本文制備了基于機械剝離β-Ga₂O₃的Ni/Au垂直結構肖特基器件,對該器件進行了溫度特性I-V曲線測試.器件表現出了良好的二極管特性,隨著溫度從300 K升高至473 K,勢壘高度從1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子從1.32降低至1.19,二者表現出了較強的溫度依賴特性,這表明器件的肖特基勢壘存在勢壘高度不均勻的問題.串聯電阻隨溫度升高而降低,這主要是熱激發(fā)載流子濃度升高導致的.本文利用勢壘高度的高斯分布對器件的溫度特性進行了修正,修正后的勢壘高度為1.54 e V,理查孫常數為26.35 A·cm^–2·K^–2,更接近理論值,這表明利用高斯分布勢壘高度的熱電子發(fā)射模型能夠很好地解釋Au/Ni/β-Ga₂O₃肖特基二極管的I-V溫度特性問題,這種方法更適合用來測量β-Ga₂O₃肖特基二極管的電學參數. 

【文章來源】：物理學報. 2020年13期 北大核心

【文章頁數】：10 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]超寬禁帶半導體β-Ga2O3及深紫外透明電極、日盲探測器的研究進展[J]. 郭道友,李培剛,陳政委,吳真平,唐為華.  物理學報. 2019(07)



本文編號：2918818