基于CMOS的毫米波倍頻器研究與設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:杭州電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TN771
【圖文】:
OUTbV圖 1.5 美國(guó)加州大學(xué) 62~90GHz 二倍頻器7 年,日本東京工業(yè)大學(xué)的 Ibrahim Abdo,Korkut Kaan Tokgoz,Takuya Fuji了一款基于 65nm CMOS 工藝的二倍頻器[12],輸出信號(hào)頻率在 100~123G器的整體結(jié)構(gòu)如圖 1.6 所示,在輸出端級(jí)聯(lián)了兩級(jí)緩沖器用于提高諧波抑在功率為-8dBm 輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下,二倍頻器達(dá)到 5.5dBm 的飽和輸出功為 17.2dB,基波抑制比大于 60dBc,整體電路的直流功耗為 116mW。
W-banOutpuDD,1VKa-bandInputbiasV圖 1.11 美國(guó)加州大學(xué) 85~95.2 GHz 三倍頻器列特拉維夫大學(xué) Nadav Mazor,Eran Socher 等人研究設(shè)計(jì)三倍頻器[19],輸出信號(hào)頻率在 43~79GHz 之間,相對(duì)帶版圖如圖 1.12 所示,分布式電路中處于深飽和區(qū)的共源它們之間以差分的結(jié)構(gòu)相連來抑制偶次諧波信號(hào)。該電制在輸出信號(hào)頻率范圍內(nèi)都大于 10dBc,芯片面積為
圖 2.4 理想 FET 倍頻器電壓和電流波形.4 為理想的場(chǎng)效應(yīng)晶體管倍頻器電壓和電流波形圖,因?yàn)檩敵龆说闹C振電信號(hào)的 n 次諧波,而其他諧波的電壓分量為 0,因此漏極電壓 ( )dV t 是一個(gè)。為了提高輸出功率,漏極電壓 ( )dV t 的取值需在maxV 和minV 之間,漏極電壓的一半。漏極電流 i(t)的最大值為maxI ,電流波形的持續(xù)時(shí)間為 t0(t0≤T的周期)。柵極電壓 ( )gV t的取值在,max2gg gV V和g,maxV之間。柵極的偏置電壓gV在閾值電壓tV 附近,這樣可以利用晶體管的夾斷效應(yīng)使峰脈沖電流,此時(shí)的漏極電流 i(t)中包含豐富的各次諧波分量,i(t)通過傅表示成包含直流分量、基波分量以及各次諧波分量的余弦項(xiàng):0 1 2 3( ) cos cos 2 cos 3 ......i i ii t I I t I t I t ≥1 時(shí),漏極電流 i(t)中各次諧波的系數(shù)是0 0max204 cos( / )1 (2 / )nt n t TI IT n t T 示 n 次諧波的漏極電流,倍頻器的主要性能指標(biāo)倍頻效率跟 成正比,當(dāng)
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本文編號(hào):2791009
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