高效率的線性功率放大器設(shè)計
【學(xué)位單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN722.75
【部分圖文】:
第三章 包絡(luò)跟蹤功率放大器設(shè)計出效率和線性度,其中 MN7、R5、R7 和 MN8、R6、R8 構(gòu)成二極管線性化電路,兩級 Cascode 的共柵極晶體管均采用自偏置方式使得功率放大器工作在最佳區(qū)域。功率級的輸入晶體管尺寸選擇為輸出晶體管的 1/3,由于電感扼流圈面積過大,在 CMOS 工藝下不能承受如此大的電流,因此選擇片外電感及匹配網(wǎng)絡(luò)。另外,二極管線性化電路連接在功率輸出級的晶體管柵極,同時具有提供輸入晶體管柵極偏置電壓的作用。根據(jù)指標要求平均輸出功率大于 20dBm,對于固定電源電壓的功率放大器而言,輸出 1dB 壓縮點最好在 22dBm 以上,輸出飽和功率達到 25dBm。在 180nm CMOS 工藝下,共源極的晶體管采用標準晶體管,其柵長取最小 180nm,共柵極的晶體管采用厚柵管,其柵長取 350nm。對功率放大器在不同的溫度下進行了仿真驗證,如圖 3-8 至圖 3-10 所示,表 3-1 總結(jié)了功率放大器在不同溫度下各個指標的具體數(shù)值。
晶體管柵極偏置電壓的作用。根據(jù)指標要求平均輸出功率大于 20dBm,對于固定電源電壓的功率放大器而言,輸出 1dB 壓縮點最好在 22dBm 以上,輸出飽和功率達到 25dBm。在 180nm CMOS 工藝下,共源極的晶體管采用標準晶體管,其柵長取最小 180nm,共柵極的晶體管采用厚柵管,其柵長取 350nm。對功率放大器在不同的溫度下進行了仿真驗證,如圖 3-8 至圖 3-10 所示,表 3-1 總結(jié)了功率放大器在不同溫度下各個指標的具體數(shù)值。圖 3-8 TT 工藝角與 27℃下功率放大器的輸出功率、PAE 和 1dB 壓縮點
圖 3-8 TT 工藝角與 27℃下功率放大器的輸出功率、PAE 和 1dB 壓縮點圖 3-9 TT 工藝角與 80℃下功率放大器的輸出功率、PAE 和 1dB 壓縮點
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