單壁碳納米管薄膜作為一種二維結(jié)構(gòu)材料,以其優(yōu)異的化學(xué)、力學(xué)以及電學(xué)等性能在薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管和傳感器等方面具有巨大的應(yīng)用前景。碳納米管薄膜的均勻性、密度和相貌會(huì)對(duì)器件的性能具有決定性影響,如何提高薄膜器件性能的一致性是后續(xù)邏輯電路集成的重要前提。本論文利用溶液法沉積了高質(zhì)量的半導(dǎo)體性碳納米管薄膜,構(gòu)建了大規(guī)模、高性能的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列,提升了器件制備過程的可重復(fù)性,并對(duì)薄膜器件的電流轉(zhuǎn)移滯回特性進(jìn)行了研究分析。主要研究內(nèi)容如下:對(duì)溶液法沉積碳納米管薄膜的實(shí)驗(yàn)參數(shù)做了改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了不同密度碳納米管薄膜在Si/SiO₂基底上的均勻沉積;研究了碳納米管的密度和形貌對(duì)薄膜方塊電阻的影響規(guī)律。選擇了三種不同密度的半導(dǎo)體性碳納米管薄膜作為導(dǎo)電溝道層,利用紫外光刻技術(shù)制備了大規(guī)模的碳納米管薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列,對(duì)比研究了碳管密度對(duì)薄膜晶體管電流轉(zhuǎn)移特性及輸出特性的影響,通過大批量測(cè)試分析研究了器件性能的一致性及制備過程的可重復(fù)性。研究結(jié)果表明,密度適中的碳納米管薄膜能夠用于構(gòu)建大規(guī)模、高性能、可重復(fù)性良好的晶體管器件陣列。研究了柵極電壓掃描范圍、掃描速率以及氣氛條件對(duì)薄膜器件電... 

【文章來源】：燕山大學(xué)河北省

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

碳的同素異形體：富勒烯[1]

碳納米管卷曲六方晶格

燕山大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文學(xué)、化學(xué)和力學(xué)等性質(zhì)得到了充分發(fā)揮。特的電子特性使其在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有性很大程度上依賴于它的手性矢量 Ch，即納米管約占三分之一左右（m = n 或 n-m 為之二。半導(dǎo)體性碳納米管是一種理想的器射長達(dá)數(shù)百納米，其載流子具有較長的平形成彈道自由輸運(yùn)[7]；其次，室溫下半導(dǎo)體00 cm2V-1s-1[8,9]；最后，其納米尺度的管徑的溝道寬度下滿足柵極對(duì)器件的場(chǎng)效應(yīng)控


本文編號(hào)：2904524