一種高功率因數(shù)LED恒流驅(qū)動芯片設(shè)計
【學(xué)位單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN312.8
【部分圖文】:
X 點與 Y 點的點位相同,于是在電阻 R 上阻 R 的電流可以表示為:I =х = 準(zhǔn)源兩側(cè)的電流都是 PTAT 電流。壓,我們知道 = I д ( ) = ( ) 只要保證( ) = ≈ 即可保證 Y啟動過程仿真 CSMC 0.5um BCD 工藝模型并利用 HspiceD 仿先是啟動過程的仿真,具體仿真結(jié)果見下圖 4
圖 4.4 基準(zhǔn)電壓隨溫度變化特性曲線溫度掃描范圍為-50℃至 150℃,由仿真結(jié)果計算得出,全ppm/℃。由此可見其溫度性能良好,達到設(shè)計期望要求學(xué)研究生工作站——華芯微電子股份有限公司利益,故僅)電壓工作范圍仿真工作范圍仿真主要為驗證基準(zhǔn)電路是否能在 VDD 整個電們對基準(zhǔn)電路電源電壓 VDD 進行 0 至 20V 電壓范圍的直端的變化情況,仿真波形如圖 4.5:
圖 4.4 基準(zhǔn)電壓隨溫度變化特性曲線掃描范圍為-50℃至 150℃,由仿真結(jié)果計算得出/℃。由此可見其溫度性能良好,達到設(shè)計期望究生工作站——華芯微電子股份有限公司利益,壓工作范圍仿真范圍仿真主要為驗證基準(zhǔn)電路是否能在 VDD 整基準(zhǔn)電路電源電壓 VDD 進行 0 至 20V 電壓范圍變化情況,仿真波形如圖 4.5:
【參考文獻】
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本文編號:2809276
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