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一種高功率因數(shù)LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2020-08-31 20:22
   21世紀(jì)以來(lái),工業(yè)化和城市化進(jìn)程日益加快,自然能源緊缺和環(huán)境污染的問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重。于是,LED這種綠色環(huán)保的照明技術(shù)引起了人們廣泛的關(guān)注,應(yīng)用于照明系統(tǒng)的LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)得到了大幅進(jìn)步。本文針對(duì)高功率因數(shù)LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片的系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)和關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研究,旨在完成可提供高功率因數(shù)、具有完整保護(hù)機(jī)制、低成本的原邊反饋恒流驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)。本文基于對(duì)LED發(fā)光原理、現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)技術(shù)及功率因數(shù)校正技術(shù)的分析提出了一款高功率因數(shù)LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。在分析了傳統(tǒng)副邊反饋加光耦的LED驅(qū)動(dòng)方案的不足之處后,選擇了不需要光耦的原邊反饋結(jié)構(gòu),不僅使電路成本大大下降,而且在恒流精度上比采用副邊反饋加光耦的電路結(jié)構(gòu)更加優(yōu)秀。隨后本文對(duì)影響恒流精度的因素進(jìn)行了分析,并針對(duì)這些因素設(shè)計(jì)了合理的退磁檢測(cè)模塊。此外,針對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電路諧波干擾的問(wèn)題,本文提出了一種基于乘法器結(jié)構(gòu)及峰值電流控制方式的單級(jí)有源功率因數(shù)校正方案,相比于傳統(tǒng)無(wú)源功率因數(shù)校正方案,本文提出的功率因數(shù)校正方案不需要大電容、大電感因此電路體積大幅減小,同時(shí)功率因數(shù)校正性能上也更為優(yōu)異。在此基礎(chǔ)上,本文還設(shè)計(jì)了過(guò)溫保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)等模塊提高了芯片的可靠性。本文設(shè)計(jì)的高功率因數(shù)高精度原邊反饋恒流驅(qū)動(dòng)芯片基于CSMC 0.5um BCD工藝,電源電壓為85V~265V的交流電,使用Cadence Hspice D工具進(jìn)行仿真。芯片輸出電流調(diào)整率小于3.7%,功率因數(shù)值均大于0.92,總諧波失真度小于24%,系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率超過(guò)85%。本文所涉及的理論對(duì)于恒流驅(qū)動(dòng)芯片的研究具有及其重要的意義,設(shè)計(jì)所實(shí)現(xiàn)的基于原邊反饋技術(shù)的高功率因數(shù)高精度恒流驅(qū)動(dòng)芯片也具有重要的商用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
【學(xué)位單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TN312.8
【部分圖文】:

瞬態(tài)仿真,基準(zhǔn)電壓,電路,啟動(dòng)過(guò)程


X 點(diǎn)與 Y 點(diǎn)的點(diǎn)位相同,于是在電阻 R 上阻 R 的電流可以表示為:I =х = 準(zhǔn)源兩側(cè)的電流都是 PTAT 電流。壓,我們知道 = I д ( ) = ( ) 只要保證( ) = ≈ 即可保證 Y啟動(dòng)過(guò)程仿真 CSMC 0.5um BCD 工藝模型并利用 HspiceD 仿先是啟動(dòng)過(guò)程的仿真,具體仿真結(jié)果見(jiàn)下圖 4

特性曲線,基準(zhǔn)電壓,特性曲線,溫度變化


圖 4.4 基準(zhǔn)電壓隨溫度變化特性曲線溫度掃描范圍為-50℃至 150℃,由仿真結(jié)果計(jì)算得出,全ppm/℃。由此可見(jiàn)其溫度性能良好,達(dá)到設(shè)計(jì)期望要求學(xué)研究生工作站——華芯微電子股份有限公司利益,故僅)電壓工作范圍仿真工作范圍仿真主要為驗(yàn)證基準(zhǔn)電路是否能在 VDD 整個(gè)電們對(duì)基準(zhǔn)電路電源電壓 VDD 進(jìn)行 0 至 20V 電壓范圍的直端的變化情況,仿真波形如圖 4.5:

基準(zhǔn)源,輸出電壓,仿真結(jié)果,范圍


圖 4.4 基準(zhǔn)電壓隨溫度變化特性曲線掃描范圍為-50℃至 150℃,由仿真結(jié)果計(jì)算得出/℃。由此可見(jiàn)其溫度性能良好,達(dá)到設(shè)計(jì)期望究生工作站——華芯微電子股份有限公司利益,壓工作范圍仿真范圍仿真主要為驗(yàn)證基準(zhǔn)電路是否能在 VDD 整基準(zhǔn)電路電源電壓 VDD 進(jìn)行 0 至 20V 電壓范圍變化情況,仿真波形如圖 4.5:

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2809276

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