基于超材料的帶阻太赫茲濾波器設(shè)計(jì)與研究
【學(xué)位單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN713
【部分圖文】:
世紀(jì)80年代中后期才被正式命名,在此之前科學(xué)家將其統(tǒng)稱為遠(yuǎn)紅外射線。太赫??茲波是指頻率在〇.l ̄l〇THz范圍的電磁波,波長大概在0.03 ̄3mm范圍,介于微??波與紅外之間,如圖1-1所示。太赫茲波在低頻段與微波有部分重疊,在高頻段與??紅外線有部分重疊,該范圍是正好處于電子學(xué)與光子學(xué)的交叉區(qū)域,這使得太赫茲??波有一些獨(dú)特的性能。目前,對(duì)這一波段還尚未完全開發(fā)。??1??
1996年,英國科學(xué)家J.B.Pendry所領(lǐng)導(dǎo)的科學(xué)小組提出通過金屬線陣列(Wire??Array)實(shí)現(xiàn)了微波頻段的負(fù)介電響應(yīng)[23】。而后經(jīng)過三年的繼續(xù)深入研究,其所在科??研小組在1999年提出采用開口諧振單元(Split?Ring?Resonator,?SRR),如圖1-2所??示,實(shí)現(xiàn)了在微波頻段負(fù)磁導(dǎo)率的電磁響應(yīng)|24]。J.B.Pendry所領(lǐng)導(dǎo)的科學(xué)小組從理??論上證明了負(fù)折射材料的可行性,這激發(fā)了科研人員的興趣。??在2001年,美國物理學(xué)家David?Smith等人提出并制作出在微波波段同時(shí)具??有負(fù)介電常數(shù)和負(fù)磁導(dǎo)率的結(jié)構(gòu),并通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)該結(jié)構(gòu)在0.15?GHz出呈現(xiàn)出負(fù)??折射率特性首次在實(shí)驗(yàn)上證明了負(fù)折射材料的存在,標(biāo)志著人們?cè)诔牧项I(lǐng)??域取得突破性進(jìn)展。這極大的鼓舞了科研人員的信心。??@??圖1-2?SRR單元結(jié)構(gòu)圖。??Fig.?1-2?Schematic?of?SRR?unit?cell.??自Vese丨ago的理論被David?Smith在實(shí)驗(yàn)上證明以后,超材料的研宄吸引了??世界各國科研人員的廣泛關(guān)注,《科學(xué)》雜志將其列入本世紀(jì)前10年的10項(xiàng)重要??科學(xué)進(jìn)展之一[26]。由于基于超材料的太赫茲器件在隱身、探測(cè)、成像、通信等方面??有巨大的應(yīng)用潛力
論文的MuhammadTayyabNouman等人提出了一是基于一種超材料,該超材料組成是將屬-半口環(huán)開口中,而開口環(huán)結(jié)構(gòu)是以AlGaAs/InG的變?nèi)荻䴓O管偏置電壓大小可改變超材料的性。當(dāng)偏置電壓從0V變?yōu)椋常謺r(shí),諧振頻率且在0.58?THz處的插入損耗為4.3?dB,調(diào)制的提高太赫茲器件性能的方法。??r?Dmitriev和Clerisson?Nascimento等人提出率和極化可控的太赫茲濾波器|34],如圖1-4在金屬的襯底上組成的。通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)石在兩個(gè)不同的頻率區(qū)域,并且通過改變石墨動(dòng)態(tài)的調(diào)節(jié)濾波器工作的中心頻率。??I'?"?^?Graphene??
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本文編號(hào):2861094
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