用于MEMS氣體傳感器的檢測芯片設計與實現(xiàn)
發(fā)布時間:2020-12-04 06:41
在全面進入信息電子化時代的社會中,人們需要獲取的信息種類、信息數(shù)據(jù)越來越多,傳感器是獲取電子信息的重要媒介,它能將自然界的非電量信息轉(zhuǎn)化成人們可測量可認識的電量信息。其中氣體傳感器作為現(xiàn)如今常用的傳感器之一,已經(jīng)深入到了生活中的方方面面,如在環(huán)境監(jiān)測、家庭安全、工業(yè)安全和航空航天領(lǐng)域等等,MEMS氣體傳感器則作為氣體傳感器中的佼佼者更是得到了廣泛的應用。MEMS氣體傳感器的檢測原理是對其阻值的測量,其阻值隨著氣體濃度變化而變化,傳統(tǒng)常用的MEMS氣體傳感器檢測電路為電阻分壓法、惠斯通電橋法等,這些都是基于ADC進行采樣檢測。隨著MEMS氣體傳感器的性能不斷地提高,傳感器的動態(tài)變化范圍增大,此時基于ADC的檢測電路就需要高精度的ADC,但是對于高精度ADC來說,設計難度大,集成化成本高。由此采用了一種新穎的檢測電路技術(shù),將傳感器的電阻轉(zhuǎn)換成頻率(resistance to frequency,簡稱RTF)技術(shù),相比較于常用的檢測電路,RTF技術(shù)兼?zhèn)涓鞣矫娴膬?yōu)勢,動態(tài)測量范圍廣,結(jié)構(gòu)簡單,設計難度小等優(yōu)勢。本文針對RTF技術(shù)進行了研究,探討了高動態(tài)范圍測量的實現(xiàn)方法。采用了基于RC振蕩電路...
【文章來源】:中國科學技術(shù)大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?MEMS氣體傳感器結(jié)構(gòu)圖??
隔離層將怕微加熱器與叉指電極以及Sn02納米薄膜分離;傳感器有4個電極,??其中兩個用于檢測響應信號,將Sn〇2納米薄膜的電阻連接到外圍電路上進行測??量,另外兩個電極用于連接加熱器[1_3]。MEMS氣體傳感器的等效電路如圖1.2??所示,整體來說氣體傳感器由一個加熱器和一個傳感器表面敏感材料組成,加??熱器被建模為一個小電阻(Rh),它通過流過的大量電流和耗散必要的功率來??提高溫度。一旦加熱器電阻(RH)通過加熱電壓提供到一定的高溫工作環(huán)境,??氣體通過敏感材料的吸附和解吸原理改變傳感器自身阻值(Rs)?當環(huán)境中??氣體濃度發(fā)生變化時,傳感器的電阻值也隨之產(chǎn)生變化,根據(jù)阻值就可以檢測??出此時的氣體濃度。??論??圖1.1?MEMS氣體傳感器結(jié)構(gòu)圖??2-L ̄—1??1?傳感器?|??<Rs?\??|?I??4-fjz?ZZT3??圖1.2?MEMS氣體傳感器等效電路圖??隨著MEMS氣體傳感器技術(shù)不斷地成熟,不斷地發(fā)展,也使得氣體識別技??術(shù)的研宄成為人工智能領(lǐng)域的一種趨勢>8]。目前Sn02和W03半導體氣體傳感??器己成功商業(yè)化[9-10],如?Figaro?TGS8100、AMS?CCS801、Sensirion?SGP30、??2??
Shurmer和Gardner等人1992年對于關(guān)于電子鼻氣味識別(未使用CMOS??工藝)的研宄[28],算是最為早期的完整氣體傳感器檢測系統(tǒng),它采用的就是電??阻分壓法。如圖1.3所示,電阻分壓法是一個簡單方便搭建的檢測電路,但是??在檢測氣體時,隨著氣體濃度的增加,氣體傳感器的時間響應和穩(wěn)態(tài)電壓下降??的速度很快,當氣體濃度增加至一定時,就看不出輸出電壓的變化,而且對于??傳感器電阻的微小變化不太敏感,所以在進行ASIC設計時需要在芯片上集成??各種阻值的電阻,以適應傳感材料電阻各種的變化然而集成大電阻或者多??種電阻進行匹配時,則電阻需要占用的芯片面積也非常的大。而且氣體濃度與??輸出電壓之間存在著非線性關(guān)系,這給氣體識別算法和數(shù)據(jù)處理上增加了復雜??性[22]。??—VDD??yv?Lxrn??/?\Vs_?_?—?ADC??圖1.4惠斯通電橋法??而對于惠斯通電橋法,該方法可以使得輸出電壓信號呈線性關(guān)系,但是其??輸出電壓幅值小
【參考文獻】:
期刊論文
[1]10GHz 2分頻器芯片設計[J]. 吳南民,盧彥民. 信息化研究. 2014(06)
[2]一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源設計[J]. 金梓才,戴慶元,黃文理. 電子器件. 2009(06)
[3]一種比較器電路的自動失調(diào)補償方法[J]. 楊士華,李文淵. 電子與封裝. 2009(07)
[4]全差分高速低電壓鎖存比較器的設計[J]. 姚遠,李萍,李章全. 電子測量技術(shù). 2009(07)
[5]新型高速高精度CMOS預充電比較器[J]. 王江燕,裴杰. 電子科技. 2009(05)
[6]電源IC發(fā)展趨勢綜述[J]. 亦光. 電子測試. 2007(12)
[7]一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護電路[J]. 吳斯敏,鄒雪城,余國義. 艦船電子工程. 2007(04)
[8]一種新型的BiCMOS帶隙基準電壓源[J]. 陳友福,李平,劉銀,羅和平. 微電子學. 2006(03)
碩士論文
[1]基于FPGA的時間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)技術(shù)的研究[D]. 魏煜秦.西北師范大學 2018
本文編號:2897171
【文章來源】:中國科學技術(shù)大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?MEMS氣體傳感器結(jié)構(gòu)圖??
隔離層將怕微加熱器與叉指電極以及Sn02納米薄膜分離;傳感器有4個電極,??其中兩個用于檢測響應信號,將Sn〇2納米薄膜的電阻連接到外圍電路上進行測??量,另外兩個電極用于連接加熱器[1_3]。MEMS氣體傳感器的等效電路如圖1.2??所示,整體來說氣體傳感器由一個加熱器和一個傳感器表面敏感材料組成,加??熱器被建模為一個小電阻(Rh),它通過流過的大量電流和耗散必要的功率來??提高溫度。一旦加熱器電阻(RH)通過加熱電壓提供到一定的高溫工作環(huán)境,??氣體通過敏感材料的吸附和解吸原理改變傳感器自身阻值(Rs)?當環(huán)境中??氣體濃度發(fā)生變化時,傳感器的電阻值也隨之產(chǎn)生變化,根據(jù)阻值就可以檢測??出此時的氣體濃度。??論??圖1.1?MEMS氣體傳感器結(jié)構(gòu)圖??2-L ̄—1??1?傳感器?|??<Rs?\??|?I??4-fjz?ZZT3??圖1.2?MEMS氣體傳感器等效電路圖??隨著MEMS氣體傳感器技術(shù)不斷地成熟,不斷地發(fā)展,也使得氣體識別技??術(shù)的研宄成為人工智能領(lǐng)域的一種趨勢>8]。目前Sn02和W03半導體氣體傳感??器己成功商業(yè)化[9-10],如?Figaro?TGS8100、AMS?CCS801、Sensirion?SGP30、??2??
Shurmer和Gardner等人1992年對于關(guān)于電子鼻氣味識別(未使用CMOS??工藝)的研宄[28],算是最為早期的完整氣體傳感器檢測系統(tǒng),它采用的就是電??阻分壓法。如圖1.3所示,電阻分壓法是一個簡單方便搭建的檢測電路,但是??在檢測氣體時,隨著氣體濃度的增加,氣體傳感器的時間響應和穩(wěn)態(tài)電壓下降??的速度很快,當氣體濃度增加至一定時,就看不出輸出電壓的變化,而且對于??傳感器電阻的微小變化不太敏感,所以在進行ASIC設計時需要在芯片上集成??各種阻值的電阻,以適應傳感材料電阻各種的變化然而集成大電阻或者多??種電阻進行匹配時,則電阻需要占用的芯片面積也非常的大。而且氣體濃度與??輸出電壓之間存在著非線性關(guān)系,這給氣體識別算法和數(shù)據(jù)處理上增加了復雜??性[22]。??—VDD??yv?Lxrn??/?\Vs_?_?—?ADC??圖1.4惠斯通電橋法??而對于惠斯通電橋法,該方法可以使得輸出電壓信號呈線性關(guān)系,但是其??輸出電壓幅值小
【參考文獻】:
期刊論文
[1]10GHz 2分頻器芯片設計[J]. 吳南民,盧彥民. 信息化研究. 2014(06)
[2]一種基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源設計[J]. 金梓才,戴慶元,黃文理. 電子器件. 2009(06)
[3]一種比較器電路的自動失調(diào)補償方法[J]. 楊士華,李文淵. 電子與封裝. 2009(07)
[4]全差分高速低電壓鎖存比較器的設計[J]. 姚遠,李萍,李章全. 電子測量技術(shù). 2009(07)
[5]新型高速高精度CMOS預充電比較器[J]. 王江燕,裴杰. 電子科技. 2009(05)
[6]電源IC發(fā)展趨勢綜述[J]. 亦光. 電子測試. 2007(12)
[7]一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護電路[J]. 吳斯敏,鄒雪城,余國義. 艦船電子工程. 2007(04)
[8]一種新型的BiCMOS帶隙基準電壓源[J]. 陳友福,李平,劉銀,羅和平. 微電子學. 2006(03)
碩士論文
[1]基于FPGA的時間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)技術(shù)的研究[D]. 魏煜秦.西北師范大學 2018
本文編號:2897171
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