穩(wěn)定的歐姆接觸對半導(dǎo)體器件的正常工作起到至關(guān)重要的作用.目前市場上主要采用金/金鍺鎳合金作為n型GaAs的電極材料,工藝復(fù)雜,成本高昂.本文研究了一種新型的、廉價(jià)的適用于半絕緣GaAs的歐姆接觸電極材料Ag/Co摻雜的非晶碳膜及其制備過程,以便于讀者對半導(dǎo)體器件的制備工藝和流程有所了解. 

【文章來源】：大學(xué)物理. 2017年06期 北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

Ag/a－C:Co電極結(jié)構(gòu)及光電測試示意圖

姆薔Ы?構(gòu)．非晶碳在1580cm－1處有一個(gè)拉曼活動(dòng)模式對應(yīng)C=C鍵的伸縮振動(dòng)峰(G峰)，在1350cm－1處還有一個(gè)二次拉曼活動(dòng)模式對應(yīng)K區(qū)邊界環(huán)的呼吸振動(dòng)(D峰)［11］．圖2中的拉曼光譜證實(shí)了其無定型碳結(jié)構(gòu)，其中D峰在1365cm－1，G峰在1595cm－1，D峰和G峰的強(qiáng)度比ID/IG≈0．96．Tamor等在大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上統(tǒng)計(jì)獲得了非晶碳膜中SP3組分和帶隙與ID/IG的關(guān)系曲線［12］．根據(jù)其統(tǒng)計(jì)規(guī)律并結(jié)合測定的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，我們推測a－C:Co薄膜中SP3組分約45%，帶隙約為1．0～1．5eV．圖2a－C:Co薄膜的拉曼光譜2．2Ag/a－C:Co電極的歐姆接觸測試如圖3所示，為對所制備電極采用數(shù)字源表、光源使用紅光激光二極管測得的有無光照下的I－V曲線圖．兩者的I－V曲線皆具有很好的線性和對稱關(guān)系，證實(shí)了電極與半絕緣GaAs之間為歐姆接觸．圖3半絕緣GaAs的光照與無光照下的I－V曲線以上實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的物理原因可以解釋為:突變異質(zhì)結(jié)的接觸電勢差VD可用下式［13］表示:

C鍵的伸縮振動(dòng)峰(G峰)，在1350cm－1處還有一個(gè)二次拉曼活動(dòng)模式對應(yīng)K區(qū)邊界環(huán)的呼吸振動(dòng)(D峰)［11］．圖2中的拉曼光譜證實(shí)了其無定型碳結(jié)構(gòu)，其中D峰在1365cm－1，G峰在1595cm－1，D峰和G峰的強(qiáng)度比ID/IG≈0．96．Tamor等在大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上統(tǒng)計(jì)獲得了非晶碳膜中SP3組分和帶隙與ID/IG的關(guān)系曲線［12］．根據(jù)其統(tǒng)計(jì)規(guī)律并結(jié)合測定的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，我們推測a－C:Co薄膜中SP3組分約45%，帶隙約為1．0～1．5eV．圖2a－C:Co薄膜的拉曼光譜2．2Ag/a－C:Co電極的歐姆接觸測試如圖3所示，為對所制備電極采用數(shù)字源表、光源使用紅光激光二極管測得的有無光照下的I－V曲線圖．兩者的I－V曲線皆具有很好的線性和對稱關(guān)系，證實(shí)了電極與半絕緣GaAs之間為歐姆接觸．圖3半絕緣GaAs的光照與無光照下的I－V曲線以上實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的物理原因可以解釋為:突變異質(zhì)結(jié)的接觸電勢差VD可用下式［13］表示:

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：2926133