發(fā)布時間：2020-12-17 18:03

　　傳統(tǒng)的二維集成電路已經(jīng)不能通過減小其尺寸來達(dá)到進(jìn)一步提高性能的目的,摩爾定律正在逐漸失效。為了延續(xù)摩爾定律以及進(jìn)一步提高集成電路的性能,三維集成電路的概念被提出。不同于傳統(tǒng)的二維集成電路,三維集成電路將芯片中各個模塊通過硅通孔垂直堆疊,以達(dá)到減小互連線長度、減小寄生參數(shù)和提高集成電路性能的目的。硅通孔是三維集成中最重要的器件之一,由于集成電路上的硅通孔密度很高,而且十分脆弱,因此傳統(tǒng)的探針結(jié)構(gòu)不適用與硅通孔的測試。如何對硅通孔進(jìn)行測試以提高芯片良品率和對工藝進(jìn)行監(jiān)測是三維集成電路中的一個重要課題。本文對三維集成電路中的硅通孔測試進(jìn)行研究。由于本文采用電學(xué)方法對硅通孔進(jìn)行故障診斷,所以本文首先對硅通孔的電學(xué)建模進(jìn)行研究。前人的文獻(xiàn)往往脫離硅通孔的物理尺寸而對硅通孔測試進(jìn)行研究而且僅僅采用公式分析的方法導(dǎo)致了電學(xué)模型不夠精確,本文通過三維全波仿真軟件對硅通孔物理模型進(jìn)行分析,通過仿真軟件得到的硅通孔等效電學(xué)模型會更加精確,隨后在硅通孔物理模型上注入故障,研究故障對硅通孔等效電學(xué)模型的影響。仿真結(jié)果表明,硅通孔的孔洞故障導(dǎo)致硅通孔的等效電阻增加,硅通孔的漏電故障導(dǎo)致硅通孔和外層基質(zhì)形成的等效... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅通孔制作從上述的硅通孔的制作流程中可以看出，硅通孔的一端被深埋在硅基底中，硅

圖 2-2 硅通孔綁定從上述硅通孔的綁定過程中可以看出，硅通孔的兩端均可以獲得，這個階對硅通孔進(jìn)行的測試稱為綁定后測試。下圖展示了多層晶片通過硅通孔綁定的示意圖。

多層晶片通過硅通孔綁定的示意圖


本文編號：2922446