大數(shù)據(jù)信息時(shí)代的到來(lái)對(duì)計(jì)算機(jī)芯片的容量和運(yùn)行效率提出了更高的要求,基于馮·諾依曼架構(gòu)的傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)芯片正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),新興的人工智能芯片旨在模擬大腦的信息存儲(chǔ)和運(yùn)作模式成為新一代研究熱點(diǎn)。近年來(lái),憶阻器的提出和發(fā)展為實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和人工智能芯片提供了新啟示,憶阻器是一種通過(guò)導(dǎo)電狀態(tài)的改變來(lái)記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量的電阻器,與神經(jīng)突觸有著高度相似的傳輸特性。目前,基于有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)建的憶阻器因其低功耗、高集成度、生物兼容、可大面積制備、可柔性拉伸等優(yōu)勢(shì)而被廣泛研究,但目前有機(jī)憶阻器存在著憶阻響應(yīng)曲線(xiàn)粗糙且耐受性弱等問(wèn)題,不利于神經(jīng)形態(tài)計(jì)算功能的實(shí)現(xiàn)。因此,設(shè)計(jì)和制備出平滑漸變且高性能的有機(jī)半導(dǎo)體憶阻器是首要前提,在此基礎(chǔ)上進(jìn)行神經(jīng)形態(tài)功能模擬,進(jìn)而為憶阻器應(yīng)用于人工智能芯片提供技術(shù)儲(chǔ)備。本論文首先從功能材料、憶阻機(jī)理和突觸功能模擬等方面介紹了憶阻器的發(fā)展,在此基礎(chǔ)上,制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/TPP（四苯基卟啉）/Al₂O_3-x/Al的有機(jī)半導(dǎo)體憶阻器,研究了器件的電學(xué)性能、憶阻機(jī)理和神經(jīng)突觸功能模擬,并將免疫的概念引入憶阻器中,通過(guò)憶阻器模擬免疫... 

【文章來(lái)源】：南京郵電大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】：66 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

電路的四個(gè)基本元件和四個(gè)變量間的關(guān)系

4 （a）蛋清和蛋黃的光學(xué)圖像，（b）存儲(chǔ)在玻璃瓶中被分離的蛋清，（c）ITO 玻璃襯底的）旋涂蛋清后的 ITO 玻璃襯底的 AFM 圖像，（e）脈沖信號(hào)依賴(lài)的功能模擬，（f）脈沖刺激和突觸權(quán)重保留比率的關(guān)系質(zhì)作為一種來(lái)源豐富的生物材料，是所有生物體不可缺少的天然成分。2016 年選擇 IZO 為上電極，ITO 為下電極，將高質(zhì)子導(dǎo)電性的天然雞蛋白作為偶聯(lián)電 ITO 電極上，制備了有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化的人工突觸器件[34]，如圖 1.4 所示，并成功

電大學(xué)專(zhuān)業(yè)學(xué)位碩士研究生學(xué)位論文 后在電場(chǎng)作用下，金屬陽(yáng)離子在介質(zhì)層中遷移并在惰性電極處被還原，其還原M n → M 還原后的金屬原子在惰性電極處發(fā)生堆積并沿活性電極生長(zhǎng)，進(jìn)而導(dǎo)致阻變層成。值得一提的是，活性電極的氧化和金屬陽(yáng)離子的遷移都需要一定的電場(chǎng)強(qiáng)電壓或者電場(chǎng)強(qiáng)度過(guò)小時(shí)，均不會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電絲的形成和破裂，因此，絲狀電導(dǎo)易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備有著巨大潛力。


本文編號(hào)：2899560