同時同頻全雙工射頻自干擾抑制芯片關鍵技術研究與驗證
發(fā)布時間:2020-11-01 08:28
為解決日益發(fā)展的無線通信需求與有限頻譜資源之間的矛盾,同時同頻全雙工技術(Co-time Co-frequency Full Duplex,CCFD)得到廣泛關注。CCFD在相同的時隙中,在相同的頻率上進行雙向通信。相比于傳統(tǒng)的雙工模式,CCFD理論上可提升最高一倍的頻譜效率,具有相當廣的應用前景。然而,有效地進行自干擾抑制消除才能保證CCFD系統(tǒng)的正常運行。目前,自干擾抑制技術主要由空域,模擬域與數(shù)字域自干擾抑制三部分組成。其中,模擬域自干擾抑制由于涉及模塊較多,使設備體積較大,小型化是其發(fā)展趨勢。本文以模擬域中的射頻自干擾抑制技術為基本實現(xiàn)目標,進行其芯片化關鍵技術的研究與驗證。論文的主要工作包括以下方面:第一,針對射頻自干擾抑制芯片進行需求分析,確定抑制方案。根據(jù)該芯片用于對講機的應用場景進行芯片功能分析,在409MHz頻段分析了時延,相位,幅度三種因素對目干擾抑制結果的影響,確定芯片可調時延,可控衰減以及可控相移的功能需求,為芯片設計提供理論支持。然后對芯片重要的射頻指標進行理論分析,為確定芯片各單元指標提供參考。第二,根據(jù)芯片的功能需求,對芯片各個功能單元進行設計與仿真。針對芯片的各個功能單元進行結構設計,包括電阻、容感結構的功分單元,MOS管構成的T型可控衰減單元,由全通濾波器實現(xiàn)的可調時延單元,通過矢量合成實現(xiàn)的移相單元以及共源共柵差動放大單元等。然后采用TSMC0.18μμm工藝庫完成各個單元的版圖繪制與仿真,并將仿真結果與設計目標進行對比分析。第三,根據(jù)應用場景設計驗證平臺,對芯片各單元進行功能驗證。為驗證芯片各個單元的功能,設計可對各單元單獨供斷電的電源模塊;根據(jù)芯片設計進行控制信號設置。最后完成對芯片各個單元的功能與指標測試,并根據(jù)測試結果進行分析總結。本文設計與驗證的同時同頻全雙工射頻自干擾抑制芯片,具有理論與實現(xiàn)意義,為后續(xù)的研究提供了參考借鑒。
【學位單位】:電子科技大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TN92;TN40
【部分圖文】:
為了解決日益增長的通儈需求與頻譜資源匱乏的矛盾,同時苘頻全雙工技術??應運而生。不同于傳統(tǒng)的雙工技術,CCFD在相同的時間間隙上,利用相同的頻率,??通過栢同的介質,且收發(fā)雙方使用同樣的通信設備進行數(shù)據(jù)雙向通信[4],如圖1-2??所示。載論上最高可以達到一倍于傳統(tǒng)技術的頻譜利用率。因此同時同頻全雙工??技術是最有潛力的雙工方案,_為它可以使頻譜效率提商一倌。??頻率‘??時間??圖1-2?CCFD?*工模式??在CCFD系統(tǒng)中,由于收發(fā)天線在相同的時隙與相周的頻率工作,因此通信??設備的發(fā)射天線發(fā)射的信號也會被接收天線接收到,形成自干擾,而且^由于同??一收發(fā)天線距離一般較近,自干擾信號往往功率較大,如果不對自于擾傷號進行??抑制,將會使設備無法工作。菌此,CCFD系統(tǒng)的挑戰(zhàn)主要在于自寧擾抑制[5]。目??前畝于擾抑制技術主粟分為空域畝于擾抑制,模擬域自千擾抑制以及數(shù)宇域自千??擾抑制S域自千擾抑制去要使用現(xiàn)代天線技術完成;模擬域自千擾抑制技術戔??要利用■信號疊加完成,廚于保證模數(shù)轉化器(analog?to?digital?converter,ADC)不??產(chǎn)生阻塞;數(shù)宇域自干擾抑制利用數(shù)字信號處理技術完成6這三種抑制技術通常??一起使用
雙工模式對頻譜資濂的消耗,可以將現(xiàn)目前的無線通信頻率總資源等效翻一倍或??一倍以上[火射頻,〒擾抑制技術是其中的關鍵技術,也是該芯片主要解決的問題。??如圖3-1所示。??t射信號??,發(fā)射信號?????自干擾?實際 ̄??齡、、、、, ̄\?接■收信4??1k,?'、、?同時同頻??k-?4〇.〇5m?I?I?3?全雙工心片??r-1?信號??接收信¥??終端ri?Wm終端?——■*;——???信號^理??5?3km?1??—???圖3-1同時同頻全雙工芯片應用場景??16??
?本芯片設計要求有兩條通道對自干擾信號進行抵消,每個通道都需要能單獨對??各自的自干擾抑制信號進行調控,整體的工作模型如圖3-3所示。其中,兩個終端??間在同一時隙內(nèi)使用相同的頻率進行雙工傳輸。以rap;)表示遠終端傳輸而來的有??效信號,表示本地終端自身發(fā)射的信號對自身接收信號產(chǎn)生的干擾,為自干??擾信號,表示接收噪聲,表示通過射頻自干擾抑制芯片產(chǎn)生的自干擾抑??制信號,fp;)表示抵消完成后信號。則接收天線實際接收的信號為??rW?=?r??W?+,;?W?+?40?(3_2)??在與圖3-1類似的實際應用場景中,由于本地終端自身發(fā)射天線與接收天線的??距離遠遠小于遠端設備的距離。根據(jù)電磁波在自由空間傳播損耗公式,在頻率一??定的情況下,傳播距離對信號的損耗有較大的影響。在圖3-1的同時同頻全雙工場??景中
【參考文獻】
本文編號:2865282
【學位單位】:電子科技大學
【學位級別】:碩士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TN92;TN40
【部分圖文】:
為了解決日益增長的通儈需求與頻譜資源匱乏的矛盾,同時苘頻全雙工技術??應運而生。不同于傳統(tǒng)的雙工技術,CCFD在相同的時間間隙上,利用相同的頻率,??通過栢同的介質,且收發(fā)雙方使用同樣的通信設備進行數(shù)據(jù)雙向通信[4],如圖1-2??所示。載論上最高可以達到一倍于傳統(tǒng)技術的頻譜利用率。因此同時同頻全雙工??技術是最有潛力的雙工方案,_為它可以使頻譜效率提商一倌。??頻率‘??時間??圖1-2?CCFD?*工模式??在CCFD系統(tǒng)中,由于收發(fā)天線在相同的時隙與相周的頻率工作,因此通信??設備的發(fā)射天線發(fā)射的信號也會被接收天線接收到,形成自干擾,而且^由于同??一收發(fā)天線距離一般較近,自干擾信號往往功率較大,如果不對自于擾傷號進行??抑制,將會使設備無法工作。菌此,CCFD系統(tǒng)的挑戰(zhàn)主要在于自寧擾抑制[5]。目??前畝于擾抑制技術主粟分為空域畝于擾抑制,模擬域自千擾抑制以及數(shù)宇域自千??擾抑制S域自千擾抑制去要使用現(xiàn)代天線技術完成;模擬域自千擾抑制技術戔??要利用■信號疊加完成,廚于保證模數(shù)轉化器(analog?to?digital?converter,ADC)不??產(chǎn)生阻塞;數(shù)宇域自干擾抑制利用數(shù)字信號處理技術完成6這三種抑制技術通常??一起使用
雙工模式對頻譜資濂的消耗,可以將現(xiàn)目前的無線通信頻率總資源等效翻一倍或??一倍以上[火射頻,〒擾抑制技術是其中的關鍵技術,也是該芯片主要解決的問題。??如圖3-1所示。??t射信號??,發(fā)射信號?????自干擾?實際 ̄??齡、、、、, ̄\?接■收信4??1k,?'、、?同時同頻??k-?4〇.〇5m?I?I?3?全雙工心片??r-1?信號??接收信¥??終端ri?Wm終端?——■*;——???信號^理??5?3km?1??—???圖3-1同時同頻全雙工芯片應用場景??16??
?本芯片設計要求有兩條通道對自干擾信號進行抵消,每個通道都需要能單獨對??各自的自干擾抑制信號進行調控,整體的工作模型如圖3-3所示。其中,兩個終端??間在同一時隙內(nèi)使用相同的頻率進行雙工傳輸。以rap;)表示遠終端傳輸而來的有??效信號,表示本地終端自身發(fā)射的信號對自身接收信號產(chǎn)生的干擾,為自干??擾信號,表示接收噪聲,表示通過射頻自干擾抑制芯片產(chǎn)生的自干擾抑??制信號,fp;)表示抵消完成后信號。則接收天線實際接收的信號為??rW?=?r??W?+,;?W?+?40?(3_2)??在與圖3-1類似的實際應用場景中,由于本地終端自身發(fā)射天線與接收天線的??距離遠遠小于遠端設備的距離。根據(jù)電磁波在自由空間傳播損耗公式,在頻率一??定的情況下,傳播距離對信號的損耗有較大的影響。在圖3-1的同時同頻全雙工場??景中
【參考文獻】
相關期刊論文 前3條
1 丁革媛;高寶芹;孫強;;無線通信技術的發(fā)展研究[J];微型機與應用;2014年10期
2 徐強;全欣;潘文生;邵士海;唐友喜;;同時同頻全雙工LTE射頻自干擾抑制能力分析及實驗驗證[J];電子與信息學報;2014年03期
3 鄧佳欣;易忠;張超;孟立飛;唐小金;王斌;;星用FR-4材料本征介電性能隨溫度的變化研究[J];航天器環(huán)境工程;2010年06期
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1 任亞鵬;基于全雙工的認知MIMO系統(tǒng)性能研究[D];南京郵電大學;2016年
2 白小慧;大規(guī)模MIMO系統(tǒng)中能量效率的研究[D];西安電子科技大學;2015年
本文編號:2865282
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