聚合物有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管因其質(zhì)量輕、制備簡(jiǎn)單、成本低廉等優(yōu)勢(shì)而受到工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注,通過(guò)不斷研究在性能上有了很大提升,但其性能還需有待于提高。本文通過(guò)優(yōu)化P3HT薄膜特性來(lái)探索了對(duì)器件性能影響研究。首先,本文探索了不同四種制備方法對(duì)P3HT薄膜特性的影響。通過(guò)分析比較,確定了最優(yōu)的制備方法。其次,探索了不同旋涂速度和退火溫度對(duì)器件性能產(chǎn)生影響。分析發(fā)現(xiàn)當(dāng)以轉(zhuǎn)速為1400rpm、退火溫度為70℃來(lái)制備P3HT時(shí),所得器件的性能較好。但通過(guò)觀測(cè)發(fā)現(xiàn)薄膜存在孔洞現(xiàn)象,影響了薄膜的連續(xù)性。為了解決這一問(wèn)題本文通過(guò)兩種方法來(lái)解決這一問(wèn)題。一種方法是使用PMMA聚合物修飾層。在基于P3HT的OFET最優(yōu)參數(shù)的基礎(chǔ)上,使用旋涂法制作PMMA。通過(guò)分析器件電學(xué)特性和薄膜形貌得出:在退火溫度為100℃的PMMA上制備P3HT薄膜時(shí),器件的載流子遷移率比未修飾的提高了近一個(gè)數(shù)量級(jí),P3HT薄膜形貌也得到明顯的改善。另一種方法是將PS加入到P3HT中。在基于P3HT的OFET最優(yōu)參數(shù)的基礎(chǔ)上,探索了不同摻雜比例與器件性能之間的關(guān)系。不同摻雜比例下薄膜形貌是不同的,器件性能也有所差異。當(dāng)P3HT與PS的比例為1:1時(shí),制得的器件電學(xué)性能較好。通過(guò)兩種方法均使得有機(jī)薄膜質(zhì)量得到改善,器件性能也有所提高,為后續(xù)研究和分析提供了一個(gè)指導(dǎo)方向。
【學(xué)位單位】：西安理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位年份】：2019
【中圖分類】：TN386;TB383.2
【部分圖文】：

圖 2-1 OFET 器件結(jié)構(gòu): (a)底柵頂接觸，(b)底柵底接觸，(c)頂柵頂接觸，(d)頂柵底接觸Fig.2-1 OFET device structure: (a) bottom gate top contact, (b) bottom gate bottom contact,(c) top gate top contact, (d) top gate top contact如圖 2-1（a）、（c）所示，對(duì)于頂接觸器件而言，該結(jié)構(gòu)的活性層制備在介由于介電層的表面比較均一，所得薄膜質(zhì)量較好，但是不適合進(jìn)行大面積生產(chǎn)

圖 2-2 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理圖 The schematic diagram of organic field effect transis參數(shù)線優(yōu)劣的基本參數(shù)為：場(chǎng)效應(yīng)遷移率（μ）、

圖 2-3 P 型 OFET 的輸出（a）和轉(zhuǎn)移（b）特性曲線Fig.2-3 The Output characteristics (a) and Transfer characteristics (b) of P Typical OFET
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本文編號(hào)：2887402