原子、分子與超強激光之間的作用一直受到人們的廣泛關(guān)注。近幾年來,隨著激光技術(shù)的迅猛發(fā)展,激光場強度大幅提高,超強激光場與原子、分子作用的研究得到進一步的發(fā)展。隨著激光場強度的逐漸提高,出現(xiàn)了諸如多光子電離、隧穿電離、高次諧波產(chǎn)生、非序雙電離等一系列全新的非線性物理現(xiàn)象。其中,通過對高次諧波的研究,不僅可以促進非微擾理論的發(fā)展,還提供了簡單的全相干短波長光源產(chǎn)生方法。原子、分子的非序雙電離過程能夠提供一種簡單的電子關(guān)聯(lián)模型,對化學鍵的形成、超導現(xiàn)象、固體的性質(zhì)都有重要的影響。強激光場與原子分子的作用是極端非線性過程,對它的研究有助于原子、分子結(jié)構(gòu)的深入探索,同時也促進分子成像技術(shù)的發(fā)展,奠定了觀察和控制分子化學反應過程的基礎(chǔ)。本文應用理論去模擬實驗觀測到的強場中的原子分子的變化,開展了以下工作的研究:（1）模擬計算了不同波長、強度的激光場下的原子、分子的高次諧波譜,由截止能量的變化規(guī)律來分析不同激光場對原子分子高次諧波的影響;我們選用相同激光條件下的不同分子（N₂,O₂）及其對照原子（Ar,Xe）并計算其高次諧波譜,說明了電離抑制對高次諧波譜的... 

【文章來源】：浙江理工大學浙江省

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

激光輸出的峰值功率及其物理領(lǐng)域隨年代的變化

reshold Ionization，ATI)79 年取得了新的成就，他們研究發(fā)現(xiàn) Xe 的量隔開的峰組成。像這種原子、分子在電間距為光子能量的峰組成的現(xiàn)象，稱為閾閾上電離示意圖。在隨后的實驗中[14-18]，往采用微擾理論（LOPT）來解釋：ppnsnsnEnshII ()/2n 為電離所需要的最少光子數(shù)， Ip是電離中 s 大于 0 時，為閾上電離，等于 0 時為多

圖 1.3 閾上電離能量譜[18]Figure 1.3 energy spectrum of Above-threshold ionizunneling Ionization，TI)Keldysh 等人[22]作出推論：當原子與足夠高強就會發(fā)生畸變，形成勢壘。所謂的隧穿電離(T勢壘的束縛發(fā)生電離的過程。在理論和實驗中的[20,21]。圖 1.4 是隧穿電離的示意圖，從圖中我們，勢壘的右側(cè)處于較低的勢能點，電子電離所需強度的增加，勢壘會變得更低，電子更容易發(fā)

【參考文獻】：
博士論文
[1]簡單分子隧穿電離中的振動影響[D]. 張美霞.吉林大學 2015
[2]基于中紅外飛秒激光場的原子分子電離行為若干問題的研究[D]. 林志陽.中國科學院研究生院（武漢物理與數(shù)學研究所） 2013

碩士論文
[1]強激光場中氫分子非次序雙電離電子關(guān)聯(lián)性的理論研究[D]. 楊培輝.浙江理工大學 2017



本文編號：2916219