基于通用DMAC IP的功耗分析及優(yōu)化
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TN0
【圖文】:
應(yīng)用非常廣泛。當(dāng)前,移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的飛速發(fā)展使得功耗問(wèn)題越來(lái)越引起人們的關(guān)注。因此,一款成熟的 DMAC IP 不僅要考慮其性能和復(fù)用,更應(yīng)該在其設(shè)計(jì)階段,就將功耗作為一項(xiàng)重要的考量因素。本章主要從功耗和 DMA 控制器兩個(gè)方面展開(kāi),首先對(duì)它們的發(fā)展背景及意義進(jìn)行了簡(jiǎn)要的介紹。然后對(duì)低功耗和 DMA 控制器當(dāng)前的發(fā)展情況進(jìn)行分析,著重說(shuō)明了低功耗將成為 DMAC IP 設(shè)計(jì)的一個(gè)重要的發(fā)展方向。本章最后給出了本文的主要研究?jī)?nèi)容和文章的結(jié)構(gòu)安排。1.1 課題背景及意義戈登·摩爾是英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一,其曾提出了著名的摩爾定律: 在價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納元件的數(shù)目,約每 18-24 個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍[3]。這種趨勢(shì)已經(jīng)延續(xù)了超過(guò)半個(gè)多世紀(jì),集成電路上的晶體管數(shù)量從最初的幾百門已經(jīng)增長(zhǎng)到了現(xiàn)在上億門,如圖 1.1 所示,Intel 處理器的晶體管數(shù)逐年增長(zhǎng)基本符合摩爾定律,從 1970 年幾千門電的路規(guī)模到 2015 年已經(jīng)發(fā)展到數(shù)十億門的電路規(guī)模。
顯著的提高了設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)效率。但當(dāng)面對(duì)電路規(guī)模達(dá)百萬(wàn)門級(jí)的時(shí)候,對(duì)整路全部從編寫 RTL 代碼開(kāi)始設(shè)計(jì)是不現(xiàn)實(shí)的,因此基于 IP 的設(shè)計(jì)方法隨之出現(xiàn)通過(guò)對(duì)一些常用模塊的復(fù)用有效降低了芯片的研發(fā)成本,也提高了芯片流片成功率。當(dāng)今,SoC 的設(shè)計(jì)方法,都是基于大量的 IP 復(fù)用,有效的提高芯片集成度低了生產(chǎn)成本。電路設(shè)計(jì)上的一系列變革,使得設(shè)計(jì)效率不斷提高,電路的集成度不斷增大,芯片上的功耗問(wèn)題日益凸顯。當(dāng)微電子工藝進(jìn)入深亞微米,一系列功耗問(wèn)題隨之,將數(shù)以億計(jì)的晶體管集成在一塊微小的芯片上,芯片上的功耗密度將變得非常,芯片的散熱問(wèn)題,對(duì)芯片的封裝技術(shù)提出了非常巨大的挑戰(zhàn)。如圖 1.2 所示,In理器功耗密度逐年增長(zhǎng)圖,在 2015 年時(shí),芯片上的功耗密度將超過(guò) 4000W/cm2著近些年,移動(dòng)設(shè)備的飛速發(fā)展,功耗問(wèn)題已經(jīng)越來(lái)越多的被業(yè)界所關(guān)注。從市角度來(lái)看,性能一樣,但功耗更低,待機(jī)時(shí)間更長(zhǎng)的手機(jī)明顯更能吸引到消費(fèi)者此關(guān)于低功耗方面的研究,將深刻的影響到從芯片設(shè)計(jì)到制造的每一個(gè)環(huán)節(jié)。對(duì)塊芯片的優(yōu)劣的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),不能僅僅局限于性能和面積兩方面,功耗也已經(jīng)成為的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。
圖 2.3 漏電流的來(lái)源是由 MOS 管的源(或漏)和襯底之間形成反偏二極管之間,見(jiàn)圖 2.3[3]。與溫度成指數(shù)關(guān)系,隨著溫度的增減,漏電流也會(huì)迅速增加式(2-12): revers = · ( h1)(2-12)反向飽和電流, = · 2· ( ), th是熱電亞閾值電流電流的產(chǎn)生則是由于柵源之間的電壓接近或小于閾值電壓路而產(chǎn)生亞閾值電流[9],見(jiàn)圖 2.4。對(duì)于亞閾值電流由如下
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