高速數(shù)字電路電源噪聲引發(fā)的時(shí)序抖動(dòng)分析
【學(xué)位單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TN79;TN86;TB53
【部分圖文】:
[45]。圖2.5 封裝電容對系統(tǒng) PDN 阻抗明顯的改善[45]由于體電容器和表面貼電容器或者者封裝級的去耦電容都需要走線連接在一起,這些走線都會(huì)有寄生的電阻和電感,加上這些電容的等效 ESR,這些會(huì)造成 PDN 的DC IR 壓降,此外,由于板級電源和地平面的存在,在一些情況下,由電源和地平面形成的電磁諧振腔可能引起一些嚴(yán)重的問題。在它們的共振頻率下,電磁諧振腔引起的電源噪聲是電路板和封裝中的主要噪聲源。3)芯片上電源分配網(wǎng)絡(luò)芯片上 PDN 負(fù)責(zé)高頻的電源噪聲,高性能 IC 中的 PDN 通常構(gòu)造為多層網(wǎng)格。在這樣的網(wǎng)格中,每個(gè)金屬化層中的直的電源/地線可以跨越整個(gè)芯片并且與相鄰層中的線正交。電源線和地線通常在每層中交替。通孔將電源(地)線連接到另一個(gè)電源(地)在重疊站點(diǎn)。芯片上 PDN 基本結(jié)構(gòu)類型有繞線型網(wǎng)格
西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文28圖3.6 理想和非理想 PDN 情況下的眼圖對比[67]由于電源噪聲引起的幅度和抖動(dòng)噪聲,在考慮了 PDN 情況下的眼要要小得多。在相同的 BER 水平下,眼高從 396ps 變?yōu)?377ps,眼高變?yōu)?448mV 至 423mV,如圖3.6 所示。PDN 引起的噪聲幅度和抖動(dòng)噪聲的校正因子可以通過這兩個(gè)值之間的差來計(jì)算,這導(dǎo)致幅度校正因子為 25mV,抖動(dòng)校正因子為 19ps。如表 3.1 所示。表3.1校正因子數(shù)值噪聲幅度校正因子 電源噪聲引起的抖動(dòng)校正25mV 19ps提取眼圖校正因子方法的一個(gè)突出優(yōu)勢是能夠分離電源噪聲對抖動(dòng)貢獻(xiàn),改善了統(tǒng)計(jì)仿真得到的抖動(dòng)忽略了電源噪聲的貢獻(xiàn)問題。這在實(shí)際中是很重要的
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