電力電子技術(shù)可以對電能進行處理和轉(zhuǎn)換,并提高電能的使用效率,制作高效率低功耗的功率半導(dǎo)體器件對于節(jié)約能源和保護環(huán)境有著重要意義。功率半導(dǎo)體器件的不斷更新升級也推動著電力電子技術(shù)的發(fā)展。本文基于VDMOS的器件結(jié)構(gòu),研究了一種集成肖特基結(jié)的超結(jié)ACCUFET（Accumulation Field Effect Transistor）的新型功率器件。與傳統(tǒng)的NMOS結(jié)構(gòu)不同,ACCUFET器件基區(qū)為N型摻雜,通過加?xùn)艠O偏壓產(chǎn)生電子的積累層進行導(dǎo)電,由于積累層中電子的遷移率更高,因此ACCUFET器件具有更低的比導(dǎo)通電阻。同時,傳統(tǒng)VDMOS中源極區(qū)域的P-body區(qū)會形成寄生的雙極型晶體管,當器件發(fā)生雪崩擊穿時可能開啟導(dǎo)致器件失效,因此本文提出的ACCUFET器件將P-body區(qū)移除,同時使用肖特基勢壘二極管輔助耗盡N型基區(qū)保證器件的特性,而肖特基結(jié)構(gòu)的加入也有效改善了器件的反向恢復(fù)特性和開關(guān)特性。通過加入超結(jié)結(jié)構(gòu),器件在達到規(guī)定耐壓的同時得到了低的比導(dǎo)通電阻。本文主要內(nèi)容如下:1.本文首先介紹了常見的ACCUFET器件的結(jié)構(gòu)、工作原理和發(fā)展歷史;隨后介紹了超結(jié)理論以及超結(jié)理論改善漂移區(qū)比... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

VDMOS的結(jié)構(gòu)對比

傳統(tǒng)漂移區(qū)

槽柵積累型Si

【參考文獻】：
期刊論文
[1]電力電子器件及其應(yīng)用的現(xiàn)狀和發(fā)展[J]. 錢照明.  變頻器世界. 2014(07)
[2]現(xiàn)代電力電子技術(shù)綜述[J]. 李平鋒.  機械管理開發(fā). 2012(01)
[3]超結(jié)器件[J]. 陳星弼.  電力電子技術(shù). 2008(12)
[4]低壓UDMOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計[J]. 石廣源,唐寧,張志鵬.  遼寧大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2007(02)
[5]電力半導(dǎo)體器件的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 陳燁,吳濟鈞.  半導(dǎo)體技術(shù). 1996(04)
[6]場限環(huán)的簡單理論[J]. 陳星弼.  電子學(xué)報. 1988(03)
[7]p-n+結(jié)有場板時表面電場分布的簡單表示式[J]. 陳星弼.  電子學(xué)報. 1986(01)

博士論文
[1]利用高K絕緣介質(zhì)的新型功率半導(dǎo)體器件的研究[D]. 黃銘敏.電子科技大學(xué) 2016



本文編號：2915919