天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁(yè) > 科技論文 > 電子信息論文 >

銀鹽半導(dǎo)體材料的制備及其光催化防污性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-10-26 09:44
   海洋生物污損涉及了4000多種海洋生物,對(duì)海上工程設(shè)施造成了極大危害。海洋生物污損的防護(hù)方法多種多樣,其中應(yīng)用最為廣泛的是商業(yè)防污涂料,該方法使用簡(jiǎn)便,效果良好,成本低,但由于該類(lèi)涂料中含有殺生物劑,會(huì)對(duì)海洋生態(tài)平衡造成一定的危害。因此,開(kāi)發(fā)環(huán)境友好型的防污涂料或者開(kāi)發(fā)新型防污技術(shù)是刻不容緩的。本論文選擇新型的光催化殺菌防污技術(shù),以AgVO_3和ZnO為基礎(chǔ)材料,分別與Ag_2MoO_4和助催化劑AgBr復(fù)合,構(gòu)建出具有不同的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的復(fù)合光催化劑,增強(qiáng)光捕獲能力并延長(zhǎng)光吸收區(qū)域,抑制電子和空穴對(duì)的重組,進(jìn)而提高其光催化活性,獲得具有優(yōu)異的光催化活性的抗菌防污材料。根據(jù)降解、抗菌實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)以及自由基捕獲實(shí)驗(yàn),評(píng)價(jià)復(fù)合材料的光催化抗菌防污活性,并提出相應(yīng)的光催化反應(yīng)機(jī)理,為開(kāi)發(fā)穩(wěn)定、高效、綠色環(huán)保的抗菌防污半導(dǎo)體材料提供了理論依據(jù)。具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)利用水熱法合成具有一維棒狀結(jié)構(gòu)的AgVO_3納米材料,然后通過(guò)原位生長(zhǎng)法在其上負(fù)載顆粒狀A(yù)gBr,成功制備出由AgVO_3的(501)晶面和AgBr的(200)晶面緊密結(jié)合的AgBr/AgVO_3復(fù)合材料。光催化降解實(shí)驗(yàn)表明,0.5AgBr/AgVO_3復(fù)合材料具有優(yōu)異的光催化活性,在可見(jiàn)光照射下150 min后對(duì)RhB的降解率可達(dá)到92.3%。由光催化抗菌防污實(shí)驗(yàn)得出,在30 min內(nèi),使用0.5AgBr/AgVO_3異質(zhì)結(jié)光催化劑,超過(guò)99.9970%的E.coli,P.aeruginosa和S.aureus被殺死,說(shuō)明0.5 AgBr/AgVO_3復(fù)合材料具有優(yōu)異的殺菌性能。經(jīng)過(guò)6次殺菌循環(huán)實(shí)驗(yàn)后,0.5 AgBr/AgVO_3復(fù)合材料對(duì)P.aeruginosa的抗菌率沒(méi)有明顯降低,表明該復(fù)合材料具有良好的可重復(fù)使用性。根據(jù)自由基捕獲實(shí)驗(yàn)以及上述數(shù)據(jù),提出復(fù)合材料的光催化機(jī)理。(2)利用水熱法和原位生長(zhǎng)法制備了具有不同摩爾比的AgBr/Ag_2MoO_4@AgVO_3光催化劑,研究AgBr和Ag_2MoO_4的不同負(fù)載量對(duì)所制備的復(fù)合材料的光催化活性的影響。結(jié)果表明1.0 AgBr/Ag_2MoO_4@AgVO_3光催化劑對(duì)RhB溶液具有最好的降解效果,降解率達(dá)到了94.9%。在光催化抗菌防污實(shí)驗(yàn)中,1.0 AgBr/Ag_2MoO_4@AgVO_3光催化劑對(duì)三種模式菌的殺菌率均超過(guò)了99.99%,在經(jīng)過(guò)5個(gè)循環(huán)后,該催化劑對(duì)銅綠假單胞菌的抗菌率依然達(dá)到98.5942%,表明該材料具有良好的抗菌性以及穩(wěn)定性。(3)利用水熱法和原位生長(zhǎng)法合成具有Z型結(jié)構(gòu)的AgBr/Ag_2MoO_4@ZnO復(fù)合材料,通過(guò)XRD,SEM,XPS和HRTEM等一系列表征手段對(duì)所制備的復(fù)合材料的形貌,組成和結(jié)構(gòu)等進(jìn)行表征。選擇環(huán)丙沙星(CIP)和羅丹明B(RhB)作為目標(biāo)物進(jìn)行光降解實(shí)驗(yàn),以揭示制備的復(fù)合材料的光催化活性。光催化降解實(shí)驗(yàn)表明,0.5 AgBr/Ag_2MoO_4@ZnO光催化劑在可見(jiàn)光照射下對(duì)環(huán)丙沙星的降解率為80.5%,表現(xiàn)出較好的光催化降解活性。在光照60 min后,超過(guò)99.999%的E.coli,P.aeruginosa和S.aureus被殺滅。此外在5次循環(huán)殺菌實(shí)驗(yàn)后,該催化劑依舊表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性,說(shuō)明0.5 AgBr/Ag_2MoO_4@ZnO復(fù)合光催化劑具有優(yōu)異的光催化活性。通過(guò)自由基捕獲實(shí)驗(yàn)提出復(fù)合材料的光催化反應(yīng)機(jī)理。
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院海洋研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類(lèi)】:TN304;O643.36;O644.1
【部分圖文】:

流程圖,流程圖,射線(xiàn)衍射,粉末分析


圖 3.1AgBr/AgVO3材料的制備流程圖Fig. 3.1 The preparation flow diagram ofAgBr/AgVO3Br/AgVO3復(fù)合材料表征X射線(xiàn)衍射儀(Rigaku D/max-3C),掃描電子顯微鏡(SEMJapan),透射電子顯微鏡(TEM,Tecnai G2F20,America)能譜儀(XPS,ESCALAB 250XI,America)等一系列測(cè)VO3復(fù)合材料的結(jié)構(gòu),組成和形貌等進(jìn)行表征。與討論合材料的 X 射線(xiàn)衍射分析 X 射線(xiàn)衍射粉末分析圖譜(XRD)來(lái)表征光催化劑的晶相和

掃描電鏡圖,樣品,復(fù)合材料,棒狀


圖 3.3 樣品的掃描電鏡圖:(a)純 AgVO3,(b)純 AgBr,(c)0.1 AgBr/AgVO3,(d)0.3AgBr/AgVO3,(e)0.5AgBr/AgVO3,(f)0.7AgBr/AgVO3Fig. 3.3 SEM images of as-synthesized samples: (a) pureAgVO3, (b) pureAgBr,(c) 0.1AgBr/AgVO3, (d) 0.3AgBr/AgVO3, (e) 0.5AgBr/AgVO3, (f) 0.7 AgBr/AgVO33.3.3AgBr/AgVO3復(fù)合材料 TEM 分析為了進(jìn)一步研究 AgBr/AgVO3復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu),進(jìn)行了 TEM 以及HRTEM 分析。從圖 3.4(a, b)可以更清晰地看出,0.5 AgBr/AgVO3復(fù)合材料是負(fù)載了不規(guī)則顆粒的棒狀結(jié)構(gòu)。此外,圖 3.4(c)的 TEM 圖像清楚地顯示了該復(fù)合材料的棒狀結(jié)構(gòu)的直徑約為 500 nm,而其上負(fù)載的不規(guī)則顆粒平均尺寸約為 50 nm,證實(shí)該復(fù)合材料是納米級(jí)結(jié)構(gòu)。圖 3.4(d)顯示了 0.5 AgBr/AgVO3的 HRTEM 圖像,圖中可清晰地看到兩組不同的晶格條紋,其間距分別為 0.2985

譜圖,譜圖,樣品,復(fù)合材料


圖 3.4 0.5 AgVO3/AgBr 樣品的 TEM(a, b), HRTEM(c)和 SAED(d)譜圖Fig. 3.4 (a,b) TEM, (c)HRTEM and (d)SAED of as-synthesized 0.5 AgVO3/AgBr compositions3.3.4AgBr/AgVO3復(fù)合材料 XPS 以及 UV-DRS 分析X 射線(xiàn)光電子能譜(XPS)用于研究 0.5 AgBr/AgVO3光催化劑的元素組成和每個(gè)元素的原子價(jià)態(tài)。如圖 3.5(a)所示,從樣品的 XPS 譜圖中可以看出該復(fù)合材料是由 Ag,V,O 和 Br 這四種元素組成。圖 3.5(b)顯示了元素 Ag 3d的高分辨率 XPS 圖譜,在該譜圖中具有兩個(gè)峰,分別為 367.96 eV 和 373.97 eV,說(shuō)明該復(fù)合材料中元素 Ag 的價(jià)態(tài)為+1(Zhang et al., 2018)。在圖 3.5(c)中,V 2p 的譜圖顯示在 524.11 eV 和 516.75 eV 處有兩個(gè)峰,扥別對(duì)應(yīng)于 V 2p1/2 和 V2p3/2,說(shuō)明材料中 AgVO3的元素 V 為+5(Lin et al., 2017; Xiang et al., 2017; Guoe al., 2016)。在 Br 3d 的高分辨率圖譜中,在 68.65 eV 和 69.64 eV 的兩個(gè)強(qiáng)峰分
【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 王宏;;簡(jiǎn)述半導(dǎo)體材料發(fā)展的現(xiàn)狀及前景[J];南方農(nóng)機(jī);2019年15期

2 伍楚雄;;半導(dǎo)體材料的研究文獻(xiàn)綜述[J];科技創(chuàng)新與應(yīng)用;2019年01期

3 閔俊杰;;半導(dǎo)體材料的性能分析及其應(yīng)用[J];科技傳播;2019年04期

4 于穎;;半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀[J];科技風(fēng);2017年25期

5 王磊;;中國(guó)半導(dǎo)體材料業(yè)的狀況分析[J];內(nèi)燃機(jī)與配件;2018年14期

6 江洪;劉義鶴;張曉丹;;國(guó)外第3代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目國(guó)家支持行動(dòng)初探[J];新材料產(chǎn)業(yè);2017年08期

7 王興艷;;加快發(fā)展我國(guó)第3代半導(dǎo)體材料 力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)趕超[J];新材料產(chǎn)業(yè);2017年08期

8 付婧;;淺談電子科學(xué)技術(shù)中的半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢(shì)[J];數(shù)碼世界;2017年03期

9 王元元;李靖;黎陽(yáng);李文琴;吳子華;祝向榮;馬董云;;基于CDIO理念的《半導(dǎo)體材料》全英文課程教學(xué)初探[J];現(xiàn)代職業(yè)教育;2017年16期

10 王軍喜;劉喆;魏同波;王國(guó)宏;;第3代半導(dǎo)體材料在光電器件方面的發(fā)展和應(yīng)用[J];新材料產(chǎn)業(yè);2014年03期


相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 蔡增華;新型光電半導(dǎo)體材料的第一性原理計(jì)算研究[D];華東師范大學(xué);2019年

2 李夢(mèng)姣;二維層狀半導(dǎo)體材料的光電器件性能與應(yīng)用研究[D];華東師范大學(xué);2019年

3 易寧波;基于微納加工技術(shù)改性半導(dǎo)體材料及其光電器件制備研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2018年

4 吳濤;若干半導(dǎo)體材料電子結(jié)構(gòu)及電荷輸運(yùn)性質(zhì)的理論研究[D];南京理工大學(xué);2018年

5 郭澤清;兩種新型TiO_2(B)-基半導(dǎo)體材料的制備與光催化、吸附性能研究[D];陜西師范大學(xué);2018年

6 呂威;低維半導(dǎo)體材料(InGaN量子阱、InAs量子點(diǎn))顯微結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能關(guān)系研究[D];吉林大學(xué);2005年

7 梁建;新型結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的制備與表征[D];太原理工大學(xué);2005年

8 陳金伙;有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究與試制[D];蘭州大學(xué);2006年

9 蘇煒;有機(jī)功能半導(dǎo)體材料的合成,性質(zhì)及其聚集體的納米結(jié)構(gòu)[D];山東大學(xué);2007年

10 李赫;半導(dǎo)體材料的電沉積制備及其形貌控制研究[D];浙江大學(xué);2007年


相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 徐會(huì)會(huì);銀鹽半導(dǎo)體材料的制備及其光催化防污性能的研究[D];中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院海洋研究所);2019年

2 廖潤(rùn)錢(qián);脫合金法半導(dǎo)體材料的制備及光催化性能的研究[D];深圳大學(xué);2018年

3 趙自豪;C_(60)衍生物基半導(dǎo)體材料的制備及其光催化性能的研究[D];安徽工業(yè)大學(xué);2018年

4 程新;FeVO_4與g-C_3N_4半導(dǎo)體材料的制備及其光電化學(xué)性能研究[D];曲阜師范大學(xué);2018年

5 王灑灑;有機(jī)—無(wú)機(jī)雜化發(fā)光半導(dǎo)體材料[D];福州大學(xué);2017年

6 余江海;摻雜Bi系半導(dǎo)體材料的光誘導(dǎo)功能特性研究[D];大連工業(yè)大學(xué);2017年

7 賴(lài)文龍;N半導(dǎo)體材料公司質(zhì)量管理改進(jìn)[D];華南理工大學(xué);2018年

8 沈宇皓;半導(dǎo)體單缺陷的量子操控及應(yīng)用的理論研究[D];華東師范大學(xué);2017年

9 李嫻雅;XAFS應(yīng)用于半導(dǎo)體材料研究及分析方法創(chuàng)新[D];廣西大學(xué);2017年

10 朱小露;新型改性銀基半導(dǎo)體材料的制備及光催化性能研究[D];江蘇大學(xué);2017年



本文編號(hào):2856834

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2856834.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶(hù)4b43e***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要?jiǎng)h除請(qǐng)E-mail郵箱bigeng88@qq.com