CEPC頂點探測器原型芯片MIC4的數(shù)字讀出設(shè)計與實現(xiàn)
【學(xué)位單位】:華中師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TN40;TP212
【部分圖文】:
算、讀出速度、抗輻射、功耗等性能之間提供合理的折中|81。??MAPS最重要的特征之一是將靈敏區(qū)部分(完成帶電粒子探測)和讀出電路??集成在同一硅基襯底上,如圖1.1IM為其結(jié)構(gòu)示意圖。探測原理如下:在深度摻??雜的P型襯底(p++?substrate)上,低摻雜的P型外延層(p-epitaxial)作為靈敏區(qū),??在P外延層的上層是N阱(N-Well)和P阱(P-Well),N阱與P外延層形成類似光??敏二極管的結(jié)構(gòu),并通過電極連到P阱上NMOS的柵極⑴1。高能帶電粒子穿過??P型外延層時電離產(chǎn)生一定數(shù)量的自由電荷載流子,通過熱擴散,這些載流子??被N阱與P外延層形成的二極管收集起來,再通過NMOS的柵極控制在源極產(chǎn)??生電壓信號,從而形成對帶電粒子的探測。在此過程中,低摻雜外延層與其上??面的p阱和下面的p型襯底的界面處形成了勢壘,像鏡子反射一樣阻礙載流子??的向下擴散
像素探測器讀出??上面MAPS工作原理和結(jié)構(gòu)可以看出,讀出電路負(fù)責(zé)將所有像素單元出到芯片外部。目前像素探測器中的像素陣列包含成千上萬個像素單元一個面積較小和功耗較低的數(shù)字讀出電路能夠?qū)⑾袼仃嚵兄兴邢袼乜焖俚、不丟失的讀出到芯片外成為了?MAPS設(shè)計的關(guān)鍵問題。??前應(yīng)用于高能物理領(lǐng)域的像素探測器讀出方案主要有Global?Shimerl|3】、???ShutteH14!、Toked15】和AERD丨16](這些讀出方法將在第二章進行介紹)。??Shutter每次同時打開和關(guān)閉所有像素,之后再讀出,每次需要讀出的因此讀出時間長難以滿足CEPC頂點探測器的要求。Rolling?Shutter讀每次讀出一行像素單元,粒子擊中較少時讀出效率較低。Token讀出與術(shù)中令牌環(huán)類似取得令牌才能讀出,像素被擊中時才會產(chǎn)生令牌但像延時較大,速度受限。AERD讀出是一種具有優(yōu)先級的讀出方式,可速讀出和降低功耗,但面積較大。這些方案都難以達(dá)到CEPC頂點探。因此,需要根據(jù)CEPC頂點探測器要求設(shè)計新的的數(shù)字讀出方案。下,本文提出了一種滿足CEPC頂點探測器要求的新型讀出方案,并
圖2.1采用Rolling-shutter讀出的MAPS芯片結(jié)構(gòu)圖??使用rollingshutter方案時,像素陣列中每行的積分時間點不一樣,容易造??成如傾斜、拉伸、縮短等畸變。如圖2.2^1所示為采用rollingshutter讀出方式,??被成像物體水平移動時,tl、t2和t3時刻被成像物體分別處于像素陣列的左側(cè)、??中間和右側(cè),可以看到最終成像發(fā)生了畸變。??????tl?t2?t3?Time??二圓固??圖?2.2?Rolling?Shutter?讀出成像??2.3?Token??Token讀出方式與計算機技術(shù)中令牌環(huán)原理相似。其讀出方式是當(dāng)令牌有效??時
【參考文獻】
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本文編號:2872583
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