基于單電子晶體管的通用邏輯門和三值邏輯電路設(shè)計研究
【學(xué)位授予單位】:浙江工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TN402
【圖文】:
背景和意義電路的發(fā)展瓶頸路(Integrated circuit, IC)技術(shù)近 60 年的飛速發(fā)展,對信息化時代作用。正是有了集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷革新,現(xiàn)代社會的基礎(chǔ)建設(shè)的發(fā)展,而且其發(fā)展程度已經(jīng)成為各個國家衡量自身綜合實力的級 CPU 生產(chǎn)商英特爾公司的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾,在上世級 6“摩爾定律”[2],即在每一年半到兩年的周期內(nèi),同等面積的集成數(shù)將會翻倍。該定律并不是物理或自然法則,僅是對未來發(fā)展的所示為集成電路制造工藝與時鐘頻率的發(fā)展統(tǒng)計示意圖[3]。由圖路發(fā)展相對容易,僅僅需要提高加工精度,按照等比原則去縮減即可達到摩爾定律所預(yù)測的效果。
圖 1-2 1990 年-2017 年單電子領(lǐng)域發(fā)表論文數(shù)統(tǒng)計對 SET 的研究大致分為以下幾個方面:(1) 單電子晶體管制備在對單電子晶體管制備的研究中,采用何種方式來獲得更小的庫侖島與電容以及壘厚度成為困擾科研人員的主要問題。國外對于這方面的研究相對來說超前一些 年,TAKAHASHI Y 等人采用圖形依賴氧化(pattern-dependent oxidation, PADOX緣體上硅(silicon on insulator, SOI)上制備了單電子晶體管[21];ISHIBASHI K 等人于單電子晶體管的反相器,其有源區(qū)使用的是單壁和多壁碳納米管[22];YANO K出了單電子存儲單元,其可以在室溫下工作,具有極大的應(yīng)用前景[23]。國內(nèi)雖然,但經(jīng)過近些年科研人員的努力,在單電子晶體管的制備方面也取得了不菲的成 年中國科學(xué)院的王太宏等人利用“納米電極對”技術(shù)制備了能在 90K 工作的 S體管[24];2002 年盧剛博士等人利用采用電子束光刻技術(shù)和反應(yīng)離子刻蝕等工藝
將文件的后綴名改為.lib。此時使用模型編輯器(PSpice Model Editor)將.lib 文件打到 SET-Spice 仿真模型的具體代碼,該模型是一個雙柵極單電子晶體管模型,共、漏極 D、柵極 G1 和柵極 G2 四個管腳,在模型中對應(yīng)的序號分別是 1、2、3 和(2) 生成 . olb 文件。要進行圖形化輸入,必須要有該模型圖形化符號。已經(jīng)通過到了 SET-Spice 仿真模型的.lib 文件,然后打開模型編輯器(PSpice Model Editor), “File / Create Capture Parts”,在彈出框里第一行選擇 SET-Spice 仿真模型的.lib徑,然后點擊確定即可獲得與.lib 文件在同文件目錄下同文件名的 . olb 文件,此了自動生成的默認圖形符號文件 . olb。(3) 編輯元件外型。使用電路圖繪制(Capture CIS)工具打開上一步生成的 SET-Sp型的 . olb 文件,其默認圖形符號如圖 2-6(a)所示,利用軟件右側(cè)的畫圖功能編輯符號如圖 2-6(b)所示,圖中放置 4 個 pin 管腳 S、D、G1、G2 分別對應(yīng)“. lib”定義的管腳 1、2、3 和 4,然后點擊保存。
【參考文獻】
相關(guān)期刊論文 前10條
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本文編號:2763658
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