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基于液晶的太赫茲波前調(diào)控器件研究進展

發(fā)布時間:2020-12-24 08:27
  液晶作為寬波段外場可調(diào)諧材料在太赫茲波段具有顯著的應(yīng)用優(yōu)勢,有望實現(xiàn)高效、動態(tài)的太赫茲波前調(diào)控。本文簡要綜述了近年來南京大學(xué)液晶與微納光學(xué)研究組和其他科研團隊在基于液晶的太赫茲波前調(diào)控器件領(lǐng)域展開的部分研究,包括基于純液晶的太赫茲調(diào)波器件和基于液晶集成超構(gòu)表面的太赫茲調(diào)波器件兩類,系統(tǒng)闡述了這些器件的動態(tài)可調(diào)諧、多樣化功能的特征以及潛在的應(yīng)用前景,并對液晶技術(shù)與太赫茲技術(shù)相結(jié)合的發(fā)展趨勢進行了展望。 

【文章來源】:液晶與顯示. 2020年07期 北大核心

【文章頁數(shù)】:15 頁

【部分圖文】:

基于液晶的太赫茲波前調(diào)控器件研究進展


一種反射式波片結(jié)構(gòu)示意圖;(b)產(chǎn)生的THz相移在不同施加電壓下隨頻率的變化關(guān)系。

電壓圖,顯微照片,電壓,可調(diào)


圖9(a)可調(diào)諧超構(gòu)吸收器的結(jié)構(gòu)示意圖以及液晶在加電和不加電狀態(tài)下的偏轉(zhuǎn)情況;(b)THz吸收頻率隨著施加電壓的變化而變化。圖1 1(a)透射和反射兩種模式集成的液晶可調(diào)超構(gòu)器件結(jié)構(gòu)示意圖;(b)該器件的結(jié)構(gòu)分解圖;(c)上層超構(gòu)表面的顯微照片;(d)下層亞波長金屬梳狀電極的顯微照片;(e)在透射模式下透射頻率譜線隨著電壓增大而紅移;(f)在反射模式下吸收頻率譜線隨著電壓增大而紅移。

電壓圖,相移,液晶相,電壓


Lin等[42]利用亞波長金屬線柵作為THz透明電極實現(xiàn)了一種自偏振的電調(diào)液晶相移器,在0.2~2THz具有較高的偏振選擇透過率,該元件結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在制備有金屬線柵的上下石英基板間旋涂一層PI取向?qū),摩擦方向與線柵方向垂直,基板間填充256μm厚的E7液晶,得到THz液晶元件,該元件具有較小的閥值電壓(小于20V)和飽和電壓(約為130V),在1.88THz處能夠?qū)崿F(xiàn)最大π/3的相移(圖1(b)),在集成化的寬帶可調(diào)THz元件中具有廣泛的應(yīng)用前景。Altmann等[43]同樣是在石英基板上制作金屬線柵作為電極,利用聚合物穩(wěn)定液晶(PSLC)實現(xiàn)電調(diào)控相移器,該元件響應(yīng)迅速,且聚合物網(wǎng)絡(luò)能夠誘導(dǎo)液晶的取向方向,元件無須取向?qū)。Yang等[44]利用ITO納米晶須作為THz波段透明電極研發(fā)了一種THz相移器,結(jié)構(gòu)如圖2(a)所示。該元件利用電子束掠射角沉積技術(shù)在基板表面傾斜地生長ITO納米晶須,使其可以同時作為THz波段透明電極和液晶取向?qū),該元件能夠?17μm的大盒厚下實現(xiàn)液晶層的良好取向,而且在0~2.5THz的寬頻率范圍內(nèi)透過率能夠達到82%。該元件在1THz處的相位延遲量超過π/2,透過率達到78%,驅(qū)動電壓低至5.66V,且制作工藝與CMOS工藝相兼容。有機物PEDOT∶PSS具有良好的導(dǎo)電性且制備工藝簡單,在有機發(fā)光二極管(OLEDs)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛[45]。Du等[37]采用該材料作為THz波段透明電極,設(shè)計了一種新型相移器,該元件在6.7V的電壓驅(qū)動下,在1.17THz處的相移最大值超過2/3π。圖2(a)采用ITO納米晶須作為電極和取向?qū)拥南嘁破鹘Y(jié)構(gòu)示意圖;(b)產(chǎn)生的THz相移在不同施加電壓下隨頻率的變化關(guān)系。

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:2935325

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