本文采用微電子機械加工技術（MEMS）和等離子增強化學氣相沉積（PECVD）方法構建nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結硅磁敏三極管（SMST）基本結構,該結構采用nc-Si:H（n）/c-Si（p）異質(zhì)結作為硅磁敏三極管發(fā)射結,包括基極（B）、集電極（C）和發(fā)射極（E）。通過理論分析異質(zhì)結的高注入比特性,給出nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結硅磁敏三極管工作原理,理論分析給出,該nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結能夠改善硅磁敏三極管磁敏特性和溫度特性。在此基礎上,采用ATLAS軟件構建nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結硅磁敏三極管仿真結構模型,通過分析IC-VCE特性、磁敏特性和溫度特性,并與同質(zhì)結硅磁敏三極管相應特性進行對比,同時研究基區(qū)長度（L）、基區(qū)寬度（w）和集電結面積（SC）等因素對nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結硅磁敏三極管特性的影響,實現(xiàn)結構尺寸優(yōu)化。在此基礎上,本文在p型<100>晶向高阻（ρ>1000Ω·cm）單晶硅襯底上實現(xiàn)nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結硅磁敏三極管芯片設計、制作和封裝。在室溫條件下,采用半導體特性分析系統(tǒng)（KEITHLEY 4200）、磁場發(fā)生器系... 

【文章來源】：黑龍江大學黑龍江省

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅磁敏三極管結構圖

圖 1-7 橫向和縱向磁場傳感器版圖g.1-7 Horizontal and vertical magnetic field sensor la圖 1-8 側墻型磁敏三極管結構圖tructure diagram of magnetic sensitivity transistor wisors and Actuators A》報道了一種采用 CMO8 為其基本結構圖。集電極電流隨外加磁場

一個橫向晶體管（測試橫向磁場 Bz）組成，每連接，不同的是基區(qū)的擴散深度和雜質(zhì)濃度[13變化范圍是 15-40% T 1，傳感器輸出信號與外溫度漂移[16]。圖 1-7 橫向和縱向磁場傳感器版圖Fig.1-7 Horizontal and vertical magnetic field sensor lay

【參考文獻】：
期刊論文
[1]不同偏置影響鍺硅異質(zhì)結雙極晶體管單粒子效應的三維數(shù)值仿真研究[J]. 張晉新,賀朝會,郭紅霞,唐杜,熊涔,李培,王信.  物理學報. 2014(24)
[2]溝槽型發(fā)射極SiGe異質(zhì)結雙極晶體管新結構研究[J]. 劉靜,武瑜,高勇.  物理學報. 2014(14)
[3]超結硅鍺碳異質(zhì)結雙極晶體管機理研究與特性分析優(yōu)化[J]. 劉靜,郭飛,高勇.  物理學報. 2014(04)
[4]基于ATLAS新型硅磁敏三極管特性仿真研究[J]. 趙曉鋒,溫殿忠,潘東陽,王志強,修德軍.  黑龍江大學工程學報. 2011(04)
[5]具有部分超結的新型SiC SBD特性分析[J]. 楊銀堂,耿振海,段寶興,賈護軍,余涔,任麗麗.  物理學報. 2010(01)
[6]Fabrication and characteristics of the nc-Si/c-Si heterojunction MAGFET[J]. 趙曉鋒,溫殿忠.  半導體學報. 2009(11)
[7]傳感器靜態(tài)特性的評定[J]. 隋文濤,張丹.  傳感器與微系統(tǒng). 2007(03)
[8]基于MEMS技術新型硅磁敏三極管負阻-振蕩特性[J]. 趙曉鋒,溫殿忠.  半導體學報. 2005(06)
[9]采用MEMS制作新型硅磁敏三極管特性研究[J]. 趙曉鋒,田鳳軍,溫殿忠.  傳感器技術. 2004(09)
[10]激光刻蝕硅磁敏三極管發(fā)射區(qū)引線槽的研究[J]. 溫殿忠.  中國激光. 2003(05)



本文編號：2903872