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用于射頻系統(tǒng)的10 MS/s 10位SARA/D轉(zhuǎn)換器

發(fā)布時(shí)間:2020-12-10 21:57
  設(shè)計(jì)了一種用于射頻系統(tǒng)的低功耗、中速中精度差分輸入逐次逼近型(SAR)A/D轉(zhuǎn)換器。采樣完成后采用下極板對(duì)接的邏輯算法,10位SAR A/D轉(zhuǎn)換器只需9位DAC即可滿足其精度要求。DAC陣列采用分段電容結(jié)構(gòu),節(jié)省了芯片面積。比較器采用前置運(yùn)算放大器加鎖存器的結(jié)構(gòu),達(dá)到了同時(shí)兼顧速度和精度的要求。該A/D轉(zhuǎn)換器芯片采用GSMC 0.13μm 1P7M CMOS工藝制造,其核心電路尺寸為500μm×360μm,采用1.2V的單電源供電。測(cè)試結(jié)果表明,當(dāng)采樣頻率為10MS/s,輸入信號(hào)頻率為2MHz時(shí),該SAR A/D轉(zhuǎn)換器達(dá)到8.45位的有效精度,總功耗為2.17mW;當(dāng)采樣頻率為5MS/s,輸入信號(hào)頻率為1MHz時(shí),該SAR A/D轉(zhuǎn)換器達(dá)到8.75位的有效精度,總功耗為2.07mW。 

【文章來源】:微電子學(xué). 2017年03期 第293-297頁 北大核心

【文章頁數(shù)】:5 頁

【部分圖文】:

用于射頻系統(tǒng)的10 MS/s 10位SARA/D轉(zhuǎn)換器


圖6比較器單元結(jié)構(gòu)框圖比較器單元的工作過程分為復(fù)位和比較兩個(gè)階

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s軟件設(shè)計(jì)綜合,采用Cadence軟件布局布線。3仿真與測(cè)試結(jié)果基于GSMC0.13μm1P7M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,設(shè)計(jì)的SARA/D轉(zhuǎn)換器版圖如圖7所示。按照模擬電路與數(shù)字電路分開原則,將邏輯電路、開關(guān)、電容DAC和比較器按順序依次擺放,以減小數(shù)字部分的干擾。將對(duì)環(huán)境敏感的比較器前置運(yùn)算放大器放在了保護(hù)環(huán)內(nèi),有效地減小了外界干擾。芯片的核心電路尺寸為500μm×360μm,芯片照片如圖8所示。圖7SARA/D轉(zhuǎn)換器版圖圖8SARA/D轉(zhuǎn)換器芯片照片使用CadenceSpectre軟件對(duì)整個(gè)SARA/D轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了仿真。輸入一個(gè)頻率為1.1084MHz,幅度為249mV的正弦波信號(hào)。輸入一個(gè)周期為16.66ns的正弦波,由內(nèi)部電路驅(qū)動(dòng)為高頻方波信號(hào),作為SARA/D轉(zhuǎn)換器的時(shí)鐘。SARA/D轉(zhuǎn)換器的前仿真結(jié)果如表1所示。仿真條件為:VDD為1.2V,T為27℃,fin為1.1084MHz,fs為5MS/s。表1SARA/D轉(zhuǎn)換器前仿真結(jié)果參數(shù)數(shù)值SINAD/dB61.46ENOB/bit9.89SFDR/dB76.32DNL/LSB+0.25/-0.25INL/LSB+0.14/-0.15PALL/mW2.07輸入一個(gè)頻率為1.1084MHz,幅度為249mV的正弦波信號(hào),對(duì)該A/D轉(zhuǎn)換器的后仿真輸出采樣1024點(diǎn),使用Matlab軟件進(jìn)行FFT分析,得到的FFT結(jié)果

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ence軟件布局布線。3仿真與測(cè)試結(jié)果基于GSMC0.13μm1P7M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,設(shè)計(jì)的SARA/D轉(zhuǎn)換器版圖如圖7所示。按照模擬電路與數(shù)字電路分開原則,將邏輯電路、開關(guān)、電容DAC和比較器按順序依次擺放,以減小數(shù)字部分的干擾。將對(duì)環(huán)境敏感的比較器前置運(yùn)算放大器放在了保護(hù)環(huán)內(nèi),有效地減小了外界干擾。芯片的核心電路尺寸為500μm×360μm,芯片照片如圖8所示。圖7SARA/D轉(zhuǎn)換器版圖圖8SARA/D轉(zhuǎn)換器芯片照片使用CadenceSpectre軟件對(duì)整個(gè)SARA/D轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了仿真。輸入一個(gè)頻率為1.1084MHz,幅度為249mV的正弦波信號(hào)。輸入一個(gè)周期為16.66ns的正弦波,由內(nèi)部電路驅(qū)動(dòng)為高頻方波信號(hào),作為SARA/D轉(zhuǎn)換器的時(shí)鐘。SARA/D轉(zhuǎn)換器的前仿真結(jié)果如表1所示。仿真條件為:VDD為1.2V,T為27℃,fin為1.1084MHz,fs為5MS/s。表1SARA/D轉(zhuǎn)換器前仿真結(jié)果參數(shù)數(shù)值SINAD/dB61.46ENOB/bit9.89SFDR/dB76.32DNL/LSB+0.25/-0.25INL/LSB+0.14/-0.15PALL/mW2.07輸入一個(gè)頻率為1.1084MHz,幅度為249mV的正弦波信號(hào),對(duì)該A/D轉(zhuǎn)換器的后仿真輸出采樣1024點(diǎn),使用Matlab軟件進(jìn)行FFT分析,得到的FFT結(jié)果如圖9所示。圖9后仿真結(jié)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種2.5V1-MS/s 12位逐次逼近A/D轉(zhuǎn)換器[J]. 孫彤,李冬梅.  微電子學(xué). 2007(05)
[2]逐次逼近A/D轉(zhuǎn)換器綜述[J]. 孫彤,李冬梅.  微電子學(xué). 2007(04)

碩士論文
[1]植入式高能效SAR ADC的研究與設(shè)計(jì)[D]. 趙達(dá)勤.華南理工大學(xué) 2013



本文編號(hào):2909342

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