有機光敏場效應(yīng)管（photoresponsive organic field-effect transistors,photOFETs）屬于有機場效應(yīng)管（organic field-effect transistors,OFETs）,是OFET中的重要分支,將光信號轉(zhuǎn)化為電信號,可廣泛應(yīng)用于光敏傳感與光敏成像等相關(guān)領(lǐng)域。目前對于光敏場效應(yīng)管的物理模型研究并不充分,本文工作即針對單層PbPc（酞菁鉛）、TiOPc（酞菁氧鈦）photOFET開展了物理模型的建立與應(yīng)用研究,主要工作內(nèi)容與結(jié)論如下:基于底柵頂接觸,制備的單層PbPc、TiOPc photOFET,并且測試了其在808nm下,不同柵壓下電學(xué)特性,同時分析了不同光照強度下光生電流的變化情況,計算其黑暗與光照下的閾值電壓與載流子遷移率。分別研究了基于太陽能電池、光敏二極管的光生電流模型,結(jié)合無機光敏晶體管推導(dǎo)出適用于光敏有機場效應(yīng)晶體管的光生電流模型,對于飽和區(qū)的光生電流模型進(jìn)行修正并用Matlab擬合其參數(shù),實現(xiàn)了對PbPc、TiOPc photOFET不同柵壓下不同入射光強度下的擬合,擬合數(shù)據(jù)與實驗數(shù)據(jù)非常接近。從擬合結(jié)果中看... 

【文章來源】：中國計量大學(xué)浙江省

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

第一支真正意義上的photOFET結(jié)構(gòu)

(b) (d)圖 2.1 單柵器件結(jié)構(gòu) （a）底柵頂結(jié)構(gòu) （b）底柵底結(jié)構(gòu) （c）頂柵頂結(jié)構(gòu) （d）頂柵底結(jié)構(gòu)2.1.2 雙柵結(jié)構(gòu)所謂雙柵結(jié)構(gòu)就是對于一個器件來說，同時存在兩個柵電極控制溝道的形成。雙柵結(jié)構(gòu)的好處在于在有機半導(dǎo)體層?xùn)艠O對載流子較好的調(diào)制作用。在 198年，基于無機半導(dǎo)體的雙柵薄膜場效應(yīng)晶體管首次被 Luo 等人提出[24]。隨后 198年以及 1992 年，Tuan 以及 Kaneko 等人分別對于氫化非晶硅的雙柵場效應(yīng)晶體管進(jìn)行了報道。在 2005 年，Cui 和 Liang 等人首次將雙柵結(jié)構(gòu)應(yīng)用于并五苯photOFET。雙柵結(jié)構(gòu)如圖 2.2 所示，具有底部柵電極、底柵絕緣層、有機半導(dǎo)體層、源漏電極、頂柵絕緣層以及頂部柵電極。底部柵電極的作用是在溝道中實現(xiàn)載流子的積累，頂部柵電極施加電壓增加溝道電導(dǎo)率。因此，閾值電壓可以依靠額外的電壓控制，但是這需要額外的柵極材料以及額外的制備工藝步驟。雙柵結(jié)

圖 2.2 雙柵結(jié)構(gòu)的 photOFETs制備了基于 PDPP-TNT 為有機半導(dǎo)體層的電壓更低、產(chǎn)生的漏源電流更大，比單柵模Liang 等人制備的雙柵結(jié)構(gòu)的晶體管產(chǎn)生的，亞閾值斜率增加了 35%。FETs 的開關(guān)電流比更大，尤其是對關(guān)電流望用這種結(jié)構(gòu)實現(xiàn)新型的電路，實現(xiàn)環(huán)形振，故這種結(jié)構(gòu)更適用于顯示器件的應(yīng)用。也是一種單柵控制結(jié)構(gòu)，但是由于導(dǎo)電溝道其傳輸性能將會優(yōu)于傳統(tǒng)的單柵結(jié)構(gòu)。photO態(tài)、載流子遷移率以及較長的溝道等條件影術(shù)實現(xiàn)短溝道長度。因此，降低驅(qū)動電壓又


本文編號：2905069