氧化鋅（ZnO）是一種寬禁帶直接帶隙氧化物半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度為3.37eV,由于本征缺陷存在而顯n型。ZnO具有高室溫激子結(jié)合能、高電子飽和漂移速度以及高化學(xué)穩(wěn)定性。ZnO薄膜及其他各種形式的材料在發(fā)光、紫外探測(cè)、光催化、透明電極、壓電、薄膜晶體管等領(lǐng)域都有應(yīng)用前景。本文立足于ZnO薄膜:1)首先開發(fā)了一種基于低溫液相的薄膜沉積方法,制備了本征ZnO和摻鋁ZnO薄膜,采用XRD、SEM、UV-vis光譜、光致發(fā)光光譜對(duì)樣品的物相、表面形貌及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,此法制備的薄膜樣品物相較純,Al離子摻雜時(shí)機(jī)的不同會(huì)影響晶粒的生長(zhǎng);接著采用化學(xué)浴沉積法制備了硫化鎘（CdS）薄膜,與ZnO薄膜于p型摻硼單晶Si片上構(gòu)成了（Al）ZnO/（CdS）/Si異質(zhì)結(jié),研究了CdS層以及鋁摻雜對(duì)該異質(zhì)結(jié)性能的影響。結(jié)果表明CdS的引入降低了pn結(jié)的勢(shì)壘,有利于優(yōu)化異質(zhì)結(jié)的載流子輸運(yùn),提升其理想因子。2)采用液相沉積法制備本征、摻鋁及摻銦ZnO配合Si片的高溫氧化處理,構(gòu)成Ag/ZnO/SiO₂/Si/Ag的背柵型薄膜晶體管,從輸出曲線得出本征及摻鋁ZnO的薄膜晶體管呈... 

【文章來源】：上海大學(xué)上海市 211工程院校

【文章頁數(shù)】：81 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

半導(dǎo)體材料的劃代

都關(guān)乎該領(lǐng)域的發(fā)展前景。因此，對(duì)有潛力的材料進(jìn)行研究也是迫切的。氧化鋅(ZnO)是一種比較常見的材料，然而其作為與第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，其研究歷史不過近半個(gè)世紀(jì)。ZnO 在測(cè)、透明電極、光催化、氣敏元件、壓敏電阻、薄膜晶體管等諸多應(yīng)用，但其應(yīng)用的深度還不夠，其材料性能的極限還未被觸及，依潛力[4]。nO 概述nO 的基本理化性質(zhì) 是一種常見的 II-VI 族直接帶隙氧化物半導(dǎo)體，其存在三種晶體所示，分別為四方巖鹽礦、立方閃鋅礦和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)[5]。

圖 1.3 本征 ZnO 點(diǎn)缺陷能級(jí)圖Fig.1.3 Energy level of point defects in intrinsic ZnO雜[10-15]可以用第 I 族元素(Li，Na 和 K)替代

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]ZnO薄膜制備方法研究[J]. 李宏哲,崔舒,周孔春.  通化師范學(xué)院學(xué)報(bào). 2013(02)

博士論文
[1]摻氮氧化鋅的光電特性及其在薄膜晶體管中的應(yīng)用研究[D]. 朱夏明.浙江大學(xué) 2010

碩士論文
[1]氧化鋅基薄膜晶體管的制備及特性研究[D]. 王聰.華南理工大學(xué) 2012
[2]摻雜ZnO薄膜的制備及其異質(zhì)結(jié)紫外光特性研究[D]. 李大偉.電子科技大學(xué) 2011



本文編號(hào)：2933702