荷控憶阻器在寄生元件存在的情況下,可能發(fā)生記憶衰退現(xiàn)象。該文采用憶阻器動(dòng)力學(xué)路線圖和仿真的方法,研究了憶阻器寄生電阻和寄生電容對(duì)其動(dòng)力學(xué)特性的影響。理論和仿真分析發(fā)現(xiàn),理想荷控(流控)憶阻器在直流和交流激勵(lì)下,寄生電阻或寄生電容單獨(dú)存在時(shí)不發(fā)生記憶衰退現(xiàn)象,但在寄生電阻和寄生電容同時(shí)存在的情況下會(huì)發(fā)生記憶衰退,其機(jī)理是寄生元件形成放電通路,從而導(dǎo)致荷控憶阻器產(chǎn)生了記憶衰退。 

【文章來源】：電子與信息學(xué)報(bào). 2020年04期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【部分圖文】：

理想荷控憶阻器DRM

?,；圖5(b)是此電壓激勵(lì)下憶阻器的狀態(tài)響應(yīng)；圖5(c)為幅度，周期的三角波，圖5(d)為三角波激勵(lì)下的狀態(tài)響應(yīng)。從圖5中可以很明顯地看出，對(duì)應(yīng)不同的初值憶阻器有不同的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)，它們互不重合，沒有漸進(jìn)收斂到唯一的穩(wěn)態(tài)值。4寄生元件對(duì)荷控憶阻器記憶衰退的影響4.1寄生串聯(lián)電阻的影響憶阻器的電極引線會(huì)產(chǎn)生寄生電阻，單獨(dú)考慮寄生串聯(lián)電阻R時(shí)的荷控憶阻器電路如圖6所示。根據(jù)基爾霍夫電壓和電流定律，電路的動(dòng)力學(xué)方程為dqdt=vR+1+q2(6)圖2理想荷控憶阻器DRM圖3理想荷控憶阻器在不同初值條件下的DC響應(yīng)圖4理想荷控憶阻器在不同初值條件下的AC響應(yīng)846電子與信息學(xué)報(bào)第42卷

?煊�；�?5(c)為幅度，周期的三角波，圖5(d)為三角波激勵(lì)下的狀態(tài)響應(yīng)。從圖5中可以很明顯地看出，對(duì)應(yīng)不同的初值憶阻器有不同的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)，它們互不重合，沒有漸進(jìn)收斂到唯一的穩(wěn)態(tài)值。4寄生元件對(duì)荷控憶阻器記憶衰退的影響4.1寄生串聯(lián)電阻的影響憶阻器的電極引線會(huì)產(chǎn)生寄生電阻，單獨(dú)考慮寄生串聯(lián)電阻R時(shí)的荷控憶阻器電路如圖6所示。根據(jù)基爾霍夫電壓和電流定律，電路的動(dòng)力學(xué)方程為dqdt=vR+1+q2(6)圖2理想荷控憶阻器DRM圖3理想荷控憶阻器在不同初值條件下的DC響應(yīng)圖4理想荷控憶阻器在不同初值條件下的AC響應(yīng)846電子與信息學(xué)報(bào)第42卷

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于憶阻器的乘法器電路設(shè)計(jì)[J]. 王光義,沈書航,劉公致,李付鵬.  電子與信息學(xué)報(bào). 2020(04)



本文編號(hào)：2923489