垂直外腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率與良好的光束質(zhì)量,是半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域的持續(xù)研究熱點(diǎn)之一.本文開展了光抽運(yùn)VECSEL最核心的多量子阱增益區(qū)設(shè)計,對量子阱增益光譜及其峰值增益與載流子濃度及溫度等關(guān)系進(jìn)行系統(tǒng)的理論優(yōu)化,并對5種不同勢壘構(gòu)型的量子阱增益特性進(jìn)行對比,證實采用雙側(cè)GaAsP應(yīng)變補(bǔ)償?shù)陌l(fā)光區(qū)具有更理想的增益特性.對MOCVD生長的VECSEL進(jìn)行器件制備,實現(xiàn)了VECSEL在抽運(yùn)功率為35 W時輸出功率達(dá)到9.82 W,并且功率曲線仍然沒有飽和;通過變化外腔鏡的反射率, VECSEL的激光波長隨抽運(yùn)功率的漂移系數(shù)由0.216 nm/W降低至0.16 nm/W,證實外腔鏡反射率會影響VECSEL增益芯片內(nèi)部熱效應(yīng),從而影響VECSEL激光輸出功率.所制備VECSEL在兩正交方向上的發(fā)散角分別為9.2°和9.0°,激光光斑呈現(xiàn)良好的圓形對稱性. 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2020年05期 北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁


本文編號：2933980