近年來,衛(wèi)星通信與相控陣?yán)走_(dá)不斷發(fā)展,研究高性能的射頻通信組件成為目前的主流。RF移相器的重點指標(biāo)為移相量、移相誤差、插入損耗。三者相互影響,在保證移相誤差滿足指標(biāo)的要求下,減小RF移相器的插入損耗,是需要考慮的重要問題。而功率放大器性能是否優(yōu)良取決于輸出功率、效率和線性度,故PA面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)為在線性度得到要求的情況下提高功率放大器的輸出功率與效率。本文重點研究了相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的射頻/微波毫米波硅基集成電路設(shè)計。首先第一章研究了微波毫米波移相與功放集成電路研究的背景與意義;分析了相控陣?yán)走_(dá)對高性能的移相器與功率放大器的迫切需求,介紹了移相與放大的重要作用;總結(jié)了近幾年對移相器與功率放大器的研究現(xiàn)狀及闡述目前實現(xiàn)移相器與放大器高性能的方式與方法,最后介紹了本文的結(jié)構(gòu)安排。通過對國內(nèi)外文獻(xiàn)的調(diào)研與總結(jié),在第二章分別研究學(xué)習(xí)了射頻數(shù)字移相器和功率放大器的基本原理;通過對移相器、功放拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的調(diào)研對比,選擇適合的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并對其進(jìn)行優(yōu)化,研究如何提高移相器的精度與放大器的輸出功率。通過上述研究,在第三章設(shè)計兩個分別工作于16GHz和28GHz的數(shù)字移相器,各自采用新型和適合兩個頻段的拓?fù)浣Y(jié)... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

開關(guān)線型移相器結(jié)構(gòu)圖

D1 D2D3 D4輸入輸出L2圖 2-2 開關(guān)線型移相器結(jié)構(gòu)圖差值：2gL L L1，L2 的相位常數(shù)， g為射頻信號導(dǎo)波波長。型移相器Z0Z0θ1θ1

b）的傳輸矩陣為：1 1 11 1 1( )1 0cos sin1sin cosbA BjZC D jjY 2）中，Y1=1/Z1,在雙端口傳輸矩陣中，將端口導(dǎo)納 Y0 01 1 11 121 1 1 1b11 10 1cos sin sina=jY sin 2 cos sincos sinBYjY YbBc djB jY BY Y （ ）移相器字移相器的結(jié)構(gòu)如圖 2-4 所示，終端并聯(lián)開關(guān)與反射網(wǎng)絡(luò)的反射系數(shù)由 1 = 1 ej 1變換至 2 = 2 ej 2，引起反相位差為 = 2- 1。開關(guān) 開關(guān)Δφ/2

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]低噪聲放大器選擇[J]. Gurpreet Sibia.  電子產(chǎn)品世界. 2004(19)

博士論文
[1]微波/毫米波系統(tǒng)前端關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 鄭宗華.浙江大學(xué) 2016

碩士論文
[1]基于鍺硅工藝的Ku波段功率放大器[D]. 陶志鵬.東南大學(xué) 2017
[2]Ku波段六位數(shù)控移相器設(shè)計[D]. 孫小東.東南大學(xué) 2017
[3]多頻段超寬帶MMIC數(shù)字移相器的研究[D]. 杜璟.東南大學(xué) 2016
[4]基于X波段相控陣的功率放大器的設(shè)計和實現(xiàn)[D]. 姜沛鍇.天津大學(xué) 2016
[5]硅基CMOS毫米波移相器的研究與設(shè)計[D]. 鄭清友.電子科技大學(xué) 2015
[6]應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)的SiGe BiCMOS功率放大器設(shè)計[D]. 喬曉明.天津大學(xué) 2014
[7]基于CMOS工藝的超寬帶射頻功率放大器的研究與設(shè)計[D]. 王立果.天津大學(xué) 2014
[8]12M-1GHz微波寬帶功率放大器設(shè)計[D]. 呂航.電子科技大學(xué) 2013
[9]WCDMA基站大功率放大器研究[D]. 李賀.杭州電子科技大學(xué) 2012
[10]單片集成射頻收發(fā)模塊功率放大器設(shè)計與研究[D]. 黃國棟.西安電子科技大學(xué) 2012



本文編號：2920408