1833年英國科學家法拉第發(fā)現(xiàn)了硫化銀的半導體性質-其電阻隨著溫度的上升而降低,從此揭開了人們對半導體材料的研究。半導體技術的研究與發(fā)展對人類社會產(chǎn)生了深遠影響,而具有高穩(wěn)定性、高可靠性的單光子源對量子通訊技術的發(fā)展至關重要�；诜至雽w自組織量子點的單光子源是很好的選擇,它具有高亮度、窄線寬、短壽命、易于集成等一系列優(yōu)點,因此具有重要的科研價值和廣泛的應用前景。隨著生長工藝的不斷發(fā)展,以砷化銦/砷化鎵（InAs/GaAs）為代表的第二代半導體自組織量子點單光子源的制備已趨于成熟。它屬于直接帶隙半導體材料,具有較高的發(fā)光效率和電子遷移率,可以用來制作高性能的微波、毫米波器件,在衛(wèi)星通訊、光通訊等領域具有廣泛的應用。目前制備InAs/GaAs自組織量子點的方法主要是分子束外延（MBE）,通過精確控制生長工藝與生長參數(shù)來制備高質量的樣品。另一方面在量子點器件的使用過程中,不可避免的會遇到各種環(huán)境要求,如高溫焊接,位置固定,集成組裝等,這將對量子點的性能產(chǎn)生一定的影響,學者對該問題保持著持續(xù)的關注和研究。但對樣品發(fā)生形變后光學性質的研究少之又少,而在量子點器件的加工過程中樣品形變是難以避免... 

【文章來源】：山西大學山西省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

為GaAs閃鋅礦晶體結構（a）立體效果圖（b）沿[110]方向的投影圖

GaAs能帶結構

InAs的能帶結構


本文編號：2900798