集成的電子器件可以應用于傳感器、電子皮膚和人工智能等前沿信息交叉領(lǐng)域,高性能電子器件的重要性激發(fā)了學界對新型半導體材料的探索。國際半導體技術(shù)藍圖（ITRS）預測硅基電子器件在2020年后將達到極限,因此需要更優(yōu)秀的替代材料來推動新型電子器件的發(fā)展。在過去的十余年中,二維（2D）層狀半導體材料因其獨特的電子結(jié)構(gòu)和傳輸特性而受到廣泛關(guān)注。盡管二維半導體作為下一代納米電子有極為卓越的光學和電學特性,但是仍有很多核心的限制性問題亟待解決,相關(guān)的研究還仍處于起步階段。在本文中,我們針對該領(lǐng)域存在的性能限制性問題設計構(gòu)建了性能優(yōu)越的新型結(jié)構(gòu)二維場效應晶體管（FETs）,并且對其在神經(jīng)信號檢測等方面的應用進行了探索和研究。首先,為了解決二維半導體材料中最為典型的過渡金屬硫化物（TMDs）在生長和轉(zhuǎn)移過程中不可避免產(chǎn)生的空位在電子傳輸過程中造成的載流子散射問題,我們提出了一種簡單、有效的使用低功率氮等離子體快速修復過渡金屬硫化物中本征硫空位的方法,并利用高分辨率球差校正掃描投射電子顯微鏡（STEM,JOOLAEM200F）證實了硫空位的存在和氮等離子體對它的有效修復,通過質(zhì)心擬合的方式計算出修復后的空... 

【文章來源】：山東大學山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２各種二維材料及其結(jié)構(gòu)？??Ｆｉｇ．?１．２．?Ｖａｒｉｏｕｓ?２Ｄ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ?ａｎｄ?ｔｈｅｉｒ?ｓｔｉ－ｕｃｔｕｒｅｓ［３ｌ??

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？ｒ?驚丄丨丨＂??Ｅｘｆｏｌ＾ｔｉｏｎ?ｏｆ?ｌａｙｅｒ?ｍａｔｅｒｉａｓ?ｗｉｔｈ?ｉｏｎｓ?ｏｒ?ｍｃＭｅｃｕｔｅｓ?ｂｅｔｗｅｅｎ?ｌａｙｅｒｓ??？〇，??Ｕｉｙｗ?ｗｉＨｔ?ｔｏｒｔ＊??ｌ？ｗ?ＴＭ＜＾ｓ?ｍｕ?ＵＤＨｓ??Ｙ?ｌ￡２?ｗ??ａｔｏｍｓ?Ｓｏｎｉｃａｆｅｎｓ＾ｆｉｔｎ？，??ｔｈｅ?ｈｏ￥｝?＊ｆ４ｌｋ＞ｎ６?，ｎ??？？＊？??ｍａｉｅｒｉａｌａ?ｗ？ｆｈ?ｂａｎｄ？〇Ｂ??ａｔｏｍｓ?ｊｊｅｔｗｓｗｍ?ＭＡＸ?ｐｈ＾ａ＆Ｂ??圖１．４二維材料的剝離方法總結(jié)［１２！??Ｆｉｇ．?１．４．?Ｓｕｍｍａｒｙ?ｏｆ?ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ?ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ?ｆｏｒ?２Ｄ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ?［［２＼??５??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]從二維材料到范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)[J]. 於逸駿,張遠波.  物理. 2017(04)



本文編號：2917044