銀鹽半導(dǎo)體材料的制備及其光催化防污性能的研究
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院海洋研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類(lèi)】:TN304;O643.36;O644.1
【部分圖文】:
圖 3.1AgBr/AgVO3材料的制備流程圖Fig. 3.1 The preparation flow diagram ofAgBr/AgVO3Br/AgVO3復(fù)合材料表征X射線(xiàn)衍射儀(Rigaku D/max-3C),掃描電子顯微鏡(SEMJapan),透射電子顯微鏡(TEM,Tecnai G2F20,America)能譜儀(XPS,ESCALAB 250XI,America)等一系列測(cè)VO3復(fù)合材料的結(jié)構(gòu),組成和形貌等進(jìn)行表征。與討論合材料的 X 射線(xiàn)衍射分析 X 射線(xiàn)衍射粉末分析圖譜(XRD)來(lái)表征光催化劑的晶相和
圖 3.3 樣品的掃描電鏡圖:(a)純 AgVO3,(b)純 AgBr,(c)0.1 AgBr/AgVO3,(d)0.3AgBr/AgVO3,(e)0.5AgBr/AgVO3,(f)0.7AgBr/AgVO3Fig. 3.3 SEM images of as-synthesized samples: (a) pureAgVO3, (b) pureAgBr,(c) 0.1AgBr/AgVO3, (d) 0.3AgBr/AgVO3, (e) 0.5AgBr/AgVO3, (f) 0.7 AgBr/AgVO33.3.3AgBr/AgVO3復(fù)合材料 TEM 分析為了進(jìn)一步研究 AgBr/AgVO3復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu),進(jìn)行了 TEM 以及HRTEM 分析。從圖 3.4(a, b)可以更清晰地看出,0.5 AgBr/AgVO3復(fù)合材料是負(fù)載了不規(guī)則顆粒的棒狀結(jié)構(gòu)。此外,圖 3.4(c)的 TEM 圖像清楚地顯示了該復(fù)合材料的棒狀結(jié)構(gòu)的直徑約為 500 nm,而其上負(fù)載的不規(guī)則顆粒平均尺寸約為 50 nm,證實(shí)該復(fù)合材料是納米級(jí)結(jié)構(gòu)。圖 3.4(d)顯示了 0.5 AgBr/AgVO3的 HRTEM 圖像,圖中可清晰地看到兩組不同的晶格條紋,其間距分別為 0.2985
圖 3.4 0.5 AgVO3/AgBr 樣品的 TEM(a, b), HRTEM(c)和 SAED(d)譜圖Fig. 3.4 (a,b) TEM, (c)HRTEM and (d)SAED of as-synthesized 0.5 AgVO3/AgBr compositions3.3.4AgBr/AgVO3復(fù)合材料 XPS 以及 UV-DRS 分析X 射線(xiàn)光電子能譜(XPS)用于研究 0.5 AgBr/AgVO3光催化劑的元素組成和每個(gè)元素的原子價(jià)態(tài)。如圖 3.5(a)所示,從樣品的 XPS 譜圖中可以看出該復(fù)合材料是由 Ag,V,O 和 Br 這四種元素組成。圖 3.5(b)顯示了元素 Ag 3d的高分辨率 XPS 圖譜,在該譜圖中具有兩個(gè)峰,分別為 367.96 eV 和 373.97 eV,說(shuō)明該復(fù)合材料中元素 Ag 的價(jià)態(tài)為+1(Zhang et al., 2018)。在圖 3.5(c)中,V 2p 的譜圖顯示在 524.11 eV 和 516.75 eV 處有兩個(gè)峰,扥別對(duì)應(yīng)于 V 2p1/2 和 V2p3/2,說(shuō)明材料中 AgVO3的元素 V 為+5(Lin et al., 2017; Xiang et al., 2017; Guoe al., 2016)。在 Br 3d 的高分辨率圖譜中,在 68.65 eV 和 69.64 eV 的兩個(gè)強(qiáng)峰分
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本文編號(hào):2856834
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