衍射光柵的性質(zhì)及應(yīng)用
【學(xué)位單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TN25
【部分圖文】:
圖1.1.1晶體管制成隨時間變化|4|逡逑芯片制程[5,6]的大小體現(xiàn)了加工工藝的先進與否,目前的芯片制成已經(jīng)縮小逡逑到了邋7nm,這意味著芯片上最小線寬僅為7nm,在這種尺寸"1、就不得不考慮粒子逡逑
圖1.1.2電通信和光通信的距離/帶寬對比圖丨7]逡逑集成光子學(xué)主導(dǎo)材料平臺的確定存在過較大的爭議。目前的光子學(xué)主要使用逡逑硅基材料,主要是因為硅基光路兼容成熟的CMOS加工工藝,但是硅材料一些逡逑不理想的物理性質(zhì)卻使得它在早期沒有立即進入人們的視線,這其中有三個主要逡逑原因:逡逑1.硅是一種間接帶隙的半導(dǎo)體材料,在電子受激輻射過程中,除了要吸收大于電逡逑子躍徖需要的能量,還需要電子聲子相互作用使動量發(fā)生改變,所以硅材料不適逡逑合作光器件,硅基激光器的研究存在困難。逡逑2.硅沒有快速強烈的電光調(diào)制效應(yīng),硅的非線性效應(yīng)不強,對外加電場或DC的逡逑響應(yīng)比較弱,如克爾效應(yīng)[8,9]和泡克爾斯效應(yīng)[10,11],常規(guī)方法不易有效快速地逡逑實現(xiàn)光調(diào)制。逡逑3?硅的禁帶寬度為1.12um,當信號光波長在紅外區(qū)時,硅對信號光沒有很好的響逡逑
逑J邋0.邋1M邋1M邋10M邐100M邋1KM邋10KM邋100KM逡逑圖1.1.2電通信和光通信的距離/帶寬對比圖丨7]逡逑集成光子學(xué)主導(dǎo)材料平臺的確定存在過較大的爭議。目前的光子學(xué)主要使用逡逑硅基材料,主要是因為硅基光路兼容成熟的CMOS加工工藝,但是硅材料一些逡逑不理想的物理性質(zhì)卻使得它在早期沒有立即進入人們的視線,這其中有三個主要逡逑原因:逡逑1.
【參考文獻】
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本文編號:2808532
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