基于雪崩光電二極管的低時(shí)間抖動(dòng)單光子探測(cè)器設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2020-09-12 12:37
單光子探測(cè)在量子通信、激光測(cè)距、光譜分析等領(lǐng)域均有著廣泛的應(yīng)用,而單光子探測(cè)器的時(shí)間抖動(dòng)直接影響了量子密鑰分發(fā)的誤碼率與激光測(cè)距的精度。為了進(jìn)一步改善現(xiàn)有單光子探測(cè)器的時(shí)間特性,本文選用InGaAs/InP雪崩光電二極管(Avalanche Photodiode,APD)作為單光子探測(cè)器的核心器件,在分析了造成其時(shí)間抖動(dòng)的原因的基礎(chǔ)上,提出一種新型的低時(shí)間抖動(dòng)的高速門(mén)控單光子探測(cè)方案,具體包括門(mén)控脈沖合成模塊、雪崩二極管封裝和制冷模塊、單光子源制備模塊以及雪崩信號(hào)處理模塊。其中,在雪崩信號(hào)處理模塊,我們采用低通濾波技術(shù)抑制尖峰噪聲,最大程度地保留雪崩信號(hào)的完整性,并在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提出利用限幅放大器代替比較器將幅度隨機(jī)變化的雪崩信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)的新型探測(cè)方法,從而降低由于雪崩信號(hào)幅度變化引起的時(shí)間抖動(dòng)。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比我們發(fā)現(xiàn),本文提出的探測(cè)方案時(shí)間抖動(dòng)僅為43ps,與傳統(tǒng)的雪崩信號(hào)處理方法相比,時(shí)間抖動(dòng)減小了 32ps。
【學(xué)位單位】:華中師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TN312.7
【部分圖文】:
第二章基于雪崩光電二極管的單光子探測(cè)技術(shù)逡逑2.1雪崩光電二極管工作原理逡逑如圖2.1.1所示,在雪崩光電二極管APD兩端加上合適的反偏電壓,由于結(jié)區(qū)逡逑內(nèi)正負(fù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的內(nèi)建電場(chǎng)與反偏電壓方向相同,內(nèi)建電場(chǎng)就會(huì)加強(qiáng),逡逑耗盡層被拉寬。當(dāng)反向偏壓大于碰撞電離所需的最小場(chǎng)強(qiáng)時(shí),若入射光子的能量大逡逑于材料能帶間隙,價(jià)帶中的電子將吸收光子的能量,受激躍徖形成光生載流子。光逡逑生載流子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下高速運(yùn)動(dòng)并與與晶格原子碰撞,使處于束縛態(tài)的電子受逡逑碰撞后成為自由電子,這就是所謂的碰撞電離效應(yīng)。隨著載流子在外加電場(chǎng)作用下逡逑的高速運(yùn)動(dòng),電離過(guò)程不斷重復(fù),使得載流子的數(shù)量呈指數(shù)形式倍增,這就是APD逡逑的工作原理[12,13]。逡逑牛逡逑_邐一雪崩區(qū)逡逑場(chǎng)邐—W—碰撞電離所需的最小場(chǎng)強(qiáng)逡逑!邋一-邐邐邐—逡逑;:邋mm逡逑p邐i邐p+邋—逡逑邐邐h逡逑邐im邐^逡逑圖2.邋1.邋1雪崩光電二極管典型結(jié)構(gòu)及電場(chǎng)分布逡逑一般來(lái)說(shuō)
光電二極管單光子探測(cè)器的抑制技術(shù)逡逑單個(gè)光子的能量?jī)H為10_19J左右,為了將如此電信號(hào),必須引入相應(yīng)的放大機(jī)制:使APD大增益的雪崩電流。但自持雪崩是一個(gè)正向反猝滅雪崩,雪崩電流將一直存在,既容易損來(lái)的光子,影響探測(cè)器的計(jì)數(shù)率與探測(cè)效率。PW2火主動(dòng)抑制_和門(mén)控模式[23]。逡逑抑制(Passive邋Quenching)逡逑上的反向偏置電壓大于雪崩電壓是其發(fā)生雪雪崩過(guò)程,就必須要將反向偏壓降低至雪崩電圖2.邋3.邋1(a)所示,讓?zhuān)粒校募?jí)聯(lián)一個(gè)100KQ至1
加載在APD上的反向偏置電壓大于雪崩電壓是其發(fā)生雪崩效應(yīng)的必要條件,逡逑因此,為了猝滅雪崩過(guò)程,就必須要將反向偏壓降低至雪崩電壓以下。被動(dòng)抑制技逡逑術(shù)的電路原理如圖2.邋3.邋1(a)所示,讓?zhuān)粒校募?jí)聯(lián)一個(gè)100KQ至1MQ的高阻值抑制電逡逑(a)邋Va邐Va逡逑i邐L逡逑APD邋A逡逑?t:>邋—逡逑圖2.邋3.邋1邐(a)被動(dòng)抑制電路原理(b)主動(dòng)抑制電路原理逡逑8逡逑
【學(xué)位單位】:華中師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TN312.7
【部分圖文】:
第二章基于雪崩光電二極管的單光子探測(cè)技術(shù)逡逑2.1雪崩光電二極管工作原理逡逑如圖2.1.1所示,在雪崩光電二極管APD兩端加上合適的反偏電壓,由于結(jié)區(qū)逡逑內(nèi)正負(fù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的內(nèi)建電場(chǎng)與反偏電壓方向相同,內(nèi)建電場(chǎng)就會(huì)加強(qiáng),逡逑耗盡層被拉寬。當(dāng)反向偏壓大于碰撞電離所需的最小場(chǎng)強(qiáng)時(shí),若入射光子的能量大逡逑于材料能帶間隙,價(jià)帶中的電子將吸收光子的能量,受激躍徖形成光生載流子。光逡逑生載流子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下高速運(yùn)動(dòng)并與與晶格原子碰撞,使處于束縛態(tài)的電子受逡逑碰撞后成為自由電子,這就是所謂的碰撞電離效應(yīng)。隨著載流子在外加電場(chǎng)作用下逡逑的高速運(yùn)動(dòng),電離過(guò)程不斷重復(fù),使得載流子的數(shù)量呈指數(shù)形式倍增,這就是APD逡逑的工作原理[12,13]。逡逑牛逡逑_邐一雪崩區(qū)逡逑場(chǎng)邐—W—碰撞電離所需的最小場(chǎng)強(qiáng)逡逑!邋一-邐邐邐—逡逑;:邋mm逡逑p邐i邐p+邋—逡逑邐邐h逡逑邐im邐^逡逑圖2.邋1.邋1雪崩光電二極管典型結(jié)構(gòu)及電場(chǎng)分布逡逑一般來(lái)說(shuō)
光電二極管單光子探測(cè)器的抑制技術(shù)逡逑單個(gè)光子的能量?jī)H為10_19J左右,為了將如此電信號(hào),必須引入相應(yīng)的放大機(jī)制:使APD大增益的雪崩電流。但自持雪崩是一個(gè)正向反猝滅雪崩,雪崩電流將一直存在,既容易損來(lái)的光子,影響探測(cè)器的計(jì)數(shù)率與探測(cè)效率。PW2火主動(dòng)抑制_和門(mén)控模式[23]。逡逑抑制(Passive邋Quenching)逡逑上的反向偏置電壓大于雪崩電壓是其發(fā)生雪雪崩過(guò)程,就必須要將反向偏壓降低至雪崩電圖2.邋3.邋1(a)所示,讓?zhuān)粒校募?jí)聯(lián)一個(gè)100KQ至1
加載在APD上的反向偏置電壓大于雪崩電壓是其發(fā)生雪崩效應(yīng)的必要條件,逡逑因此,為了猝滅雪崩過(guò)程,就必須要將反向偏壓降低至雪崩電壓以下。被動(dòng)抑制技逡逑術(shù)的電路原理如圖2.邋3.邋1(a)所示,讓?zhuān)粒校募?jí)聯(lián)一個(gè)100KQ至1MQ的高阻值抑制電逡逑(a)邋Va邐Va逡逑i邐L逡逑APD邋A逡逑?t:>邋—逡逑圖2.邋3.邋1邐(a)被動(dòng)抑制電路原理(b)主動(dòng)抑制電路原理逡逑8逡逑
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7 桂淮o
本文編號(hào):2817640
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