【摘要】：超輻射發(fā)光管具有不同于激光器和發(fā)光二極管的優(yōu)異光學(xué)性能。為了提高超輻射發(fā)光二極管的光譜寬度和出光功率,本文設(shè)計了外延片有源區(qū)非均勻阱寬三量子阱結(jié)構(gòu)和波導(dǎo)區(qū)非對稱結(jié)構(gòu);在器件結(jié)構(gòu)方面,利用增益鉗制理論提出了器件新結(jié)構(gòu),設(shè)計了多波長增益鉗制系統(tǒng),脊形區(qū)采用帶有模斑轉(zhuǎn)換器的傾斜條結(jié)構(gòu);在器件制備方面,器件前后腔面蒸鍍增透膜,在器件脊形臺面上采用了納米壓印技術(shù)制作了多波長表面分布式反饋鉗制系統(tǒng)納米柱。制備的器件泵浦區(qū)800μm,吸收區(qū)1000μm,傾斜6°脊形條寬5μm,在工作電流為160 mA時,管芯室溫連續(xù)輸出功率為14.63 mW,中心波長846.04 nm,半峰寬23.92 nm。這種新結(jié)構(gòu)增益了器件非中心波長,抑制了中心波長F-P振蕩,實現(xiàn)了器件中心波長增益鉗制。
【學(xué)位授予單位】：長春理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：TN248;TN312.8
【圖文】：

圖 1.1 SLD 彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)如圖 1.1 所示，2015 年，波蘭物理學(xué)家 Anna Kafar[15]等人研制出彎 420 nm 左右的 SLD 器件，高功率 SLD 的斜率效率可以和 LD 相媲美曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)具有制作簡單、且在高電流下非常容易抑制光反饋實現(xiàn)流增大超過一定范圍時，彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)不會再抑制光反饋，從而變果給定的電流太小則不會高功率輸出。其彎曲吸收區(qū)的解理面方向夾角一定要大于全反射時的臨界角，因此，傳播到彎曲吸收區(qū)的光到了電流注入?yún)^(qū)。波導(dǎo)結(jié)構(gòu)

圖 1.1 SLD 彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)示，2015 年，波蘭物理學(xué)家 Anna Kafar[15]等人研的 SLD 器件，高功率 SLD 的斜率效率可以和 LD具有制作簡單、且在高電流下非常容易抑制光反一定范圍時，彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)不會再抑制光反饋，流太小則不會高功率輸出。其彎曲吸收區(qū)的解理大于全反射時的臨界角，因此，傳播到彎曲吸收入?yún)^(qū)。

圖 1.3 SLD 錐形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖 1.3 所示，2001 年，日本 Takeshi YAMATOYA[17]等科學(xué)家研aInAsP/InP 的 SLD。其結(jié)構(gòu)中由 SiO2開窗口錐形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為有心軸 7°傾斜，有源區(qū)長度 3.5 mm，該錐形有源區(qū)結(jié)構(gòu)抑制了光 1.55 μm 輸出功率 330 mw。導(dǎo)結(jié)構(gòu)

【參考文獻】

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本文編號：2777304