本文采用微電子機(jī)械加工技術(shù)（MEMS）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）方法構(gòu)建nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)硅磁敏三極管（SMST）基本結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)采用nc-Si:H（n）/c-Si（p）異質(zhì)結(jié)作為硅磁敏三極管發(fā)射結(jié),包括基極（B）、集電極（C）和發(fā)射極（E）。通過理論分析異質(zhì)結(jié)的高注入比特性,給出nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)硅磁敏三極管工作原理,理論分析給出,該nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)能夠改善硅磁敏三極管磁敏特性和溫度特性。在此基礎(chǔ)上,采用ATLAS軟件構(gòu)建nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)硅磁敏三極管仿真結(jié)構(gòu)模型,通過分析IC-VCE特性、磁敏特性和溫度特性,并與同質(zhì)結(jié)硅磁敏三極管相應(yīng)特性進(jìn)行對比,同時研究基區(qū)長度（L）、基區(qū)寬度（w）和集電結(jié)面積（SC）等因素對nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)硅磁敏三極管特性的影響,實現(xiàn)結(jié)構(gòu)尺寸優(yōu)化。在此基礎(chǔ)上,本文在p型<100>晶向高阻（ρ>1000Ω·cm）單晶硅襯底上實現(xiàn)nc-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)硅磁敏三極管芯片設(shè)計、制作和封裝。在室溫條件下,采用半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)（KEITHLEY 4200）、磁場發(fā)生器系... 

【文章來源】：黑龍江大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

硅磁敏三極管結(jié)構(gòu)圖

圖 1-7 橫向和縱向磁場傳感器版圖g.1-7 Horizontal and vertical magnetic field sensor la圖 1-8 側(cè)墻型磁敏三極管結(jié)構(gòu)圖tructure diagram of magnetic sensitivity transistor wisors and Actuators A》報道了一種采用 CMO8 為其基本結(jié)構(gòu)圖。集電極電流隨外加磁場

一個橫向晶體管（測試橫向磁場 Bz）組成，每連接，不同的是基區(qū)的擴(kuò)散深度和雜質(zhì)濃度[13變化范圍是 15-40% T 1，傳感器輸出信號與外溫度漂移[16]。圖 1-7 橫向和縱向磁場傳感器版圖Fig.1-7 Horizontal and vertical magnetic field sensor lay

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]溝槽型發(fā)射極SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管新結(jié)構(gòu)研究[J]. 劉靜,武瑜,高勇.  物理學(xué)報. 2014(14)
[3]超結(jié)硅鍺碳異質(zhì)結(jié)雙極晶體管機(jī)理研究與特性分析優(yōu)化[J]. 劉靜,郭飛,高勇.  物理學(xué)報. 2014(04)
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本文編號：2903872