離子束刻蝕輔助飛秒激光加工技術(shù)研究
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TN249
【參考文獻】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 李海丹;吳深;;可穿戴設(shè)備在休閑體育領(lǐng)域的應(yīng)用前景探討[J];當(dāng)代體育科技;2015年28期
2 鮑泓;劉宏哲;;大數(shù)據(jù)時代文化遺產(chǎn)數(shù)據(jù)挖掘的認(rèn)識[J];北京聯(lián)合大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2015年03期
3 右舍;;摩爾定律面臨挑戰(zhàn) 轉(zhuǎn)戰(zhàn)移動賦新內(nèi)涵[J];通信世界;2015年14期
4 肖藏巖;韋重韜;郭立穩(wěn);鄒明俊;;開灤礦區(qū)低級煙煤大分子結(jié)構(gòu)演化特征及CO成因[J];煤田地質(zhì)與勘探;2015年02期
5 宋順喜;;離子束刻蝕技術(shù)在涂層孔隙結(jié)構(gòu)分析中的應(yīng)用[J];造紙化學(xué)品;2014年06期
6 邢飛;廖進昆;楊曉軍;唐雄貴;段毅;;納米壓印技術(shù)的研究進展[J];激光雜志;2013年03期
7 王金合;費立誠;宋志棠;張靜;周為民;張劍平;;納米壓印技術(shù)的最新進展[J];微納電子技術(shù);2010年12期
8 嚴(yán)劍飛;袁凱;太惠玲;吳志明;;二氧化硅的干法刻蝕工藝研究[J];微處理機;2010年02期
9 陳少軍;李以貴;;基于高深寬比Si干法刻蝕參數(shù)優(yōu)化[J];微納電子技術(shù);2009年12期
10 羅康;段智勇;;納米壓印技術(shù)進展及應(yīng)用[J];電子工藝技術(shù);2009年05期
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前3條
1 鮑旭;AlGaN/GaN HFET功率開關(guān)器件新結(jié)構(gòu)研究[D];電子科技大學(xué);2015年
2 單能飛;化學(xué)輔助離子束刻蝕實驗設(shè)備設(shè)計及其機理的研究[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2004年
3 柳翠;離子束濺射法制備C-N薄膜的研究[D];燕山大學(xué);2002年
本文編號:2759544
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2759544.html