1833年英國(guó)科學(xué)家法拉第發(fā)現(xiàn)了硫化銀的半導(dǎo)體性質(zhì)-其電阻隨著溫度的上升而降低,從此揭開(kāi)了人們對(duì)半導(dǎo)體材料的研究。半導(dǎo)體技術(shù)的研究與發(fā)展對(duì)人類(lèi)社會(huì)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響,而具有高穩(wěn)定性、高可靠性的單光子源對(duì)量子通訊技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要�；诜至雽�(dǎo)體自組織量子點(diǎn)的單光子源是很好的選擇,它具有高亮度、窄線寬、短壽命、易于集成等一系列優(yōu)點(diǎn),因此具有重要的科研價(jià)值和廣泛的應(yīng)用前景。隨著生長(zhǎng)工藝的不斷發(fā)展,以砷化銦/砷化鎵（InAs/GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體自組織量子點(diǎn)單光子源的制備已趨于成熟。它屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料,具有較高的發(fā)光效率和電子遷移率,可以用來(lái)制作高性能的微波、毫米波器件,在衛(wèi)星通訊、光通訊等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。目前制備InAs/GaAs自組織量子點(diǎn)的方法主要是分子束外延（MBE）,通過(guò)精確控制生長(zhǎng)工藝與生長(zhǎng)參數(shù)來(lái)制備高質(zhì)量的樣品。另一方面在量子點(diǎn)器件的使用過(guò)程中,不可避免的會(huì)遇到各種環(huán)境要求,如高溫焊接,位置固定,集成組裝等,這將對(duì)量子點(diǎn)的性能產(chǎn)生一定的影響,學(xué)者對(duì)該問(wèn)題保持著持續(xù)的關(guān)注和研究。但對(duì)樣品發(fā)生形變后光學(xué)性質(zhì)的研究少之又少,而在量子點(diǎn)器件的加工過(guò)程中樣品形變是難以避免... 

【文章來(lái)源】：山西大學(xué)山西省

【文章頁(yè)數(shù)】：61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

為GaAs閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（a）立體效果圖（b）沿[110]方向的投影圖

GaAs能帶結(jié)構(gòu)

InAs的能帶結(jié)構(gòu)


本文編號(hào)：2900798