加工方法稱為點修復法。該方法使用激光調(diào)形機構(gòu)構(gòu)造一束點狀脈沖激光束,照射加工區(qū)域。加工位置溫度高于Ag熔點,即高于961.78℃。

【參考文獻】:
期刊論文
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[3]OLED器件中ITO陽極的修飾概況[J]. 張?zhí)煲?  當代化工研究. 2018(12)
[4]全球價值鏈下中國OLED產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展對策[J]. 王海軍,陳勁.  技術(shù)經(jīng)濟. 2018(06)
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[7]激光修補技術(shù)在修復薄膜圖形缺陷上的應(yīng)用——薄膜圖形缺陷激光修補機[J]. 萬承華,宋體涵.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2015(06)
[8]AMOLED技術(shù)領(lǐng)域全球?qū)@季址治鯷J]. 羅佳秀,范兵.  中國集成電路. 2012(Z1)
[9]柔性AMOLED的技術(shù)現(xiàn)狀與進展[J]. 敖銀輝,高健.  現(xiàn)代電子技術(shù). 2011(03)
[10]全球OLED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢[J]. 張軍杰,楊鑄.  現(xiàn)代顯示. 2010(06)

博士論文
[1]高效磷光OLED材料的設(shè)計、合成與性能研究[D]. 陳華.蘇州大學 2014

碩士論文
[1]AMOLED老化系統(tǒng)的研究與實現(xiàn)[D]. 葛明偉.蘇州大學 2016
[2]振鏡式激光掃描演示系統(tǒng)的研究與設(shè)計[D]. 趙哲.浙江工業(yè)大學 2014



本文編號:2938851

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