基于陣列優(yōu)化的超低柵瓣光學(xué)相控陣研究
【學(xué)位單位】:南京航空航天大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TN249;TP18
【部分圖文】:
為以后 OPA 的研究奠定了基礎(chǔ)。5 年,美國(guó)加州大學(xué)圣迭戈分校 Thomas 等人使用 PLZT 壓電陶瓷制作了含有 1]。6 年,美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室(Air Force Research Laboratory, AFRL)的 Mc Ma一種由液晶材料制成的快速掃描 OPA[22,23]。同年,美國(guó)雷聲公司生產(chǎn)了由 4制器構(gòu)成的液晶 OPA 器件[17]。1 年,BNS 公司研制了一種由 4096 個(gè)陣元組成的新型液晶 OPA 器件[24]。至 在此前研究的基礎(chǔ)上,將液晶 OPA 的陣元數(shù)增加到 12288 個(gè)。 OPA 的研究主要為液晶 LC 和電光晶體 PLZT 材料的 OPA,除此之外,現(xiàn)如 OPA 研究方向一個(gè)是光波導(dǎo)相控陣,一個(gè)是微機(jī)電系統(tǒng) MEMS 相控陣。光學(xué)移相器的類型主要分為倆類:基于電光移相器的光波導(dǎo)相控陣和基于熱光控陣。移相器是根據(jù)光的電光效應(yīng)[25],即通過外加電壓的方式,改變波導(dǎo)的折射率成調(diào)制功能。2005 年,西安電子科技大學(xué)的石順祥課題組在 GaAs/AlGaAs 的光波導(dǎo)陣列[26],驗(yàn)證了光波導(dǎo)陣列電光掃描器原理的可行性。
學(xué) Stuart Yin 等于 2007 年首次提出簡(jiǎn)易的四陣元32 nm,各陣元輻射強(qiáng)度一致,對(duì)于陣元間距均為場(chǎng)為高斯型,其遠(yuǎn)場(chǎng)柵瓣功率略小于主瓣功率,元間距分別為 10 μm,20 μm 和 15 μm,柵瓣功的有效抑制。大學(xué)奧斯汀分校 Amir Hossein 和 D. Kwong 等應(yīng)現(xiàn)柵瓣的抑制[33],如圖 1.2,相控陣工作波長(zhǎng)為 該方法可以實(shí)現(xiàn)柵瓣的有效抑制并提高 OPA 的為 800 nm,在某一個(gè)掃描方向上±45°時(shí)實(shí)現(xiàn)了-84%),能量效率達(dá)到 18%。東等于 2014 年提出幅度相位聯(lián)合加權(quán)的方法實(shí) OPA,其相控陣工作波長(zhǎng)為 1.55 μm,陣元間距功率從主瓣功率的 80%減小至 20%。其中幅度加函數(shù)。根據(jù)研究,通過幅度相位加權(quán)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)
南京航空航天大學(xué)碩士學(xué)位論文2017 年巴西坎皮納斯大學(xué)(UNICAMP)Pita 等提出并論證了陣元按費(fèi)米曲線分布的稀疏非均勻 OPA[38],相控陣陣元通過費(fèi)米曲線分布可以有效抑制柵瓣。相控陣工作波長(zhǎng)為 1.55 μm費(fèi)米曲線中最小陣元間距為 9 μm; CMOS 工藝的 8 陣元光波導(dǎo) OPA,實(shí)現(xiàn)了 0.9 dB 的旁瓣抑制比(旁瓣功率為主瓣功率的 81%),基于空間光調(diào)制器(SLM)的 64 陣元 OPA 實(shí)現(xiàn)了6.9 dB 的旁瓣抑制比(旁瓣功率為主瓣功率的 20%),如圖 1.3。
【相似文獻(xiàn)】
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